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文献类型

  • 1 篇 期刊文献

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  • 1 篇 电子文献
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学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 能带畸变
  • 1 篇 大信号工作特性
  • 1 篇 解析表面势及其微...
  • 1 篇 射频大信号工作模...
  • 1 篇 3mm氮化镓异质结场...

机构

  • 1 篇 南京电子器件研究...

作者

  • 1 篇 xue fangshi
  • 1 篇 薛舫时

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=解析表面势及其微商"
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排序:
GaN HFET的大信号射频工作模型
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2014年 第6期34卷 403-408,414页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
分析了GaN HFET大信号工作特性随器件漏压、栅压、栅长和工作频率变化的实验特征,发现器件的射频输出功率和功率附加效率随频率升高、漏压增大和栅长缩短而下降的规律及在3mm波段短栅长的高截止频率场效应管没有输出功率的现象。从场效... 详细信息
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