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  • 4 篇 期刊文献
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  • 1 篇 管理学
    • 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

  • 5 篇 衬底模型
  • 1 篇 soi mosfet
  • 1 篇 功率控制
  • 1 篇 博弈论
  • 1 篇 认知无线网络
  • 1 篇 公平性
  • 1 篇 mosfet
  • 1 篇 rf模型
  • 1 篇 测试结构
  • 1 篇 参数提取
  • 1 篇 rf
  • 1 篇 psp扩展模型
  • 1 篇 混合信号集成电路
  • 1 篇 mos变容管
  • 1 篇 soi
  • 1 篇 解析提取
  • 1 篇 格林函数法

机构

  • 2 篇 杭州电子科技大学
  • 1 篇 中国科学院上海高...
  • 1 篇 华东交通大学
  • 1 篇 美国中佛罗里达大...
  • 1 篇 电子科技大学
  • 1 篇 上海集成电路技术...

作者

  • 2 篇 刘军
  • 1 篇 周文勇
  • 1 篇 yuan jiann s
  • 1 篇 陈小川
  • 1 篇 王作航
  • 1 篇 王厚军
  • 1 篇 刘觉夫
  • 1 篇 师奕兵
  • 1 篇 沈国荣
  • 1 篇 陈光
  • 1 篇 陈娇
  • 1 篇 王建夏
  • 1 篇 汪洁
  • 1 篇 林煊

语言

  • 5 篇 中文
检索条件"主题词=衬底模型"
5 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
混合信号集成电路衬底模型提取的格林函数法
收藏 引用
系统工程与电子技术 2002年 第7期24卷 7-8,50页
作者: 师奕兵 陈光 王厚军 Yuan Jiann S 电子科技大学自动化工程学院 四川成都610054 美国中佛罗里达大学工程与计算机科学学院 奥兰多fl32816
论述了提取混合信号集成电路衬底电路模型的格林函数法。在分析了两种常用集成电路衬底模型的基础上 ,阐述了应用格林函数提取混合信号集成电路衬底电路模型的原理 ,推导出了衬底电路模型中电阻参数提取所对应的格林函数形式 ,得出了格... 详细信息
来源: 评论
一种新型的SOI MOSFET衬底模型提取方法
收藏 引用
电子器件 2016年 第6期39卷 1302-1308页
作者: 周文勇 刘军 汪洁 杭州电子科技大学"射频电路与系统"教育部重点实验室 杭州310027
衬底寄生网络建模和参数提取,对RF SOI MOSFET器件输出特性的模拟有着非常重要的影响。考虑BOX层引入的体区和Si衬底隔离,将源、体和衬底短接接地,测试栅、漏二端口S参数的传统测试结构,无法准确区分衬底网络影响。提出一种改进的测试结... 详细信息
来源: 评论
一种新的解析提取RF SOI MOS变容管衬底模型参数的方法
收藏 引用
中国集成电路 2015年 第6期24卷 59-64页
作者: 沈国荣 陈小川 刘军 上海集成电路技术与产业促进中心 上海201203 中国科学院上海高等研究院 上海201210
本文提出一种适用于RF SOI工艺MOS变容管行为表征的新模型。提出的模型考虑了SOI衬底的物理特性,并给出了解析提取衬底寄生网络模型参数的方法。采用提出的模型,精确预见了RF SOI MOS变容管器件特性,测量和模型仿真结果,在20 GHz频率范... 详细信息
来源: 评论
认知无线网络中基于衬底模式的功率控制算法
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计算机工程与设计 2019年 第6期40卷 1523-1528页
作者: 刘觉夫 王建夏 陈娇 王作航 华东交通大学信息工程学院
次用户在竞争主用户授权频谱资源时会存在远近不公平性问题,该问题可以通过控制次用户的发射功率来解决。基于衬底模式,提出一种改进的功率控制算法。改进后的效率函数能够兼顾次用户的公平性,有效降低算法的时间复杂度。综合考虑信道... 详细信息
来源: 评论
基于PSP扩展的SOI MOSFET模型研究
基于PSP扩展的SOI MOSFET模型研究
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作者: 林煊 杭州电子科技大学
学位级别:硕士
随着器件特征尺寸的减小,体硅CMOS遇到了许多技术上的问题和挑战,短沟道效应(SCE)和二极管泄漏电流的增加使得体硅技术很难遵循摩尔定律继续向前发展。相比于体硅CMOS技术,全介质隔离技术使得SOI拥有众多的优点,如消除了体硅CMOS的闩锁... 详细信息
来源: 评论