检索结果-内蒙古大学图书馆

电子器件 2016年第6期39卷 1302-1308页

作者：周文勇刘军汪洁杭州电子科技大学"射频电路与系统"教育部重点实验室杭州310027

衬底寄生网络建模和参数提取,对RF SOI MOSFET器件输出特性的模拟有着非常重要的影响。考虑BOX层引入的体区和Si衬底隔离,将源、体和衬底短接接地,测试栅、漏二端口S参数的传统测试结构,无法准确区分衬底网络影响。提出一种改进的测试结... 详细信息

衬底寄生网络建模和参数提取,对RF SOI MOSFET器件输出特性的模拟有着非常重要的影响。考虑BOX层引入的体区和Si衬底隔离,将源、体和衬底短接接地,测试栅、漏二端口S参数的传统测试结构,无法准确区分衬底网络影响。提出一种改进的测试结构,通过把SOI MOSFET的漏和源短接为信号输出端、栅为信号输入端,测试栅、漏/源短接二端口S参数的方法,把衬底寄生在二端口S参数中直接体现出来,并开发出一种解析提取衬底网络模型参数的方法,支持SOI MOSFET衬底网络模型的精确建立。采用该方法对一组不同栅指数目的SOI MOSFET进行建模,测量和模型仿真所得S参数在20 GHz频段范围内得到很好吻合。

关键词： RF SOI MOSFET 衬底模型测试结构参数提取

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一种新的解析提取RF SOI MOS变容管衬底模型参数的方法

引用

中国集成电路 2015年第6期24卷 59-64页

作者：沈国荣陈小川刘军上海集成电路技术与产业促进中心上海201203 中国科学院上海高等研究院上海201210

本文提出一种适用于RF SOI工艺MOS变容管行为表征的新模型。提出的模型考虑了SOI衬底的物理特性,并给出了解析提取衬底寄生网络模型参数的方法。采用提出的模型,精确预见了RF SOI MOS变容管器件特性,测量和模型仿真结果,在20 GHz频率范... 详细信息

本文提出一种适用于RF SOI工艺MOS变容管行为表征的新模型。提出的模型考虑了SOI衬底的物理特性,并给出了解析提取衬底寄生网络模型参数的方法。采用提出的模型,精确预见了RF SOI MOS变容管器件特性,测量和模型仿真结果,在20 GHz频率范围内得到很好的吻合。

关键词： MOS变容管衬底模型解析提取

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认知无线网络中基于衬底模式的功率控制算法

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计算机工程与设计 2019年第6期40卷 1523-1528页

作者：刘觉夫王建夏陈娇王作航华东交通大学信息工程学院

次用户在竞争主用户授权频谱资源时会存在远近不公平性问题,该问题可以通过控制次用户的发射功率来解决。基于衬底模式,提出一种改进的功率控制算法。改进后的效率函数能够兼顾次用户的公平性,有效降低算法的时间复杂度。综合考虑信道... 详细信息

次用户在竞争主用户授权频谱资源时会存在远近不公平性问题,该问题可以通过控制次用户的发射功率来解决。基于衬底模式,提出一种改进的功率控制算法。改进后的效率函数能够兼顾次用户的公平性,有效降低算法的时间复杂度。综合考虑信道质量、信干噪比和发射功率,设计更合理的代价函数。在博弈论的基础上,验证所设计效益函数的收敛性,实验结果表明,该算法与传统算法相比,降低次用户发射功率的同时提高了系统的吞吐量,增加了次用户间的公平性和整个系统的效益。

关键词：博弈论认知无线网络公平性功率控制衬底模型

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基于PSP扩展的SOI MOSFET模型研究

基于PSP扩展的SOI MOSFET模型研究

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作者：林煊杭州电子科技大学

学位级别：硕士

随着器件特征尺寸的减小,体硅CMOS遇到了许多技术上的问题和挑战,短沟道效应(SCE)和二极管泄漏电流的增加使得体硅技术很难遵循摩尔定律继续向前发展。相比于体硅CMOS技术,全介质隔离技术使得SOI拥有众多的优点,如消除了体硅CMOS的闩锁... 详细信息

随着器件特征尺寸的减小,体硅CMOS遇到了许多技术上的问题和挑战,短沟道效应(SCE)和二极管泄漏电流的增加使得体硅技术很难遵循摩尔定律继续向前发展。相比于体硅CMOS技术,全介质隔离技术使得SOI拥有众多的优点,如消除了体硅CMOS的闩锁效应、功耗低等。电路仿真是IC电路设计的基础,要求器件有精确的模型。虽然BSIMSOI被认定为工业SOI MOSFET标准模型,但是其物理意义并不明确且参数众多,影响模型提取的效率,无法满足用户的需求。本文对SOI MOSFET的器件结构、工作机理和器件模型进行深入分析,在体硅标准模型PSP103的基础上,考虑SOI特有的物理效应,研究适用于SOI MOSFET的表面势模型。文章的主要工作如下:(1)详细阐述了SOI MOSFET的器件结构和工作机理,深入分析了SOI MOSFET器件特性,同时比较了现有SOI MOSFET模型的优缺点,为后续SOI MOSFET模型研究奠定基础。(2)在深入研究体硅模型PSP103的基础上,结合SOI特有的衬底效应、浮体效应、自热效应、体接触模型和背栅效应,建立了适用于SOI MOSFET的PSP扩展模型。(3)基于现有的测试条件和器件工艺,采用合理的直流特性、交流特性测试方案,对SOI MOSFET进行了测试。(4)基于DC、CV测试数据,对PSP扩展模型的提取流程进行优化,提出适合PSP扩展模型的Local-Global参数提取流程,建立了Global直流模型。(5)分析讨论SOI MOSFET射频模型,研究射频寄生特别是衬底网络参数的提取方法。选择合适的小信号S参数的测试方案,从SOI MOS Varactor中提取衬底的寄生参数,根据实际工艺和提取的寄生参数,研究衬底的寄生参数与尺寸的缩放关系。根据提出的衬底寄生参数与尺寸的缩放关系,计算并直接应用到SOI MOSFET中,再进行剩余寄生参数的提取,对提取的参数进行尺寸缩放研究,建立了Global射频模型。(6)通过对比直流MOSFET和RF MOSFET的测试数据和仿真结果,验证了基于PSP扩展的SOI MOSFET射频可缩放模型的可行性和准确性。

关键词： SOI MOSFET PSP扩展模型 RF模型衬底模型

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混合信号集成电路衬底模型提取的格林函数法

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系统工程与电子技术 2002年第7期24卷 7-8,50页

作者：师奕兵陈光 王厚军 Yuan Jiann S 电子科技大学自动化工程学院四川成都610054 美国中佛罗里达大学工程与计算机科学学院奥兰多fl32816

论述了提取混合信号集成电路衬底电路模型的格林函数法。在分析了两种常用集成电路衬底模型的基础上 ,阐述了应用格林函数提取混合信号集成电路衬底电路模型的原理 ,推导出了衬底电路模型中电阻参数提取所对应的格林函数形式 ,得出了格... 详细信息

论述了提取混合信号集成电路衬底电路模型的格林函数法。在分析了两种常用集成电路衬底模型的基础上 ,阐述了应用格林函数提取混合信号集成电路衬底电路模型的原理 ,推导出了衬底电路模型中电阻参数提取所对应的格林函数形式 ,得出了格林函数法计算衬底参数的公式。该方法可用于衬底模型中节点间电阻值或阻抗值的计算 ,其计算效率较高。

关键词：混合信号集成电路衬底模型格林函数法

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