检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

21 篇 专利

馆藏范围

21 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

4 篇 阿库斯蒂斯有限公...
2 篇 soraa有限公司
2 篇 丹麦技术大学
2 篇 肖特玻璃科技有限...
2 篇 马维尔亚洲私人有...
1 篇 住友电气工业株式...
1 篇 新加坡恒立私人有...
1 篇 福建晶安光电有限...
1 篇 七边形微光学私人...
1 篇 株式会社自动网络...
1 篇 住友电装株式会社
1 篇 英特尔公司
1 篇 颖飞公司
1 篇 美国石膏公司
1 篇 三星显示有限公司
1 篇 欧若拉运营公司

作者

4 篇 杰弗里·b·希利
3 篇 马克·帕特森
3 篇 丁亮
3 篇 拉达克里希南·l·纳...
3 篇 罗伯托·科乔利
2 篇 h.鲁德曼恩
2 篇 m.巴格
2 篇 r·理拜德
2 篇 和峰
2 篇 埃里克·m·霍尔
2 篇 y·a·a·努尔
2 篇 马克·p·德伊夫林
2 篇 钱鹏翔
2 篇 詹姆斯·w·拉林
2 篇 后运飞
2 篇 h·勒谭
2 篇 王冲
1 篇 安德鲁·斯泰尔·迈...
1 篇 n·桑德拉拉珍
1 篇 阿希什·迪贝

语言

21 篇 中文

检索条件"主题词=衬底构件"

共 21 条记录，以下是1-10 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

在半导体衬底构件中实现的功率变换器

在半导体衬底构件中实现的功率变换器

引用

作者： Y·A·A·努尔 H·勒谭丹麦灵比

一种在半导体衬底构件(101)上实现的功率变换器，诸如DC‑DC变换器或功率放大器，该功率变换器包括：第一区域(102)，该第一区域具有无源电气部件(104)，该无源电气部件具有沉积在半导体衬底构件的相应侧(107、108)上的导电材料的第一导... 详细信息

标准号: CN111788645B

一种在半导体衬底构件(101)上实现的功率变换器，诸如DC‑DC变换器或功率放大器，该功率变换器包括：第一区域(102)，该第一区域具有无源电气部件(104)，该无源电气部件具有沉积在半导体衬底构件的相应侧(107、108)上的导电材料的第一导电层图案(105)和导电材料的第二导电层图案(106)；其中，在第一区域内的衬底中(通过蚀刻)形成沟槽(109)或通孔(110)，并且其中，导电材料至少沉积在沟槽的底部上或通孔的侧壁上，并且电连接至第一导电层图案(105)和第二导电层图案(106)中的一个或两个；以及第二区域(103)，该第二区域具有通过半导体制造工艺制造而与半导体衬底(101)集成的有源半导体部件(111)。还提供了一种嵌入半导体衬底构件的电源，诸如DC‑DC变换器。

关键词：半导体衬底构件导电材料第一区域图案第二导电层第一导电层功率变换器第二区域电气部件衬底通孔无源沉积半导体制造工艺蚀刻半导体部件功率放大器电连接侧壁嵌入电源制造

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

在半导体衬底构件中实现的功率变换器

在半导体衬底构件中实现的功率变换器

引用

作者： Y·A·A·努尔 H·勒谭丹麦灵比

标准号: CN111788645A

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种组合型LED蓝宝石衬底构件

一种组合型LED蓝宝石衬底构件

引用

作者：陈铭欣林木榕谢斌晖林永春 362411 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园

本实用新型公开了一种组合型LED蓝宝石衬底构件，包括外延层、中间固定层和固定底座，所述外延层固定在中间固定层上端，且外延层包括固定卡件和固定台，所述外延层两侧的上端安装有固定台，且固定台上端安装有固定卡件，所述固定卡件... 详细信息

标准号: CN206003795U

本实用新型公开了一种组合型LED蓝宝石衬底构件，包括外延层、中间固定层和固定底座，所述外延层固定在中间固定层上端，且外延层包括固定卡件和固定台，所述外延层两侧的上端安装有固定台，且固定台上端安装有固定卡件，所述固定卡件之间固定有碳化硅薄片，且碳化硅薄片中部的上表面固定有碳化硅固定片，所述中间固定层由波浪型凸纹、折光芯和V型折光槽组成，所述折光芯固定在中间固定层内部，且折光芯内部设有V型折光槽，所述固定底座安装在中间固定层下端，且固定底座由防磨垫和固定槽组成，所述固定底座下端设有固定槽。本实用新型采用分层组合技术，将LED蓝宝石衬底与其他材料和零件相结合，弥补了LED蓝宝石衬底导热性和导电性差的缺点。

关键词：折光中间固定层固定底座外延层固定卡件本实用新型碳化硅薄片固定槽固定台上端衬底下端导热性导电性衬底构件分层组合其他材料波浪型防磨垫固定片上表面碳化硅组合型凸纹

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

配置有晶体声谐振器设备的集成电路

配置有晶体声谐振器设备的集成电路

引用

作者：杰弗里·B·希利美国北卡罗来纳州

一种可配置的单晶声谐振器(SCAR)设备集成电路。该电路包括标号从1到N的多个SCAR设备，其中，N为2和大于2的整数。每个SCAR设备具有形成为覆盖衬底构件的表面区域的一定厚度的单晶压电材料。该单晶压电材料的特征是小于1012缺陷/cm2的... 详细信息

标准号: CN106575957B

一种可配置的单晶声谐振器(SCAR)设备集成电路。该电路包括标号从1到N的多个SCAR设备，其中，N为2和大于2的整数。每个SCAR设备具有形成为覆盖衬底构件的表面区域的一定厚度的单晶压电材料。该单晶压电材料的特征是小于10¹²缺陷/cm²的位错密度。

关键词：单晶压电材料衬底构件可配置的声谐振器单晶位错集成电路电路覆盖

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用于LIDAR传感器的硅光子设备及制造方法

用于LIDAR传感器的硅光子设备及制造方法

引用

作者：林森安德鲁·斯泰尔·迈克尔斯美国宾夕法尼亚州

一种用于LIDAR的硅光子设备的结构包括第一绝缘结构和第二绝缘结构，该第一绝缘结构和该第二绝缘结构设置在覆盖衬底构件的一个或多个蚀刻硅结构上方。金属层设置在第一绝缘结构上方，而没有预先沉积扩散屏障和粘附层。薄绝缘结构设置... 详细信息

标准号: CN117651881A

一种用于LIDAR的硅光子设备的结构包括第一绝缘结构和第二绝缘结构，该第一绝缘结构和该第二绝缘结构设置在覆盖衬底构件的一个或多个蚀刻硅结构上方。金属层设置在第一绝缘结构上方，而没有预先沉积扩散屏障和粘附层。薄绝缘结构设置在第二绝缘结构上方。金属层、第一绝缘结构和所述一个或多个蚀刻硅结构的第一构造形成自由空间耦合器。第二绝缘结构上方的薄绝缘结构的第二构造形成边缘耦合器。

关键词：绝缘结构蚀刻薄绝缘硅结构金属层自由空间耦合边缘耦合衬底构件光子设备结构设置粘附层沉积屏障扩散覆盖

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

光电子模块和用于制造该光电子模块的方法

光电子模块和用于制造该光电子模块的方法

引用

作者： H.鲁德曼恩 M.巴格新加坡新加坡市

提出了一种用于制造设备（1）的方法。该设备包括至少一个光电子模块（1），并且该方法包括创建包括衬底晶片（PW）和光学晶片（OW）的晶片堆（2）；其中，大量有源光学部件（E）被安装在衬底晶片（PW）上，并且光学晶片（OW）包括大量... 详细信息

标准号: CN103858230B

提出了一种用于制造设备（1）的方法。该设备包括至少一个光电子模块（1），并且该方法包括创建包括衬底晶片（PW）和光学晶片（OW）的晶片堆（2）；其中，大量有源光学部件（E）被安装在衬底晶片（PW）上，并且光学晶片（OW）包括大量无源光学部件（L）。光电子模块（1）中的每个包括有源光学部件（E）中的至少一个和无源光学部件（L）中的至少一个。光学晶片（OW）能够包括称为阻挡部分的对于至少特定波长范围而言至少基本上不透明的至少一个部分和称为透明部分的对于至少所述特定波长范围而言至少基本上不透明的至少一个其它部分。所述光电子模块包括衬底构件；光学构件；安装在所述衬底构件上的至少一个有源光学部件；以及包括在所述光学构件中的至少一个无源光学部件。所述光学构件（OW）被直接地或间接地固定于所述衬底构件（PW）。所述光电子模块（1）能够在尺寸方面小且具有高对准准确度的同时具有优良的可制造性。

关键词：光电子模块无源光学部件衬底构件光学部件光学构件光学晶片衬底晶片不透明波长可制造性制造设备准确度晶片堆对准阻挡透明创建

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

线束

线束

引用

作者：滨本直也桥本大辅清水武史日本国三重县四日市市西末广町1番14号

根据本公开的一个方式的线束(11)具备：第1屏蔽电线12以及第2屏蔽电线(13、14)，具有芯线(12a～14a)和覆盖该芯线(12a～14a)的外周的电磁屏蔽构件(12c～14c)；压接端子(15)，将多个芯线(12a～14a)彼此连接；绝缘构件(16)，覆盖压接端子(... 详细信息

标准号: CN118044083A

根据本公开的一个方式的线束(11)具备：第1屏蔽电线12以及第2屏蔽电线(13、14)，具有芯线(12a～14a)和覆盖该芯线(12a～14a)的外周的电磁屏蔽构件(12c～14c)；压接端子(15)，将多个芯线(12a～14a)彼此连接；绝缘构件(16)，覆盖压接端子(15)的外周；衬底构件(17)，覆盖绝缘构件(16)的外周；金属管(18)，覆盖衬底构件(17)的外周；止水栓(19、20)，设置于金属管(18)的长度方向的端部侧。金属管(18)在金属管(18)的长度方向的中间部具有屏蔽连接部(18a)，该屏蔽连接部(18a)向径向内侧突出，在与衬底构件(17)夹住电磁屏蔽构件(12c～14c)的同时与该电磁屏蔽构件(12c～14c)连接。

关键词：金属管外周电磁屏蔽构件衬底构件芯线屏蔽连接部绝缘构件屏蔽电线压接端子覆盖彼此连接止水栓中间部夹住线束

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

集成光收发器、紧凑型光引擎以及多通道光引擎

集成光收发器、紧凑型光引擎以及多通道光引擎

引用

作者：丁亮马克·帕特森罗伯托·科乔利拉达克里希南·L·纳加拉扬新加坡新加坡城

本发明涉及集成光收发器、紧凑型光引擎以及多通道光引擎。该紧凑型光引擎包括单个衬底以集成多个光电模块。每个光电模块包括基于硅光子平台的集成光收发器，其中，传输路径被配置为输出以四个CWDM波长为中心并且来自四个激光装置的四... 详细信息

标准号: CN112925069B

本发明涉及集成光收发器、紧凑型光引擎以及多通道光引擎。该紧凑型光引擎包括单个衬底以集成多个光电模块。每个光电模块包括基于硅光子平台的集成光收发器，其中，传输路径被配置为输出以四个CWDM波长为中心并且来自四个激光装置的四个光信号，并且通过由驱动器芯片驱动的四个调制器分别调制该四个光信号并且递送复用的传输光。接收路径包括：光电检测器，用于检测从入射光解复用的四个输入信号；以及跨阻抗放大器芯片，用于处理从所检测到的四个输入信号转换的电信号。多通道光引擎是通过将开关装置与多个紧凑型光引擎共同集成或共同安装在公共衬底构件上来形成的，以提供具有中间距离或短距离电互连的高达51.2Tbit/s的数据通信总容量。

关键词：光引擎集成光收发器光电模块多通道跨阻抗放大器输入信号转换光电检测器驱动器芯片衬底构件传输路径激光装置接收路径数据通信中间距离递送传输光电互连调制器解复用入射光总容量波长检测光子衬底复用调制芯片驱动输出配置

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

单片滤波器梯形网络及其制造方法

单片滤波器梯形网络及其制造方法

引用

作者：杰弗里·B·希利美国北卡罗来纳州

本发明涉及单片滤波器梯形网络及其制造方法。该单片滤波器梯形网络包括配置在公共衬底构件上的标号从R1到RN的多个SCAR设备，其中，N为大于1的整数。每个SCAR设备包括具有表面区域和一厚度的材料的体衬底结构、以及形成为覆盖所述表面... 详细信息

标准号: CN110912529A

本发明涉及单片滤波器梯形网络及其制造方法。该单片滤波器梯形网络包括配置在公共衬底构件上的标号从R1到RN的多个SCAR设备，其中，N为大于1的整数。每个SCAR设备包括具有表面区域和一厚度的材料的体衬底结构、以及形成为覆盖所述表面区域的一厚度的单晶压电材料，该单晶压电材料的特征是小于10¹²缺陷/cm²的位错密度。每个SCAR设备还包括：第一电极构件、第二电极构件、第一电极结构、第二电极结构、介电材料以及声反射器结构。

关键词：单晶压电材料单片滤波器第二电极梯形网络第一电极结构衬底构件衬底结构第一电极介电材料声反射器位错覆盖配置制造

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

集成光收发器、紧凑型光引擎以及多通道光引擎

集成光收发器、紧凑型光引擎以及多通道光引擎

引用

作者：丁亮马克·帕特森罗伯托·科乔利拉达克里希南·L·纳加拉扬新加坡城

标准号: CN117997434A

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共3页 << < 1 2 3 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：