检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2004年第4期53卷 1116-1122页

作者：王建华金传恩合肥工业大学理学院合肥230009

利用蒙特卡罗方法模拟氩气直流辉光放电鞘层内离子的运动过程 .模拟基于离子与中性原子的电荷转移和弹性散射两种主要的散射过程 ,考虑了碰撞截面与能量相关和不相关两种情况 ,在弹性散射中采用了势场相互作用模型和刚性球碰撞两种模型 ... 详细信息

利用蒙特卡罗方法模拟氩气直流辉光放电鞘层内离子的运动过程 .模拟基于离子与中性原子的电荷转移和弹性散射两种主要的散射过程 ,考虑了碰撞截面与能量相关和不相关两种情况 ,在弹性散射中采用了势场相互作用模型和刚性球碰撞两种模型 .通过模拟得到不同气压和不同放电电压下离子入射阴极的能量分布和角度分布。

关键词：蒙特卡罗模拟辉光放电等离子体鞘层离子输运电荷转移弹性散射能量分布角度分布

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蒙特卡罗模拟-高斯重建相结合解析γ能谱

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哈尔滨工程大学学报 2023年第12期44卷 2232-2238页

作者：叶二雷陈菲来永芳刘婧源陆军防化学院核防护系北京102205 96765部队山西长治046000 93671部队河南南阳474350

为了解决常规γ能谱解析中康普顿坪影响较大、峰面积计算不准确的问题,提高γ核素活度测量结果的准确度,本文基于蒙特卡洛方法建立了NaI(Tl)探测器物理模型,同时针对模拟谱与实测谱在康普顿坪区的差异,根据γ谱形成机理,提出比值法以修... 详细信息

为了解决常规γ能谱解析中康普顿坪影响较大、峰面积计算不准确的问题,提高γ核素活度测量结果的准确度,本文基于蒙特卡洛方法建立了NaI(Tl)探测器物理模型,同时针对模拟谱与实测谱在康普顿坪区的差异,根据γ谱形成机理,提出比值法以修正模拟谱,并生成标准γ核素谱。再以标准γ能谱为基础,通过从高能到低能的顺序进行剥谱和确定全能峰区,以解析^(137)Cs和^(60)Co相叠加的γ实测谱,所得活度测量结果的相对误差在±3.5%以内,明显优于常规解谱方法。结果表明:采用蒙特卡罗模拟标准谱与实测谱特征峰高斯重建相结合而解析γ能谱,既能大幅降低实测谱中康普顿坪对较低能量γ射线特征峰的影响,也能较准确地确定特征峰面积,为γ能谱分析提供了一种能显著提高γ核素活度测量准确度的方法。

关键词： γ能谱蒙特卡罗模拟准确度高斯重建康普顿坪峰面积修正活度测量

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蒙特卡罗模拟在非平衡动态系统中的应用(英文)

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强激光与粒子束 2013年第1期25卷 263-268页

作者：刘明哲庹先国王磊李哲地质灾害防治与地质环境保护国家重点实验室成都610059 成都理工大学核技术与自动化工程学院成都610059

非平衡系统几乎存在于自然和人造系统的各个层面上,它以非零连续的流量为特征。完全非对称简单排他过程被认为是对这类系统建模和模拟的一个范例。对蒙特卡罗方法如何模拟该类系统进行了介绍。分析了通过蒙特卡罗模拟观察到的一些有趣... 详细信息

非平衡系统几乎存在于自然和人造系统的各个层面上,它以非零连续的流量为特征。完全非对称简单排他过程被认为是对这类系统建模和模拟的一个范例。对蒙特卡罗方法如何模拟该类系统进行了介绍。分析了通过蒙特卡罗模拟观察到的一些有趣的物理现象如自发性对称破缺、有限尺寸效应和跳跃过程。非对称的低-低密度相破缺与系统的有限尺寸效应密切相关,建议开展更细致的蒙特卡罗模拟以进一步加深对仍处于争论中的非平衡系统有限尺寸效应的认识。

关键词：蒙特卡罗模拟非平衡统计力学完全非对称排他过程自发性对称破缺

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蒙特卡罗模拟Si^＋注入Si3N4／GaAs的射程分布和损伤分布

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核技术 1994年第4期17卷 196-200页

作者：江炳尧沈鸿烈周祖尧夏冠群邹世昌中国科学院上海冶金研究所

用蒙特卡罗方法模拟Ｓｉ＋注入Ｓｉ３Ｎ４／ＧａＡｓ的力学运动，以考察沉积在ＧａＡｓ材料表面的无定形Ｓｉ３Ｎ４阻挡层对Ｓｉ＋射程分布的影响．模拟计算和实验结果都表明，Ｓｉ３Ｎ４阻挡层能够有效地削减Ｓｉ＋在ＧａＡｓ衬底中的... 详细信息

用蒙特卡罗方法模拟Ｓｉ＋注入Ｓｉ３Ｎ４／ＧａＡｓ的力学运动，以考察沉积在ＧａＡｓ材料表面的无定形Ｓｉ３Ｎ４阻挡层对Ｓｉ＋射程分布的影响．模拟计算和实验结果都表明，Ｓｉ３Ｎ４阻挡层能够有效地削减Ｓｉ＋在ＧａＡｓ衬底中的射程，避免沟道效应，得到浅结。但是阻挡层中也有相当数量的Ｓｉ、Ｎ原子由于与入射的Ｓｉ＋相互碰撞反冲进入ＧａＡｓ衬底。

关键词：蒙特卡罗模拟离子注入沟道效应

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蒙特卡罗模拟LED并联电路电流降额特性

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发光学报 2010年第4期31卷 590-594页

作者：郑同场李炳乾夏正浩华南师范大学光电子材料与技术研究所广东广州510631 佛山科技学院物理系广东佛山528000

利用蒙特卡罗方法对LED并联电路的电流降额特性进行了模拟,假设分档后的大功率白光LED的正向电压（VF）分布符合正态分布,研究了1×n（2≤n≤15）系列LED并联电路电流降额量（IP）的概率（P）分布。模拟结果表明,IP的概率分布函数... 详细信息

利用蒙特卡罗方法对LED并联电路的电流降额特性进行了模拟,假设分档后的大功率白光LED的正向电压（VF）分布符合正态分布,研究了1×n（2≤n≤15）系列LED并联电路电流降额量（IP）的概率（P）分布。模拟结果表明,IP的概率分布函数偏离了正态分布,密度函数曲线最高值点的两侧不对称,左侧较右侧陡峭;随着LED并联数（n）的增加,概率密度函数沿IP增大的方向移动,并且越来越趋近于正态分布。当n一定时,IP随电路中出现LED承载电流超过其额定电流的概率增大而降低,降低的速度由快转慢;当P为0.01%～1%时,IP大约为20%～30%。当P一定时,IP随n的增加而增大;当n〉6时,IP的增大速度变缓。模拟结果可以推广到m×n阵列化互连大功率LED模组。

关键词：蒙特卡罗模拟 LED并联电路电流降额量概率

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蒙特卡罗模拟中物理模型对质子硼俘获治疗剂量学的影响

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强激光与粒子束 2024年第6期36卷 150-156页

作者：吴骏翔邓力源何贞岑孙钊胡智民四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室成都610064 四川省肿瘤医院电子科技大学附属肿瘤医院成都610041

比较了蒙特卡罗(MC)软件Geant4中不同物理过程对质子硼俘获治疗(PBCT)的剂量学影响。选取Geant4中FTFP、QBBC和QGSP三种物理过程,构建包含质子硼核反应的质子剂量沉积的模型,比较了80 MeV质子束选取三种物理过程在有无硼时的剂量分布,以... 详细信息

比较了蒙特卡罗(MC)软件Geant4中不同物理过程对质子硼俘获治疗(PBCT)的剂量学影响。选取Geant4中FTFP、QBBC和QGSP三种物理过程,构建包含质子硼核反应的质子剂量沉积的模型,比较了80 MeV质子束选取三种物理过程在有无硼时的剂量分布,以及3 MeV质子束轰击纯硼时的核反应产物数据。三种物理过程在有无硼时水模体中的剂量分布无显著差异,一致性较好。FTFP物理过程获得的质子硼核反应产物与QBBC和QGSP物理过程相比差异较大。而QGSP物理过程得到的α粒子的产额、平均能量和能量范围与QBBC物理过程相比与实际情况吻合更好。综合评估三种物理过程中使用的非弹性散射模型以及模拟得到的核反应产物数据,Geant4中的QGSP物理过程更适用于PBCT的MC模拟研究。

关键词：质子硼俘获治疗蒙特卡罗模拟 Geant4 剂量学核反应产物

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蒙特卡罗模拟方法对 EAS 阵列性能分析与优化设计的研究

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核电子学与探测技术 1998年第1期18卷 17-20页

作者：罗光宣谭有恒戴贵亮中国科学院高能物理研究所

建立了快速计算机阵列性能分析程序，由此对阵列性能进行快速分析，对种种阵列设计方案进行比较与优化搜寻，本文介绍其基本原理、方法、程序设计及部分计算结果。

关键词： EAS阵列蒙特卡罗模拟阵列性能分析宇宙线

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蒙特卡罗模拟人工自旋冰的退磁过程

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核技术 2016年第6期39卷 71-76页

作者：虞丽菊孟祥雨李俊琴曹杰峰王勇敬超吴衍青邰仁忠上海大学物理系中国科学院上海应用物理研究所张江园区

近年来,人工自旋冰(Artificial spin ice,ASI)因具有潜在的应用价值以及理论研究价值而倍受关注,成为磁学领域的研究热点之一。以往的研究集中在Square和Kagome两种晶格结构,由于能量势垒和阻挫的大量存在,实验上难以通过退磁等方法达... 详细信息

近年来,人工自旋冰(Artificial spin ice,ASI)因具有潜在的应用价值以及理论研究价值而倍受关注,成为磁学领域的研究热点之一。以往的研究集中在Square和Kagome两种晶格结构,由于能量势垒和阻挫的大量存在,实验上难以通过退磁等方法达到其内部相互作用决定的能量基态。本文基于Kagome晶格结构提出了一种新的人工自旋冰结构,并基于蒙特卡罗模拟了三种不同的退磁方法对体系能量的影响。结果表明,退磁过程中旋转磁场方向可更有效地降低体系能量,并诱导多种磁结构的出现。

关键词：人工自旋冰蒙特卡罗模拟退磁

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含复杂近邻的二维正方格子键渗流的蒙特卡罗模拟

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物理学报 2022年第6期71卷 194-199页

作者：寻之朋郝大鹏中国矿业大学材料与物理学院徐州221116

基于高效的单团簇生长算法,采用蒙特卡罗方法模拟了考虑最近邻、次近邻,直至第五近邻格点的二维正方格子的键渗流.计算得到了二十余种格点模型高精度的键渗流阈值,并深入探讨了渗流阈值与格点结构之间的关联.通过引入参数ζ=∑_(i)zir^(... 详细信息

基于高效的单团簇生长算法,采用蒙特卡罗方法模拟了考虑最近邻、次近邻,直至第五近邻格点的二维正方格子的键渗流.计算得到了二十余种格点模型高精度的键渗流阈值,并深入探讨了渗流阈值与格点结构之间的关联.通过引入参数ζ=∑_(i)zir^(2)_(i)/i(其中zi和ri分别为第i近邻格点的配位数及到中心格点的距离)来消除“简并”,研究发现pc随ζ的变化较好地满足幂律关系pc∝ζ^(-γ),数值拟合得γ≈1.

关键词：渗流单团簇生长算法蒙特卡罗模拟

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蒙特卡罗模拟在抗生素药动学和药效学中的应用

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中国药学杂志 2008年第4期43卷 241-244页

作者：张波朱珠中国医学科学院中国协和医科大学北京协和医院药剂科北京100730

目的介绍近年来国内外蒙特卡罗模拟在抗生素药动学和药效学中的作用。方法以美国哈特福德抗生素研究和发展中心的OPTAMA研究为例,对蒙特卡罗模拟在抗生素药动学和药效学中的应用进行综合、分析和归纳。结果蒙特卡罗模拟作为一种利用随... 详细信息

目的介绍近年来国内外蒙特卡罗模拟在抗生素药动学和药效学中的作用。方法以美国哈特福德抗生素研究和发展中心的OPTAMA研究为例,对蒙特卡罗模拟在抗生素药动学和药效学中的应用进行综合、分析和归纳。结果蒙特卡罗模拟作为一种利用随机数字或伪随机数字的统计取样方法,可以将抗生素的药动学(患者药动学参数)和药效学(MIC数据)有机结合,它可以预测抗生素给药方案的目标获得概率(probability of target attainment,PTA)。结论蒙特卡罗模拟为抗生素药动学和药效学研究提供了一种新的方法,可为抗生素经验治疗和个体化治疗提供合理给药方案。

关键词：抗生素蒙特卡罗模拟药动学药效学 OPTAMA

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