检索结果-内蒙古大学图书馆

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种界面缺陷表征结构及界面缺陷检测装置。所述界面缺陷表征结构包括：衬底；栅介质层，位于所述衬底表面；栅极层，包括位于所述栅介质层表面的第一栅极层和位于所述栅介质层沿沟道宽度方向上的相对两侧的第二栅极层，所述第一栅极层与所述第二栅极层掺杂的离子类型相反。本发明能够有效的表征栅介质层与栅极层接触界面的缺陷密度。

关键词：栅极层栅介质层界面缺陷表征结构半导体制造技术沟道宽度方向衬底表面检测装置离子类型相对两侧掺杂的衬底

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一种用于柱面内爆压缩下材料金属化相变表征结构及方法

一种用于柱面内爆压缩下材料金属化相变表征结构及方法

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作者：周中玉谷卓伟唐小松张旭平匡学武李建明袁红谭福利孙承纬 621000 四川省绵阳市绵山路64号

本发明公开了一种用于柱面内爆压缩下材料金属化相变表征结构，包括样品靶，样品靶包括金属筒、绝缘组件、样品材料，绝缘组件位于金属筒内部，样品材料填充于金属筒与绝缘组件形成的封闭腔体中，绝缘组件设有空腔，磁场测量探针包括磁... 详细信息

标准号: CN113960376B

本发明公开了一种用于柱面内爆压缩下材料金属化相变表征结构，包括样品靶，样品靶包括金属筒、绝缘组件、样品材料，绝缘组件位于金属筒内部，样品材料填充于金属筒与绝缘组件形成的封闭腔体中，绝缘组件设有空腔，磁场测量探针包括磁感应线圈、绝缘芯棒、绝缘保护件，磁感应线圈缠绕在绝缘芯棒外部，绝缘保护件套在绝缘芯棒、磁感应线圈的外部，磁场测量探针的探测端插入金属筒并延伸至绝缘组件处。还公开了表征方法。利用材料电导率不同会引起材料附近磁场强度发生不同变化的原理，通过测量磁场变化信号实现材料金属化相变的直接且高灵敏的表征，并具有抗干扰能力强、时间分辨率高的优点。

关键词：绝缘组件金属筒磁感应线圈绝缘芯棒绝缘保护件材料金属磁场测量样品材料探针材料电导率抗干扰能力时间分辨率变化信号表征结构测量磁场封闭腔体探测端外部内爆套在柱面磁场填充缠绕灵敏压缩延伸

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一种热形变解耦的MEMS微应力放大表征结构及传感装置

一种热形变解耦的MEMS微应力放大表征结构及传感装置

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作者：刘猛赵宝林周浩郑英彬彭麒安 621054 四川省绵阳市游仙区绵山路64号

本发明公开一种热形变解耦的MEMS微应力放大表征结构及传感装置，该MEMS微应力放大表征结构包括外框、用于测量所述外框上的应力的微应力测量结构以及用于测量热形变应力的第一热形变解耦结构；第一热形变解耦结构包括相互交叉设置的第... 详细信息

标准号: CN115876831A

本发明公开一种热形变解耦的MEMS微应力放大表征结构及传感装置，该MEMS微应力放大表征结构包括外框、用于测量所述外框上的应力的微应力测量结构以及用于测量热形变应力的第一热形变解耦结构；第一热形变解耦结构包括相互交叉设置的第一梳指电极以及第二梳指电极，通过第一梳指电极和第二梳指电极能够测量出外框所受应力的热形变应力分量，只需要在微应力测量结构测得的应力值中减去热形变应力分量的干扰，即可得到准确的应力值；也就是说，采用本申请的MEMS微应力放大表征结构，能够降低温度变化以及热膨胀、热收缩对待测应力的影响，具有更高的测量精度。

关键词：热形变微应力测量电极表征结构解耦结构应力分量放大外框热膨胀传感装置交叉设置热收缩减去解耦申请

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界面缺陷表征结构及界面缺陷检测装置

界面缺陷表征结构及界面缺陷检测装置

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作者：杨盛玮韩坤 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

标准号: CN108922857B

关键词：栅极层栅介质层界面缺陷表征结构半导体制造技术沟道宽度方向衬底表面检测装置离子类型相对两侧掺杂的衬底

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一种TOPCon电池制备过程中的PL表征结构

一种TOPCon电池制备过程中的PL表征结构

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作者：周鹏宇 215300 江苏省苏州市昆山市花桥镇徐公桥路2号中茵广场E区608室

本发明公开了一种TOPCon电池制备过程中的PL表征结构，包括检测箱，所述检测箱上连接有自动化基座，且自动化基座上设置有硅片；所述检测箱上固定安装有控制器，且控制器电性连接有位置感应器、相机控制器、中波长光源控制器和长波长光... 详细信息

标准号: CN117423631A

本发明公开了一种TOPCon电池制备过程中的PL表征结构，包括检测箱，所述检测箱上连接有自动化基座，且自动化基座上设置有硅片；所述检测箱上固定安装有控制器，且控制器电性连接有位置感应器、相机控制器、中波长光源控制器和长波长光源控制器，所述中波长光源控制器连接有中波长激光器，长波长光源控制器连接有长波长激光器；所述相机控制器连接有相机，且相机控制器和相机之间连接有信号转换器。该发明光源模式解决了TOPCon结构电池中，因隧穿层、多晶硅层等影响，制程中的PL与电池EL成像不一致的现状，可直观的表现出TOPCon电池表面/整体的情况，可一次性生成两张或两张以上的图片，硅片正面/背面和整体的情况，对硅片/电池片进行全方位检测，方便技术人员更好的分析。

关键词：相机控制器控制器检测箱长波长光源控制器连接波长光源硅片相机自动化长波长激光器电池制备过程波长激光器控制器电性全方位检测位置感应器信号转换器表征结构电池表面多晶硅层光源模式硅片正面结构电池不一致电池片隧穿层一次性制程成像背面电池直观表现分析图片

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大豆分离蛋白与染料木素共价作用对蛋白质表征、结构及其功能特性的影响

大豆分离蛋白与染料木素共价作用对蛋白质表征、结构及其功能特性...

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作者：吕思瑶吉林农业大学

学位级别：硕士

蛋白质是人体不可缺少的重要生物大分子,其结构会影响蛋白质的功能特性,进而在食品加工体系中发挥着至关重要的作用。由于多酚与蛋白质的共价作用会影响蛋白质结构,进而使食品的风味和营养发生改变。因此本文从大豆多种活性成分中选取... 详细信息

蛋白质是人体不可缺少的重要生物大分子,其结构会影响蛋白质的功能特性,进而在食品加工体系中发挥着至关重要的作用。由于多酚与蛋白质的共价作用会影响蛋白质结构,进而使食品的风味和营养发生改变。因此本文从大豆多种活性成分中选取了大豆分离蛋白和染料木素,探究二者共价作用对大豆分离蛋白的表征、结构及其功能特性(乳化性和凝胶性)的影响,从而为多酚-蛋白共价作用的相关理论进行补充,为食品体系中新型乳化剂和增稠剂的研发提供理论依据,为流失的大豆异黄酮再利用提供新的方向。首先,以大豆分离蛋白和染料木素为原料,在大豆分离蛋白溶液中分别加入不同质量浓度(1.2 mg/m L、1.5 mg/m L、2 mg/m L)的染料木素,制备出大豆分离蛋白与染料木素的共价复合物,探究二者的共价交联对蛋白表征和结构的影响。通过粒径、Zeta电位、浊度、表面疏水性的探究分析蛋白体系的表征特征变化,采用紫外分光光度计、荧光分光光度计、傅里叶红外光谱仪等光谱学技术分析蛋白体系的结构变化。结果表明,大豆分离蛋白与染料木素共价复合后,使蛋白的中位径减小,Zeta电位的绝对值增大,表面疏水性减小,总巯基减小。光谱分析发现染料木素对大豆分离蛋白有猝灭的效果,二者共价交联后蛋白质的色氨酸与酪氨酸残基所处的微环境疏水性减少,蛋白质二级结构中ɑ-螺旋含量增多、β-折叠含量减少、β-转角含量增多、无规则卷曲含量减少。这表明染料木素能够影响大豆分离蛋白的表征特征和结构,并且加入1.2 mg/m L的染料木素对大豆分离蛋白影响更显著,中位径减小37.6 um、Zeta电位的绝对值增加6.4 m V、表面疏水性减小100.5、总巯基减少11.1 umol/g。其次,制备了大豆分离蛋白与不同质量浓度(1.2 mg/m L、1.5 mg/m L、2 mg/m L)的染料木素的共价复合物乳液,探究二者的共价交联对蛋白乳化性的影响。通过乳液类型的判断、粒径分布、Zeta电位、乳层析指数、乳化活性、乳化稳定性及显微结构的测定,分析碱性条件下染料木素的加入对大豆分离蛋白的乳化性的改变。结果表明,大豆分离蛋白与染料木素共价结合后,复合乳液均为水包油乳液,蛋白粒径分布变小,中位径减小,Zeta电位的绝对值增大,乳层析指数减小,乳化活性与乳化稳定性均增加。说明共价复合乳液的体系更加稳定,染料木素与大豆分离蛋白共价交联后提高了蛋白的乳化性,并且加入1.2 mg/m L的染料木素时蛋白的乳化性更好,与对照组相比,中位径减少0.348um、Zeta电位的绝对值增加6.4 m V、乳层析指数降低21.3%。最后,制备了大豆分离蛋白与不同质量浓度(1.2 mg/m L、1.5 mg/m L、2 mg/m L)的染料木素的共价复合物乳液凝胶,探究二者的共价交联对蛋白凝胶性的影响。通过对凝胶持水性、凝胶强度、流变分析及微观结构的测定,分析染料木素与大豆分离蛋白共价交联后蛋白凝胶性的变化。结果表明,大豆分离蛋白与染料木素共价结合后,复合乳液凝胶的持水性、凝胶强度、弹性模量、黏性模量以及线性粘弹区均增加,微观结构更加均一光滑。由此可见,在碱性条件下,向大豆分离蛋白中加入染料木素可以有效地提高大豆分离蛋白的凝胶性,并且加入1.2 mg/m L的染料木素时蛋白的凝胶性更好,与对照组相比,持水性增加12.4%、凝胶强度增加12.4 g。

关键词：大豆分离蛋白染料木素共价交联表征结构功能特性

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界面缺陷表征结构及界面缺陷检测装置

界面缺陷表征结构及界面缺陷检测装置

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作者：杨盛玮韩坤 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种界面缺陷表征结构及界面缺陷检测装置。所述界面缺陷表征结构包括：衬底；栅介质层，位于所述衬底表面；栅极层，包括位于所述栅介质层表面的第一栅极层和位于所述栅介质层沿沟道宽度方... 详细信息

标准号: CN208674068U

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种界面缺陷表征结构及界面缺陷检测装置。所述界面缺陷表征结构包括：衬底；栅介质层，位于所述衬底表面；栅极层，包括位于所述栅介质层表面的第一栅极层和位于所述栅介质层沿沟道宽度方向上的相对两侧的第二栅极层，所述第一栅极层与所述第二栅极层掺杂的离子类型相反。本实用新型能够有效的表征栅介质层与栅极层接触界面的缺陷密度。

关键词：栅极层栅介质层界面缺陷本实用新型表征结构半导体制造技术沟道宽度方向衬底表面检测装置离子类型相对两侧掺杂的衬底

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一种用于柱面内爆压缩下材料金属化相变表征结构及方法

一种用于柱面内爆压缩下材料金属化相变表征结构及方法

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作者：周中玉谷卓伟唐小松张旭平匡学武李建明袁红谭福利孙承纬 621000 四川省绵阳市绵山路64号

标准号: CN113960376A

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界面缺陷表征结构的形成方法

界面缺陷表征结构的形成方法

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作者：杨盛玮韩坤 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种界面缺陷表征结构的形成方法。所述界面缺陷表征结构的形成方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有一栅介质层；形成栅极层于所述衬底上，所述栅极层包括位于所述栅介质层表面的第... 详细信息

标准号: CN109300878A

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种界面缺陷表征结构的形成方法。所述界面缺陷表征结构的形成方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有一栅介质层；形成栅极层于所述衬底上，所述栅极层包括位于所述栅介质层表面的第一栅极层和位于所述栅介质层沿沟道宽度方向上的相对两侧的第二栅极层，所述第一栅极层与所述第二栅极层掺杂的离子类型相反。本发明能够有效的表征栅介质层与栅极层接触界面的缺陷密度。

关键词：栅极层栅介质层表征结构界面缺陷衬底半导体制造技术沟道宽度方向衬底表面离子类型相对两侧掺杂的

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