检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 1991年第9期12卷 536-541,T001页

作者：沈复初叶必光陈坚龚晨光浙江大学半导体材料研究所杭州310027

本文研究了在用氢等离子体原位清洁硅片表面过程中,衬底温度,等离子体能量,处理时间及退火工艺对衬底表面清洁及晶格损伤的影响.实验结果表明,较高的衬底温度,较低的等离子能量有利于得到高度清洁、晶格损伤可恢复完整的硅表面.衬底温... 详细信息

本文研究了在用氢等离子体原位清洁硅片表面过程中,衬底温度,等离子体能量,处理时间及退火工艺对衬底表面清洁及晶格损伤的影响.实验结果表明,较高的衬底温度,较低的等离子能量有利于得到高度清洁、晶格损伤可恢复完整的硅表面.衬底温度为室温时的等离子体处理对硅表面会引入不可恢复的永久性损伤(缺陷);等离子体处理后的退火对于恢复晶格完整是极其必要的.完善的等离子体清洁处理之后,在1000℃下利用硅烷减压外延生长的外延层中,层错密度和位错密度分别小于50个/厘米~2和 1×10~3个/厘米~2.

关键词：衬底表面氢等离子体清洁硅片

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衬底表面对成核的影响

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青岛大学学报（自然科学版） 2000年第3期13卷 76-77页

作者：潘志峰李清山曲阜师范大学物理系曲阜273165

研究了汽相沉积过程中的衬底表面结构的成核热力学，计算了平面与凹结构内的临界核形成能，表明与平面相比成核优先在凹结构发生。指出通过人工微结构的设计，可以实现在凹结构内生长出点状结构，即在非平面上生长出点状结构阵列。

关键词：临界核成核凹结构汽相沉积薄膜衬底表面

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衬底表面预处理增强金刚石薄膜成核的研究进展

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平原大学学报 2001年第2期18卷 75-76页

作者：王爱琴王必本党纯河南省粮食学校河南新乡453700 重庆大学应用物理系重庆400044 驻马店教育学院物理系河南驻马店463000

近年来与金刚石成核有关的技术研究取得了较大的进展.本文综述了衬底表面的预处理对增强利用化学气机沉积生长金刚石薄膜成核的作用,并进行了分析和讨论.

关键词：金刚石薄膜合成成核衬底表面预处理化学气相沉积

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衬底表面和室表面的蚀刻剂处理工艺

衬底表面和室表面的蚀刻剂处理工艺

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作者：阿卡第·V·萨沐罗夫阿里·佐扎伊美国加利福尼亚州

本发明的一种实施方式提供了一种处理含硅表面的方法，该方法包括通过慢蚀刻工艺(例如，约＜100/min)去除污染物和/或平滑衬底表面。将衬底暴露于包含蚀刻剂和硅源的蚀刻气体。优选地，蚀刻剂为氯气，并将衬底加热至小于约800℃的温度... 详细信息

标准号: CN101155648B

本发明的一种实施方式提供了一种处理含硅表面的方法，该方法包括通过慢蚀刻工艺(例如，约＜100/min)去除污染物和/或平滑衬底表面。将衬底暴露于包含蚀刻剂和硅源的蚀刻气体。优选地，蚀刻剂为氯气，并将衬底加热至小于约800℃的温度。在另一种实施方式中，提供了一种快蚀刻工艺(例如，约＞100/min)，该工艺包括去除硅材料，同时在衬底表面的源极/漏极(S/D)区域内形成凹槽。在另一种实施方式中，提供了一种清洁处理室的方法，该方法包括将处理室内表面暴露于包含蚀刻剂和硅源的室清洁气体。该室清洁工艺限制了对处理室内部的石英和金属表面的蚀刻。

关键词：蚀刻剂衬底表面蚀刻工艺硅源去除蚀刻室清洁气体源极/漏极氯气衬底加热含硅表面金属表面清洁处理清洁工艺蚀刻气体室内表面硅材料室内部暴露平滑衬底石英优选污染物

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衬底表面刻蚀方法及半导体器件

衬底表面刻蚀方法及半导体器件

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作者：王波房玉龙尹甲运张志荣高楠芦伟立李佳陈宏泰牛晨亮 050051 河北省石家庄市合作路113号

本发明提供一种衬底表面刻蚀方法及半导体器件。衬底为SiC衬底或Si衬底，该方法包括：将衬底放入MOCVD设备的反应室内；对反应室内的环境条件进行第一次调整，以使反应室满足衬底刻蚀所需的环境条件；向反应室内通入载气，并向反应室内... 详细信息

标准号: CN115323487A

本发明提供一种衬底表面刻蚀方法及半导体器件。衬底为SiC衬底或Si衬底，该方法包括：将衬底放入MOCVD设备的反应室内；对反应室内的环境条件进行第一次调整，以使反应室满足衬底刻蚀所需的环境条件；向反应室内通入载气，并向反应室内通入CBr4或CCl4，以对衬底进行刻蚀处理。CBr₄在一定环境条件下可以分解出Br原子，CCl₄在一定环境条件下可以分解出Cl原子，Br原子或Cl原子可以与衬底表面的Si原子发生反应，生成气态的溴化硅或氯化硅，达到刻蚀衬底表面，去除衬底表面的氧化层以及亚损伤层的目的。

关键词：衬底衬底表面刻蚀室内半导体器件分解反应室氯化硅损伤层氧化层溴化硅放入载气去除

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衬底表面上胶束或纳米颗粒的高度有序阵列以及制备其的方法

衬底表面上胶束或纳米颗粒的高度有序阵列以及制备其的方法

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作者： C·维利格斯 C·莫尔哈德 J·P·施帕茨 R·布伦纳德国慕尼黑

本发明提供用于增加衬底表面上聚合物胶束或纳米颗粒的阵列的有序度的方法，其包括：a)提供衬底表面上胶束或包覆有聚合物壳的纳米颗粒的有序阵列；以及b)通过在液体介质中超声处理将胶束或纳米颗粒的阵列退火，所述液体介质选自H2O、... 详细信息

标准号: CN104619631B

本发明提供用于增加衬底表面上聚合物胶束或纳米颗粒的阵列的有序度的方法，其包括：a)提供衬底表面上胶束或包覆有聚合物壳的纳米颗粒的有序阵列；以及b)通过在液体介质中超声处理将胶束或纳米颗粒的阵列退火，所述液体介质选自H₂O、极性有机溶剂以及H₂O和极性有机溶剂的混合物。在相关的方面，本发明提供由本发明的方法可得的胶束或纳米颗粒的高度有序阵列。

关键词：纳米颗粒极性有机溶剂衬底表面液体介质胶束退火聚合物胶束超声处理高度有序聚合物壳混合物包覆上胶

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衬底表面生长氮化镓层的方法、应用及氮化镓半导体材料

衬底表面生长氮化镓层的方法、应用及氮化镓半导体材料

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作者：王海燕秦彬皓余陈张宇鹏 510000 广东省广州市天河区长兴路363号

本发明公开了一种衬底表面生长氮化镓层的方法、应用及氮化镓半导体材料，涉及半导体技术领域。包括采用磁控溅射技术在衬底表面低温沉积氮化铝缓冲层，氮化铝缓冲层的厚度为10～20nm，采用MOCVD工艺在氮化铝缓冲层表面高温外延依次形... 详细信息

标准号: CN117107349A

本发明公开了一种衬底表面生长氮化镓层的方法、应用及氮化镓半导体材料，涉及半导体技术领域。包括采用磁控溅射技术在衬底表面低温沉积氮化铝缓冲层，氮化铝缓冲层的厚度为10～20nm，采用MOCVD工艺在氮化铝缓冲层表面高温外延依次形成氮化铝层和氮化镓层。通过采用磁控溅射低温沉积与MOCVD高温外延相结合的方法，一方面有利于克服SiN_x界面层的产生，生长出质量合格的氮化镓薄膜；另一方面，上述两种方法的结合在沉积过程中形成了岛状核层，利用岛状形核层可有助于释放薄膜应力，从而提高材料质量。

关键词：氮化铝缓冲层衬底表面低温沉积岛状氮化镓半导体材料半导体技术领域磁控溅射技术生长氮化镓层氮化镓薄膜表面高温磁控溅射氮化铝层氮化镓层界面层形核层核层沉积薄膜释放生长应用

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衬底表面上胶束或纳米颗粒的高度有序阵列以及制备其的方法

衬底表面上胶束或纳米颗粒的高度有序阵列以及制备其的方法

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作者： C·维利格斯 C·莫尔哈德 J·P·施帕茨 R·布伦纳德国慕尼黑

标准号: CN104619631A

关键词：纳米颗粒极性有机溶剂衬底表面液体介质有序阵列胶束退火超声处理聚合物胶混合物聚合物有序度包覆上胶

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一种去除碳化硅衬底表面金属离子的动态清洗方法

一种去除碳化硅衬底表面金属离子的动态清洗方法

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作者：崔景光郑向光汤欢 071051 河北省保定市北三环6001号

本发明涉及碳化硅加工技术领域，具体公开一种去除碳化硅衬底表面金属离子的动态清洗方法。本发明提供的去除碳化硅衬底表面金属离子的动态清洗方法，创造性地构建了金属离子含量与清洗液中有效组分比例的计算公式，通过该计算公式可以... 详细信息

标准号: CN117542728B

本发明涉及碳化硅加工技术领域，具体公开一种去除碳化硅衬底表面金属离子的动态清洗方法。本发明提供的去除碳化硅衬底表面金属离子的动态清洗方法，创造性地构建了金属离子含量与清洗液中有效组分比例的计算公式，通过该计算公式可以动态监测清洗液的清洗能力，从而及时对清洗液中有效组分比例进行调整，有利于达到更好的清洗效果，提高清洗效率，延长清洗液的使用寿命，避免不合格碳化硅衬底返工清洗以及清洗液未达到使用寿命，提前更换造成清洗液浪费问题的出现，对于降低碳化硅衬底的生产成本，提高生产效率具有十分重要的意义，推广应用价值较高。

关键词：清洗液碳化硅金属离子衬底表面动态清洗计算公式使用寿命衬底去除加工技术领域动态监测清洗能力清洗效果清洗效率生产效率返工构建生产成本清洗

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可调节衬底表面厚度均匀性的硅外延反应设备及工艺

可调节衬底表面厚度均匀性的硅外延反应设备及工艺

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作者：徐新华 323000 浙江省丽水市莲都区南明山街道绿谷大道309号国际车城15号楼11层-241

本发明涉及硅加工设备技术领域，具体公开了可调节衬底表面厚度均匀性的硅外延反应设备及工艺，包括设置在外延反应机体内用于调整衬底表面厚度的调节机构，调节机构包括电动推杆，固定设于外延反应设备的顶部，且电动推杆的伸缩轴延伸... 详细信息

标准号: CN118219088A

本发明涉及硅加工设备技术领域，具体公开了可调节衬底表面厚度均匀性的硅外延反应设备及工艺，包括设置在外延反应机体内用于调整衬底表面厚度的调节机构，调节机构包括电动推杆，固定设于外延反应设备的顶部，且电动推杆的伸缩轴延伸至外延反应机体内，电动推杆的伸缩轴固定设有十字安装板，本发明通过调节机构的驱动组件和限位组件等便于同步带动多个第一打磨块和第二打磨块转动，从而便于对多个衬底进行表面厚度调整，提高调整效率，且便于对不同尺寸的衬底进行表面厚度调整，提高适用性，通过辅助机构和连接组件配合，便于调整第一打磨块和第二打磨块的高度，从而适用于不同厚度的衬底使用。

关键词：打磨电动推杆衬底衬底表面反应设备厚度调整伸缩轴设备技术领域厚度均匀性辅助机构连接组件驱动组件十字安装同步带动限位组件硅加工硅外延可调节转动延伸配合

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