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锗基衬底表面钝化方法
锗基衬底表面钝化方法
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作者： 黄如 林猛 云全新 李敏 王佳鑫 安霞 黎明 张兴 100871 北京市海淀区颐和园路5号
本发明公开了一种锗基衬底表面钝化方法，先对锗基衬底进行表面清洗，然后将其放入等离子体腔内，利用多键原子对应的反应气体产生等离子体，对锗基衬底表面进行等离子体浴处理，并且在等离子体浴处理过程中施加引导电场，引导等离子体... 详细信息
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在衬底表面特别是光学元件上的锥形纳米结构、其制造方法及其用途
在衬底表面特别是光学元件上的锥形纳米结构、其制造方法及其用途
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作者： C·莫尔哈德 C·帕霍尔斯基 J·P·施帕茨 德国慕尼黑
本发明涉及一种衬底表面，特别是光学元件上的锥形纳米结构、其制造方法及其特别是在光学装置、太阳能电池和传感器中的应用。依据本发明的锥形纳米结构特别适用于提供光反射非常小的衬底表面。依据本发明用于在衬底表面上制造锥形纳米... 详细信息
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晶片检验系统内的衬底表面的高速高度控制的方法及系统
晶片检验系统内的衬底表面的高速高度控制的方法及系统
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作者： 蔡中平 熊静一 美国加利福尼亚州
本发明涉及晶片检验系统内的衬底的表面的高速高度控制，其包含：将衬底定位于可动态调整衬底载台组合件的衬底载台上；垂直于所述衬底的所述表面致动所述衬底；在所述表面的检验位置处测量所述衬底的所述表面的高度误差值；在所述衬底... 详细信息
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一种用于加速惰性硅化合物生长在衬底表面上的化学组合物
一种用于加速惰性硅化合物生长在衬底表面上的化学组合物
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作者： 韩冰 丁晓辉 徐涛 450011 河南省郑州市金水区北环路36号院
本发明提供的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物，包括以下重量百分数的组分：氟硅酸或氟硅酸盐类化合物0.1-25％，氨基酸类化合物0.1-15％，铵类化合物0.05-15％，无机酸0.001-30％，有机酸0.001-30％，表面... 详细信息
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一种在垂直于衬底表面的磁场下具有M型磁阻曲线器件的制备方法
一种在垂直于衬底表面的磁场下具有M型磁阻曲线器件的制备方法
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作者： 李慕禅 田仲政 彭沛 于学敏 于达程 任黎明 傅云义 100871 北京市海淀区颐和园路5号
本发明公开了一种在垂直于衬底表面的磁场下具有M型磁阻曲线的器件的制备方法。该方法基于各向异性磁阻对电流流向与磁场方向之间的夹角非常敏感的特点，通过在沟道中间搭建构型体制作立体的三维复合型沟道，以此来改变沟道电流流向，... 详细信息
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调节衬底表面反射率的结构及方法、光刻方法
调节衬底表面反射率的结构及方法、光刻方法
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作者： 朱治国 朱骏 陈力钧 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
本发明提供了一种调节衬底表面反射率的结构及方法、光刻方法，通过在衬底表面增加交错排列的虚拟图形结构，来调节衬底表面反射率，从而可以避免光刻胶光刻时由于衬底表面反射率不相同而造成的光刻胶形貌出现差异、光刻胶出现倒梯形等... 详细信息
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一种基于荧光纳米材料的喷墨打印和计算机辅助表征的衬底表面探测方法
一种基于荧光纳米材料的喷墨打印和计算机辅助表征的衬底表面探测...
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作者： 王向华 吕申宸 刘中梦雪 秦梦芝 蔡凯威 吕国强 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
本发明公开了一种基于荧光纳米材料的喷墨打印和计算机辅助表征的衬底表面探测方法，其特征是：基于纳米材料在微液滴中的组装行为及其在溶剂干燥后的堆积形貌与衬底表面的物理和化学特性之间的相关性，利用荧光纳米材料在图像采集和计... 详细信息
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铁氧体单晶衬底表面活化方法
铁氧体单晶衬底表面活化方法
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作者： 李阳 李俊 帅世荣 魏占涛 陈运茂 游斌 蓝江河 肖礼康 621000 四川省绵阳市滨河北路西段268号
本发明公开了一种铁氧体单晶衬底表面活化方法，属于微波铁氧体技术领域；其步骤包括：先用含有三氯甲烷‑正乙烷等的混合溶液清洗，再用酸性溶液清洗，最后用氨水清洗；本发明的方法仅需要三步清洗，步骤简单，操作容易，成本和效率均... 详细信息
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聚合物衬底表面的光学物理处理方法以及实施该方法的装置
聚合物衬底表面的光学物理处理方法以及实施该方法的装置
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作者： 塞缪尔·斯特雷姆斯多厄弗尔 盖伊·斯特雷姆斯多厄弗尔 尤尼·密斯 洛雷娜·马加隆 法国山多尔省
本发明的目的是提供一种例如以非电解镀金属的角度来看能够使衬底(聚合物)具有特定的物理性质(特别是纳米多孔性)表面处理方法，且这种方法完全替代了利用硫铬浸洗的表面处理方法。为了实现该目的，本发明的表面处理包括先对衬底表面进... 详细信息
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用于保护多晶和衬底表面的集成方法
用于保护多晶和衬底表面的集成方法
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作者： 居建华 魏莹璐 何学缅 201203 上海市浦东新区张江路18号
本发明提供了一种用于保护多晶和衬底表面的集成方法，该集成方法依次包括以下步骤：步骤一：多晶光照；步骤二：多晶蚀刻；步骤三：多晶再氧化；步骤四：补偿间隔物SIN沉积；步骤五：补偿间隔物蚀刻；步骤六：补偿间隔物聚合物去除；... 详细信息
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