检索结果-内蒙古大学图书馆

本论文针对碲镉汞长波探测器的要求，以制备高性能的长波碲镉汞探测器为目标，对碲镉汞弱p型长波材料、工艺及制备进行了较为深入的研究。本论文的主要结果如下:\n 1.通过器件仿真软件，对长波碲镉汞弱p型器件结构进行了仿真模拟，发现长波碲镉汞弱p型器件的电压响应率明显比长波碲镉汞n型器件要高。\n 2.通过长波碲镉汞弱p型材料和n型材料的变温变磁场霍尔测试，用迁移率谱的分析方法，发现弱p型材料在低温下表现为空穴导电占优。弱p材料的迁移率谱分析结果表明，在一定的条件下，如表面阳极氧化后，弱p型材料可能表现为电子电导占优，但是将氧化层去除后，弱p型材料又恢复了空穴电导占优。\n 3.利用传统光电导衰退法和微波反射光电导衰退法对长波碲镉汞材料的少数载流子寿命进行测试，结果表明传统光电导衰退法易受电极工艺的影响。通过微波反射光电导衰退法测试了不同厚度和不同表面工艺的碲镉汞材料的少子寿命。随着碲镉汞厚度的减小，碲镉汞表面对少子寿命的影响越来越大，表现为碲镉汞少子寿命测量值越来越小。对不同表面处理的碲镉汞少子寿命测试后通过拟合计算发现，抛光后表面复合速度约为12500cm/s，腐蚀后表面复合速度约为370cm/s，阳极氧化后表面速度约为1300cm/s。另外在对弱p型和n型碲镉汞材料变温测试发现弱p型材料在低温下主要受SRH复合限制，而n型材料受俄歇复合限制。此外发现由于弱p型材料的低温载流子浓度和迁移率的剧烈变化，导致弱p型材料的电压响应对温度十分敏感，即随着温度上升，弱p型材料的器件电压响应比n型材料更快下降。\n 4.通过椭圆偏振法来测试不同氧化条件下长波碲镉汞的阳极氧化层，发现恒定电流阶段，氧化层厚度随电压增加以5nm/V的速度增长。而在恒定电压阶段，氧化层随时间以0.01nm/s的速度生长。而且发现在阳极氧化过程中，恒压时间由0min到10min之间时，氧化层的折射率随着恒压时间变长也随之增大。但是恒压时间继续变长，折射率反而下降。通过制备MIS器件进行C-V测试，对HgCdTe的长波材料的表面特性进行了研究，得到ZnS/阳极氧化膜和碲镉汞界面的态密度达到了3.4×1011cm-2q-1V-1，阳极氧化膜的表面固定电荷密度为1.1×1012cm-2。通过在不同条件下制备阳极氧化膜后的MIS器件的C-V测试，在阳极氧化膜和HgCdTe界面的慢界面较少，基本都是快界面态。随着氧化条件中恒压时间的变长，表面固定电荷有所减小。\n 5.通过氩离子刻蚀在长波碲镉汞弱p型材料的电极区形成反型。弱p型材料的n型电极提高了器件的等效少子寿命。另外通过器件模拟和制备发现n型电极区对器件性能的提高也有一定的作用。

关键词：航天工程碲镉汞材料红外光导探测器迁移率谱少数载流子寿命表面固定电荷

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一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法

一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法

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作者：孙德福李东华 250014 山东省济南市历下区和平路51号

本发明提供了一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法，所述终端结构包括N‑型半导体漂移区，N‑型半导体漂移区包括P型半导体主结、P型半导体场限环、P‑型半导体VLD区和N+型半导体场限环，P型半导体场限环与P‑型半导体VLD区的一... 详细信息

标准号: CN114141858A

本发明提供了一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法，所述终端结构包括N‑型半导体漂移区，N‑型半导体漂移区包括P型半导体主结、P型半导体场限环、P‑型半导体VLD区和N+型半导体场限环，P型半导体场限环与P‑型半导体VLD区的一侧相互连接，P‑型半导体VLD区的结深大于P型半导体主结的结深；相对于传统半导体终端结构，本发明可实现更稳定的击穿电压、更低的漏电水平和更短的终端尺寸，且不易受制造工艺线引入的表面固定电荷影响。

关键词：半导体终端结构场限环半导体漂移区结深主结表面固定电荷传统半导体漏电击穿电压制造工艺掺杂的制备终端引入

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具有深沟槽的埋层终端及其制造方法

具有深沟槽的埋层终端及其制造方法

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作者：李伟聪伍济 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种具有深沟槽的埋层终端及其制造方法，包括半导体衬底，设于半导体衬底顶层的半导体漂移区，半导体漂移区的顶部设有半导体主结以及半导体场限环，在半导体漂移区内且位于半导体主结和半导体场限环... 详细信息

标准号: CN115863394A

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种具有深沟槽的埋层终端及其制造方法，包括半导体衬底，设于半导体衬底顶层的半导体漂移区，半导体漂移区的顶部设有半导体主结以及半导体场限环，在半导体漂移区内且位于半导体主结和半导体场限环之间设有若干个深沟槽结构，若干个深沟槽结构之间离子注入有半导体轻掺杂区；绝缘介质层，设于半导体漂移区的上表面且覆盖深沟槽结构，绝缘介质层延展至半导体主结和半导体场限环；阳极场板，连接于半导体主结的上表面且与绝缘介质层部分接触；金属场板，连接于半导体场限环的上表面且与绝缘介质层部分接触。本申请实现了更小的终端尺寸，不易受到表面固定电荷影响，尤其适用于高压终端结构。

关键词：半导体绝缘介质层场限环主结半导体漂移区深沟槽结构上表面衬底半导体技术领域表面固定电荷漂移终端高压终端金属场板轻掺杂区阳极场板深沟槽顶层埋层延展申请离子覆盖制造

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复合终端结构

复合终端结构

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作者：李伟聪林泳浩姜春亮王雯沁 519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇软件园路1号会展中心1#四层5单元

本申请公开一种复合终端结构，该复合终端结构包括N‑型半导体漂移区，N‑型半导体漂移区包括P型半导体场限环、P‑型半导体VLD区和N+型半导体场限环，P‑型半导体VLD区的一侧面与P型半导体场限环的部分另一侧面共面，P型半导体场限环的宽... 详细信息

标准号: CN215183974U

本申请公开一种复合终端结构，该复合终端结构包括N‑型半导体漂移区，N‑型半导体漂移区包括P型半导体场限环、P‑型半导体VLD区和N+型半导体场限环，P‑型半导体VLD区的一侧面与P型半导体场限环的部分另一侧面共面，P型半导体场限环的宽度大于或等于N+型半导体场限环的宽度；P‑型半导体VLD区中的掺杂离子的浓度小于P型半导体场限环中的掺杂离子的浓度；一个或间隔的多个第一场板，自P‑型半导体VLD区的上表面向外延伸，第一场板覆盖绝缘介质层的部分上表面并填充接触孔。相对于传统VLD终端，本申请可实现在高温下可靠性更好，不易受制造工艺线引入的表面固定电荷影响。

关键词：场限环半导体半导体漂移区掺杂离子复合终端上表面场板表面固定电荷绝缘介质层填充接触孔侧面共面制造工艺申请终端侧面延伸引入覆盖

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复合终端结构及其制备方法

复合终端结构及其制备方法

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作者：李伟聪林泳浩姜春亮王雯沁 519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇软件园路1号会展中心1#四层5单元

本申请公开一种复合终端结构及其制备方法，该复合终端结构包括N‑型半导体漂移区，N‑型半导体漂移区包括P型半导体场限环、P‑型半导体VLD区和N+型半导体场限环，P‑型半导体VLD区的一侧面与P型半导体场限环的部分另一侧面共面，N+型半导... 详细信息

标准号: CN113314599B

本申请公开一种复合终端结构及其制备方法，该复合终端结构包括N‑型半导体漂移区，N‑型半导体漂移区包括P型半导体场限环、P‑型半导体VLD区和N+型半导体场限环，P‑型半导体VLD区的一侧面与P型半导体场限环的部分另一侧面共面，N+型半导体场限环的另一侧面与所述N‑型半导体漂移区的另一侧面齐平；P‑型半导体VLD区中的掺杂离子的浓度小于P型半导体场限环中的掺杂离子的浓度；一个或间隔的多个第一场板，自P‑型半导体VLD区的上表面向外延伸，第一场板覆盖绝缘介质层的部分上表面并填充接触孔。相对于传统VLD终端，本申请可实现在高温下可靠性更好，不易受制造工艺线引入的表面固定电荷影响。

关键词：半导体场限环半导体漂移区掺杂离子复合终端上表面侧面场板表面固定电荷绝缘介质层填充接触孔侧面共面制造工艺齐平申请制备终端引入延伸覆盖

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复合终端结构及其制备方法

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作者：李伟聪林泳浩姜春亮王雯沁 519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇软件园路1号会展中心1#四层5单元

标准号: CN113314599A

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