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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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46 篇 专利
3 篇 期刊文献
2 篇 成果
1 篇 学位论文

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学科分类号

6 篇 工学
- 5 篇 电子科学与技术（可...
- 2 篇 材料科学与工程（可...
- 1 篇 化学工程与技术
1 篇 理学
- 1 篇 物理学
- 1 篇 化学

主题

6 篇 表面波器件
1 篇 fh参变量
1 篇 谐振器
1 篇 氧化锌
1 篇 zno薄膜
1 篇 纳米材料
1 篇 千兆赫场
1 篇 生产工艺
1 篇 太阳能电池
1 篇 耦合模模型(com)
1 篇 表面涂料产品
1 篇 荧光产品
1 篇 压电陶瓷基片
1 篇 al薄膜
1 篇 aln薄膜
1 篇 射频磁控溅射法
1 篇 弹性
1 篇 移动通信
1 篇 网络通信
1 篇 抗紫外线产品

机构

7 篇 中国科学院声学研...
5 篇 中国电子科技集团...
3 篇 电子科技大学
3 篇 天津理工大学
2 篇 西安交通大学
2 篇 江苏大学
2 篇 中国科学院深圳先...
2 篇 长春气象仪器研究...
2 篇 中国科学院上海微...
2 篇 中国人民解放军理...
2 篇 无锡市好达电子有...
2 篇 株式会社村田制作...
1 篇 长安大学
1 篇 北方电讯网络有限...
1 篇 信息产业部电子第...
1 篇 中电科技集团重庆...
1 篇 中国电子科技集团...
1 篇 常熟市华通电子有...
1 篇 中北大学
1 篇 埃普科斯股份有限...

作者

6 篇 薛蓄峰
6 篇 王文
5 篇 董加和
4 篇 梁勇
3 篇 伍平
3 篇 蒋欣
3 篇 米佳
3 篇 赵雪梅
3 篇 刘梦伟
2 篇 肖强
2 篇 潘虹芝
2 篇 刘晓宇
2 篇 马晋毅
2 篇 朱勇
2 篇 孟龙
2 篇 王毅坚
2 篇 冷俊林
2 篇 张月清
2 篇 姜建利
2 篇 杨长业

语言

52 篇 中文

检索条件"主题词=表面波器件"

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详细简洁

排序：

表面波器件的ZnO/Al/AlN/Si基片制备研究

表面波器件的ZnO/Al/AlN/Si基片制备研究

引用

作者：张倩天津理工大学

学位级别：硕士

ZnO薄膜在c轴方向具有较低有效介电常数、较高机电耦合系数，但是声表面波波速较低;AlN薄膜虽然具有较高的声表面波速，但是介电常数和机电耦合系数均低于ZnO薄膜。为了使ZnO和AlN薄膜结合的ZnO/AlN/Si多层膜能发挥出最大优势，而显著提... 详细信息

ZnO薄膜在c轴方向具有较低有效介电常数、较高机电耦合系数，但是声表面波波速较低;AlN薄膜虽然具有较高的声表面波速，但是介电常数和机电耦合系数均低于ZnO薄膜。为了使ZnO和AlN薄膜结合的ZnO/AlN/Si多层膜能发挥出最大优势，而显著提高SAWD基片中压电薄膜的机电耦合系数和SAWD的传播速度，本文以ZnO/AlN/Si多层膜引入Al薄膜作为研究课题。采用金属薄膜作为缓冲层，主要是由于当两层基片材料在晶格匹配，热膨胀系数等方面的差别较大时，加入金属薄膜到中间层可以起到缓冲作用;使生长和降温过程中引起入的张应力得到一定程度的平衡，对生长结晶质量高的薄膜非常有利。\n 本文主要完成如下研究工作:\n 1.压电层膜厚的研究\n 压电薄膜的膜厚对其声表面波传播速度和机电耦合系数(K2)都有影响。推导了以fH(f:声表面波的频率H:压电薄膜的膜厚)作为参变量计算压电薄膜的K2和声表面波波速的方法。探讨了确定ZnO/Al/AlN/Si多层压电结构中ZnO膜厚的方法\n ***/Al/AlN/Si中Al膜对ZnO薄膜的性能的影响研究\n 采用射频磁控溅射法及真空蒸镀法制备出ZnO/AlN/Si和ZnO/Al/AlN/Si样品，用XRD、SEM测试手段对薄膜进行表征。并从ZnO薄膜的形貌，结构等方面将ZnO/Al/AlN/Si多层压电结构与ZnO/AlN/Si结构做出对比分析。结果表明:加入Al膜后样品的K2值有所提高，其中最大提高幅度为21.42％;样品的表面光滑平整，晶粒尺寸均匀且晶粒致密度高;ZnO(002)衍射峰的FWHM值降低，反映了ZnO薄膜的c轴择优取向性得到增强。\n 3.研究ZnO/Al/AlN/Si中Al膜最佳厚度\n 通过不同厚度的Al薄膜对ZnO薄膜各项性能的影响研究可知，Al膜膜厚为100nm的复合膜的K2值提高幅度最大(21.42％);含有Al膜样品的表面平整度有所提高，同时晶粒尺寸从无Al膜样品的15nm提高到了Al膜膜厚为100nm的复合膜的33nm;ZnO(002)衍射峰的FWHM值整体降低，表明ZnO薄膜的c轴取向度有所提高。综上所述，Al膜的最佳厚度为100nm.

关键词： ZnO薄膜 AlN薄膜 Al薄膜射频磁控溅射法 fH参变量表面波器件

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日本TDK公司开发的弹性表面波器件用压电陶瓷基片

引用

磁与瓷通讯 1991年第2期 12-13页

作者：田春旗

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网络通信通信用声表面波器件

网络通信通信用声表面波器件

引用

声表面波(SAW)器件是六十年代末期发展起来的一种固态电子学器件，其基本结构是压电晶片和在其表面制作的两个叉指换能器。基本工作原理是输入换能器利用晶体的逆压电效应将电信号变换成SAW，沿晶体表面传播，第二个换能器利用压电效应... 详细信息

标准号: 0300610242

声表面波(SAW)器件是六十年代末期发展起来的一种固态电子学器件，其基本结构是压电晶片和在其表面制作的两个叉指换能器。基本工作原理是输入换能器利用晶体的逆压电效应将电信号变换成SAW，沿晶体表面传播，第二个换能器利用压电效应将声信号变换成电信号。它的功能是用SAW对电信号进行处理，包括滤波、延时、脉冲压缩、相关、卷机等功能。由于它体积小、重量轻、性能优异、一致性好，特别它采用半导体平面工艺制造，适合于大批量生产，从诞生以来获得飞速发展，被广泛应用于雷达、电子对抗、航空航天、广播电视、通信等领域。最近几年，由于移动通信的飞速发展，SAW又掀起一个新的研究高潮。研究热点是低播损SAW滤波器。SAW滤波器体积小、重量轻，是陶瓷介质滤波器的1/40和1/30。适应了移动通讯微型化的发展方向，是三大关键之器件之一。国际市场上供不应求。由于移动通讯的巨大需求，SAW器件的应用领域将由电视机占主体(58％)转为通讯占主体(39％)，电视下降为19％。中国移动电话的发展异常迅速。2000年，用户总数将达到7150万户左右，预计2001年用户总数将超过1亿户，普及率8％左右，而发达国家普及率在30％以上，市场潜力巨大，预计2、3年之内，国产手机将占领50％的市场。按今年新增3200万户用户计算，加上10％的换机率，至少手机达到每年2500万部，每部手机需用3-5只SAW器件，每年至少1亿只，按平均每只10元价格计算，年产值在10亿元左右。

关键词：移动通信网络通信表面波器件

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千兆赫场声表面波器件批量生产技术

千兆赫场声表面波器件批量生产技术

引用

该成果开发了频率在线控制；铝膜均匀性控制；器件设计预补偿技术，完成了最小分辨率尺寸0.6μm的压电基片电极图形制作技术与1μm声表面波器件3英寸批量生产技术开发。该成果整体生产技术水平居国内领先，批量生产的ND系列金属外壳封... 详细信息

标准号: 0300330046

该成果开发了频率在线控制；铝膜均匀性控制；器件设计预补偿技术，完成了最小分辨率尺寸0.6μm的压电基片电极图形制作技术与1μm声表面波器件3英寸批量生产技术开发。该成果整体生产技术水平居国内领先，批量生产的ND系列金属外壳封存装器件，性能达到国外同类器件水平，产品规范与国外产品相当。

关键词：千兆赫场表面波器件生产工艺

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宽带激励声表面波器件谐振频率测量装置及方法

宽带激励声表面波器件谐振频率测量装置及方法

引用

作者：胡利宁 210022 江苏省南京市秦淮区秦虹路秦虹小区怡馨花园

一种宽带激励声表面波器件谐振频率的测量装置，通过FPGA产生宽带调制信号与本振器的本振信号经混频器混频产生射频信号，再经功率放大器放大后由天线发射出，声表面波器件吸收与其谐振频率相近的信号后反射至天线，并向信号接收单元输... 详细信息

标准号: CN103777073A

一种宽带激励声表面波器件谐振频率的测量装置，通过FPGA产生宽带调制信号与本振器的本振信号经混频器混频产生射频信号，再经功率放大器放大后由天线发射出，声表面波器件吸收与其谐振频率相近的信号后反射至天线，并向信号接收单元输送，信号接收单元通过接收机输出中频信号和RSSI信号，A/D处理器对中频信号和RSSI信号进行采样，信号处理单元将RSSI信号与信号强度指定值进行比较，如果RSSI信号大于指定值，信号处理单元对中频信号进行FFT变换处理从而计算出声表面波器件的谐振频率。本发明可同时发射具有多个频点能量的射频信号，使得在一个收发周期内就可完成声表面波器件的谐振频率测量，测量速度快。

关键词：谐振频率声表面波器件中频信号信号处理单元信号接收单元射频信号天线宽带调制信号表面波器件功率放大器混频器混频接收机本振信号测量速度测量装置多个频点宽带激励收发周期同时发射信号强度采样处理器变换放大大于发射

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一种防止声表面波器件在温度试验中静电烧伤的方法

一种防止声表面波器件在温度试验中静电烧伤的方法

引用

作者：赵雪梅刘光聪董加和周毅夏艳鄢秋娟张静雯蒋欣冷俊林伍平 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

本发明公开了一种防止声表面波器件在温度试验中静电烧伤的方法，先将声表面波器件放入导电容器中，然后加入导电介质以将声表面波器件完全填埋，再盖上导电容器盖，最后将导电容器放入温度试验装置，使声表面波器件在整个温度试验过程... 详细信息

标准号: CN103698642B

本发明公开了一种防止声表面波器件在温度试验中静电烧伤的方法，先将声表面波器件放入导电容器中，然后加入导电介质以将声表面波器件完全填埋，再盖上导电容器盖，最后将导电容器放入温度试验装置，使声表面波器件在整个温度试验过程中有效接地。取出时，先将声表面波器件冷却至室温，然后将导电容器取出，将导电介质和声表面波器件通过导电筛网分离即可。本发明使输入、输出电极与接地电极在整个温度试验过程中有效电连通，彻底避免静电积累造成器件烧伤。本方法不需要专用夹具，操作简单方便，成本低，原材料具有通用性，防护效果显著。

关键词：声表面波器件导电容器温度试验导电介质放入烧伤取出温度试验装置表面波器件导电筛网防护效果接地电极静电积累输出电极有效接地专用夹具静电不需要成本低电连通盖上填埋一种和声冷却防止公开加入完全有效

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压电陶瓷和使用该压电陶瓷的表面波器件

压电陶瓷和使用该压电陶瓷的表面波器件

引用

作者：堀川胜弘松原晃司日本京都府

本发明提供了一种压电陶瓷，它具有非常低的损耗，并在微型制造中具有出众的可加工性。压电陶瓷至少包含有铅，锰，铌，钛，和锆作为主要金属成份；其中，由化学式Pbx{(MnaNbb)yTizZr(1-y-z)}O3表示压电陶瓷的组成物，其中，在摩尔基础... 详细信息

标准号: CN1203491C

本发明提供了一种压电陶瓷，它具有非常低的损耗，并在微型制造中具有出众的可加工性。压电陶瓷至少包含有铅，锰，铌，钛，和锆作为主要金属成份；其中，由化学式Pb_x{(Mn_aNb_b)_yTi_zZr_(1-y-z)}O₃表示压电陶瓷的组成物，其中，在摩尔基础上，0.95≤x≤0.995，0.055≤y≤0.10，0.40≤z≤0.55，2.01≤b/a≤2.40，并且a+b＝1。另外，烧结的压电陶瓷的平均晶粒直径为2um或更小。本发明还提供一种包含上述压电陶瓷的表面波器件。

关键词：压电陶瓷平均晶粒直径表面波器件金属成份摩尔基础微型制造烧结加工性组成物

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宽带激励声表面波器件谐振频率测量装置及方法

宽带激励声表面波器件谐振频率测量装置及方法

引用

作者：胡利宁 210022 江苏省南京市秦淮区秦虹路秦虹小区怡馨花园

标准号: CN103777073B

关键词：声表面波器件谐振频率中频信号信号处理单元信号接收单元射频信号宽带调制信号谐振频率测量表面波器件功率放大器接收机输出本振信号测量装置宽带激励天线发射本振器混频器采样混频频点反射天线收发测量放大发射吸收

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基于负泊松比磁致伸缩衬底的磁电声表面波器件

基于负泊松比磁致伸缩衬底的磁电声表面波器件

引用

作者：白飞明姜建利彭超逸张怀武 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

一种基于负泊松比磁致伸缩衬底的磁电声表面波器件，属于电子信息功能材料与器件技术领域。所述磁电声表面波器件包括磁致伸缩衬底、压电薄膜和叉指换能器，磁致伸缩衬底为具有负泊松比和拉胀效应的磁致伸缩材料，其厚度大于2倍声表面... 详细信息

标准号: CN108470825A

一种基于负泊松比磁致伸缩衬底的磁电声表面波器件，属于电子信息功能材料与器件技术领域。所述磁电声表面波器件包括磁致伸缩衬底、压电薄膜和叉指换能器，磁致伸缩衬底为具有负泊松比和拉胀效应的磁致伸缩材料，其厚度大于2倍声表面波波长。本发明提供的磁电声表面波器件中，采用具有负泊松比和拉胀效应的磁致伸缩块材作为磁致伸缩衬底，衬底厚度可达到毫米级别，有效改善了对压电薄膜厚度的限制；本发明提供的磁电声表面波器件在获得优良取向的压电薄膜的同时，可显著提高器件的工作中心频率f₀，使得后端频率计数器能更加准确地测试中心频率随磁场的变化，有利于提高磁场探测的灵敏度。

关键词：磁致伸缩衬底表面波器件压电薄膜泊松比磁致伸缩材料工作中心频率器件技术领域声表面波波长叉指换能器频率计数器测试中心磁场探测电子信息功能材料毫米级别灵敏度块材取向磁场

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LiNbO₃/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件及其制备方法

LiNbO<Sub>3</Sub>/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件及其制备方...

引用

作者：杨保和陈希明熊瑛徐晟孙大智李明 300191 天津市南开区红旗路263号

本发明公开了一种LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件及制备方法。所说的多层膜结构声表面波器件是在CVD金刚石膜和LiNbO3薄膜之间有高C-轴择优取向的纳米ZnO中间层。这种LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件的制备方法，是... 详细信息

标准号: CN100468965C

本发明公开了一种LiNbO₃/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件及制备方法。所说的多层膜结构声表面波器件是在CVD金刚石膜和LiNbO₃薄膜之间有高C-轴择优取向的纳米ZnO中间层。这种LiNbO₃/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件的制备方法，是在CVD金刚石膜表面溅射高C-轴择优取向的纳米ZnO薄膜，而后在纳米ZnO薄膜表面溅射高C-轴择优取向的LiNbO₃薄膜。本发明的有益效果是：采用高C-轴择优取向的纳米ZnO作为CVD金刚石和LiNbO₃薄膜之间的中间层，可得到平整光滑、结晶度好的高C-轴择优取向的优质LiNbO₃纳米膜。该薄膜结构可满足高频、高机电耦合系数、大功率声表面波(SAW)器件等领域的应用需求。

关键词：取向纳米ZnO 薄膜表面波器件金刚石多层膜结构声制备方法中间层溅射机电耦合系数金刚石膜表面薄膜表面薄膜结构金刚石膜应用需求结晶度纳米膜光滑平整

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