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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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158 篇 专利

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158 篇 电子文献
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日期分布

机构

26 篇 中节能万润股份有...
10 篇 清华大学
6 篇 杭州电子科技大学
5 篇 中芯国际集成电路...
4 篇 中国科学院微电子...
4 篇 中国空间技术研究...
4 篇 浙江大学
4 篇 广东工业大学
4 篇 江苏三月光电科技...
3 篇 工业和信息化部电...
3 篇 中国电子技术标准...
3 篇 南京邮电大学
3 篇 扬州大学
2 篇 无锡物联网创新中...
2 篇 华中科技大学
2 篇 湖南大学
2 篇 复旦大学
2 篇 中国电子产品可靠...
2 篇 兰州空间技术物理...
2 篇 北京圣涛平试验工...

作者

30 篇 张兆超
28 篇 李崇
15 篇 徐凯
12 篇 王立春
9 篇 乔娟
9 篇 薛杰
9 篇 徐靖一
5 篇 杨军
4 篇 孙毅
4 篇 陈岚
4 篇 彭雪
4 篇 喻张俊
4 篇 唐民
4 篇 吕燕飞
4 篇 秦玉文
4 篇 王云才
4 篇 罗磊
4 篇 赵士超
4 篇 于庆奎
4 篇 蔡庆锋

语言

158 篇 中文

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一种多环芳香族化合物及其在电致发光器件中的应用

一种多环芳香族化合物及其在电致发光器件中的应用

引用

作者：乔娟薛杰徐靖一 100084 北京市海淀区清华园1号

本发明涉及一种多环芳香族化合物及其应用。所述化合物具有下式I所示的结构。当将本发明化合物作为有机电致发光器件中的发光层材料时，可以有效提高器件的发光效率、提高器件的光谱色纯度，以及获得器件发光半峰宽窄的最佳技术效果。

标准号: CN113943287B

关键词：多环芳香族化合物有机电致发光器件本发明化合物发光层材料发光效率获得器件技术效果光谱色宽窄发光应用

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一种多环芳香族化合物及其在电致发光器件中的应用

一种多环芳香族化合物及其在电致发光器件中的应用

引用

作者：乔娟薛杰徐靖一 100084 北京市海淀区清华园1号

标准号: CN112079859A

关键词：多环芳香族化合物有机电致发光器件本发明化合物发光层材料发光效率获得器件技术效果光谱色宽窄发光应用

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一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台

一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台

引用

作者：孟洋蒋煜琪薛玉雄曹荣幸李林欢黄鑫汪珂佳曾祥华 225009 江苏省扬州市大学南路88号

本发明公开了一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台，包括测试板、上位机和外加电源。测试板包括电源转换模块、DSP模块、若干大功率碳化硅MOSFET栅极驱动模块以及若干大功率碳化硅MOSFET开关管。测试板上设有多个待测器件，大... 详细信息

标准号: CN114295951B

本发明公开了一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台，包括测试板、上位机和外加电源。测试板包括电源转换模块、DSP模块、若干大功率碳化硅MOSFET栅极驱动模块以及若干大功率碳化硅MOSFET开关管。测试板上设有多个待测器件，大功率碳化硅MOSFET开关管用于控制各待测器件的导通与关闭。外加电源的高压直流电源用于给待测器件施加漏源电压，负低压电源用于给待测器件施加一个负的栅源电压。本发明可通过上位机选择具体某一个待测器件进行SEB测试，从而在人机交互界面实时显示出辐照时，器件在关断状态下，可获得器件的SEB阈值电压，从而为其辐射环境应用的选型及防护加固提供技术支持。

关键词：待测器件碳化硅MOSFET 测试板外加电源开关管上位机功率场效应晶体管施加电源转换模块高压直流电源人机交互界面栅极驱动模块辐照测试平台低压电源防护加固辐射环境关断状态获得器件技术支持漏源电压实时显示栅源电压阈值电压单粒子导通选型烧毁测试应用

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一种稠环芳香族化合物及其在电致发光器件中的应用

一种稠环芳香族化合物及其在电致发光器件中的应用

引用

作者：乔娟薛杰徐靖一 100084 北京市海淀区清华园1号

本发明涉及一种稠环芳香族化合物及其应用。所述化合物具有下式I或式II所示的结构。当将本发明化合物作为有机电致发光器件中的发光层材料时，可以实现深红/近红外发光，并展现出高效电致发光与高光谱色纯度，以及获得器件发光半峰宽窄... 详细信息

标准号: CN114621270A

本发明涉及一种稠环芳香族化合物及其应用。所述化合物具有下式I或式II所示的结构。当将本发明化合物作为有机电致发光器件中的发光层材料时，可以实现深红/近红外发光，并展现出高效电致发光与高光谱色纯度，以及获得器件发光半峰宽窄的最佳技术效果。

关键词：稠环芳香族化合物有机电致发光器件本发明化合物高效电致发光发光层材料近红外发光获得器件技术效果高光谱色纯度宽窄式II 发光应用

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一种基于深度学习的RESURF横向功率器件最优漂移区浓度设计方法

一种基于深度学习的RESURF横向功率器件最优漂移区浓度设计方法

引用

作者：郭宇锋郭小博陈静张珺张茂林姚清姚佳飞 210003 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号

本发明公开了一种基于深度神经网络的RESURF横向功率器件最优漂移区浓度设计方法，包括：S1：设定器件结构参数范围，获取不同结构参数下最优漂移区浓度的数据集，并对数据集进行预处理；S2：构建和训练由器件结构参数预测器件最优漂移... 详细信息

标准号: CN113505564B

本发明公开了一种基于深度神经网络的RESURF横向功率器件最优漂移区浓度设计方法，包括：S1：设定器件结构参数范围，获取不同结构参数下最优漂移区浓度的数据集，并对数据集进行预处理；S2：构建和训练由器件结构参数预测器件最优漂移区浓度的深度神经网络模型；S3：将器件结构参数输入预先训练好的深度神经网络模型，获得器件最优漂移区浓度。本发明能够实现对RESURF横向功率器件最优漂移区浓度的预测，其预测误差为5％左右，精准度较高，与传统方法比，快捷高效。

关键词：漂移区器件结构参数横向功率器件神经网络模型数据集预处理获得器件结构参数神经网络预测器件预测误差精准度构建预测

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脉冲电源中器件与模块运行域协同优化的方法以及系统

脉冲电源中器件与模块运行域协同优化的方法以及系统

引用

作者：刘毅曾臣乾李柳霞谢敬瑶张钦李化林福昌王燕 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

本发明提供了脉冲电源中器件与模块运行域协同优化的方法以及系统，属于脉冲电源领域，其包括：S1根据脉冲电源运行工况，对其组成器件进行初步选型，获得初选器件集合，S2将步骤S1获得的初选器件集合作为初始种群，采用遗传算法对器件... 详细信息

标准号: CN117744479A

本发明提供了脉冲电源中器件与模块运行域协同优化的方法以及系统，属于脉冲电源领域，其包括：S1根据脉冲电源运行工况，对其组成器件进行初步选型，获得初选器件集合，S2将步骤S1获得的初选器件集合作为初始种群，采用遗传算法对器件集合进行优化，获得器件最优集合，进而获得最优器件运行域，S3将单个器件的最优运行域交合形成对应第一级分模块的最优运行域，S4将当前级分模块的最优运行域与剩余的单个器件的最优运行域交合形成下一级分模块的最优运行域，直至穷尽所有的单个器件，最终获得整个脉冲电源总模块的最优运行域。本发明能解决强流脉冲电源中各器件的指标之间可能存在的相互矛盾问题以及各器件之间的选型契合度小的问题。

关键词：运行域脉冲电源单个器件器件集合分模块交合选型初选强流脉冲电源初始种群获得器件矛盾问题模块运行遗传算法运行工况第一级契合度优化集合协同

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一种稠环芳香族化合物及其在电致发光器件中的应用

一种稠环芳香族化合物及其在电致发光器件中的应用

引用

作者：乔娟薛杰徐靖一 100084 北京市海淀区清华园1号

标准号: CN114621269A

关键词：稠环芳香族化合物有机电致发光器件本发明化合物高效电致发光发光层材料近红外发光获得器件技术效果高光谱色纯度宽窄式II 发光应用

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一种SiC功率MOSFET器件结构的优化设计方法

一种SiC功率MOSFET器件结构的优化设计方法

引用

作者：樊嘉杰罗润鼎 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明涉及一种SiC功率MOSFET器件结构的优化设计方法，包括：构建SiC功率MOSFET导通电阻的模型；基于理论分析，分别获得击穿电压与特征参数之间关系、导通电阻与特征参数之间关系的模型与公式；根据工艺限制、栅极氧化物临界击穿场强... 详细信息

标准号: CN117744269A

本发明涉及一种SiC功率MOSFET器件结构的优化设计方法，包括：构建SiC功率MOSFET导通电阻的模型；基于理论分析，分别获得击穿电压与特征参数之间关系、导通电阻与特征参数之间关系的模型与公式；根据工艺限制、栅极氧化物临界击穿场强，校准得到的关系模型与公式；通过多目标优化粒子群算法，对击穿电压和导通电阻进行优化；针对特定的需求，筛选获得的对应特征参数、击穿电压和导通电阻；构建TCAD模型验证并校准获得的器件特征结构，以获得器件特征结构的最优结果；结合SiC功率MOSFET器件结构的最优结果和TCAD仿真获得的最优结果，确定出SiC功率MOSFET中最优的器件结构特征参数。与现有技术相比，本发明能够扩大应用范围、降低设计成本和设计时间，同时提高设计准确性。

关键词：导通电阻特征参数击穿电压最优结果功率MOSFET器件功率MOSFET 校准构建多目标优化粒子群算法栅极氧化物工艺限制关系模型获得器件击穿场强理论分析模型验证器件结构器件特征特征结构优化设计筛选应用优化

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一种获取器件中子单粒子效应截面的方法及装置

一种获取器件中子单粒子效应截面的方法及装置

引用

作者：王群勇 100089 北京市海淀区紫竹院路69号兵器大厦708

本发明实施例提供一种获取器件中子单粒子效应截面的方法及装置。方法包括：确定待测器件的类别；根据所述类别对应的中子单粒子效应NSEE截面公式，获取所述待测器件的NSEE截面；其中，所述NSEE截面公式根据样本器件的NSEE截面历史数据... 详细信息

标准号: CN109214049B

本发明实施例提供一种获取器件中子单粒子效应截面的方法及装置。方法包括：确定待测器件的类别；根据所述类别对应的中子单粒子效应NSEE截面公式，获取所述待测器件的NSEE截面；其中，所述NSEE截面公式根据样本器件的NSEE截面历史数据拟合得到。本发明实施例提供的方法及装置，不依托于试验数据，仅通过分析样本器件的历史数据，按样本器件的种类进行分类分析，拟合出每一类样本器件的NSEE截面公式，根据待测器件的类别，使用对应的NSEE截面公式，获取待测器件的NSEE截面。具有输入参数少、易于实现的特点，便于工程应用。能够快速获得器件的NSEE截面，有效减少航空电子产品的设计周期，提高其大气中子辐射环境下的可靠性。

关键词：待测器件截面公式样本器件单粒子效应历史数据拟合航空电子产品工程应用获得器件获取器件设计周期试验数据输入参数有效减少中子辐射分析分类

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一种功率半导体器件键合线的寿命预测模型构建方法

一种功率半导体器件键合线的寿命预测模型构建方法

引用

作者：杨鑫武新龙 410012 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号

一种功率半导体器件键合线的寿命预测模型构建方法，包括：设计功率循环老化实验，获得器件不同功率循环周期数下键合界面的裂纹长度及温度波动；建立不同裂纹长度键合界面的器件3D模型，并在不同裂纹长度键合界面的器件3D模型下，进行... 详细信息

标准号: CN117195665A

一种功率半导体器件键合线的寿命预测模型构建方法，包括：设计功率循环老化实验，获得器件不同功率循环周期数下键合界面的裂纹长度及温度波动；建立不同裂纹长度键合界面的器件3D模型，并在不同裂纹长度键合界面的器件3D模型下，进行有限元仿真，获取键合界面的不同温度波动∆T，以及各温度波动∆T下键合界面对应的应变强度因子DK；根据裂纹长度l及相应的∆T、相应的DK，拟合出DK关于∆T及l的函数关系式；根据DK关于∆T及l的函数关系式，及步骤1中不同功率循环周期数下键合界面的裂纹长度及温度波动，获得键合界面的功率循环周期数关于温度波动及裂纹长度的函数关系式。本发明预测精度高，通用性较好。

关键词：温度波动功率循环键合函数关系式周期数下键功率半导体器件寿命预测模型获得器件老化实验强度因子键合线构建拟合预测

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