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  • 61 篇 专利

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语言

  • 61 篇 中文
检索条件"主题词=设计器件"
61 条 记 录,以下是1-10 订阅
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一种设计器件的BOM获取方法及系统
一种设计器件的BOM获取方法及系统
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作者: 尹智勇 201100 上海市闵行区莘浜路89号3304座E2室
本发明涉及工业设计领域,公开了一种设计器件的BOM获取方法及系统。本发明中提供的一种设计器件的BOM获取方法包括:分别获取待设计器件的机械物料清单BOM和电气BOM,其中,电气BOM中包括各物料的类型属性;提取电气BOM中类型属性为电... 详细信息
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基于物理信息的快速时域电磁仿真与器件几何结构逆设计方法
基于物理信息的快速时域电磁仿真与器件几何结构逆设计方法
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作者: 周洪超 刘晗 杜刘革 鹿涫楠 赵佳 孙崇磊 250100 山东省济南市历城区山大南路27号
本发明涉及基于物理信息的快速时域电磁仿真与器件几何结构逆设计方法;包括:构建时域MaxwellNet网络;训练时域MaxwellNet网络,得到训练好的电磁仿真模型;训练时域MaxwellNet网络,得到训练好的逆设计模型;通过训练好的电磁仿真模... 详细信息
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一种超紧凑高饱和电流的磁芯电感器件设计方法
一种超紧凑高饱和电流的磁芯电感器件的设计方法
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作者: 武雪琛 黄超颖 610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
本发明公开了一种超紧凑高饱和电流的磁芯电感器件设计方法,其包括根据器件的工作频率,选定设定的磁性材料;根据器件设定的电感值和饱和电流值,设计器件拓扑结构;对器件拓扑结构进行优化和迭代,使器件性能满足约束指标;并结合... 详细信息
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使用精度映射和稳定性分析来设计和生成器件的系统和方法
使用精度映射和稳定性分析来设计和生成器件的系统和方法
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作者: R·威尔克斯-斯皮特简斯 J·范登布罗埃克 M·詹森斯 比利时鲁汶
本发明公开了使用精度映射和稳定性分析来设计和生成器件的系统和方法。在一些方面,所描述的系统和方法涉及用于设计器件的装置。该装置包括处理器(210),该处理器配置用于生成物理物体(402)的三维模型,以及基于精度映射(404)而确定... 详细信息
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一种基于太赫兹频段器件总体性能的优化设计方法
一种基于太赫兹频段器件总体性能的优化设计方法
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作者: 张勇 肖筑文 徐锐敏 延波 赵伟 任田昊 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
本发明公开了基于太赫兹频段器件总体性能的优化设计方法,在优化设计时,通过提取传输线单元结构的特性参数,建立传输线阶梯结构表征阻抗阶跃变换特性;同时在选用合适的太赫兹二极管后,建立所需工作频段的二极管电路模型;结合所设... 详细信息
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使用精度映射和稳定性分析来设计和生成器件的系统和方法
使用精度映射和稳定性分析来设计和生成器件的系统和方法
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作者: R·威尔克斯-斯皮特简斯 J·范登布罗埃克 M·詹森斯 比利时鲁汶
本发明公开了使用精度映射和稳定性分析来设计和生成器件的系统和方法。在一些方面,所描述的系统和方法涉及用于设计器件的装置。该装置包括处理器(210),该处理器配置用于生成物理物体(402)的三维模型,以及基于精度映射(404)而确定... 详细信息
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一种多通道集成化无刷直流电机驱动电路
一种多通道集成化无刷直流电机驱动电路
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作者: 廖明栋 李聪 程时兵 顾永辉 钟书辉 王炜 471009 河南省洛阳市解放路166号
一种多通道集成化无刷直流电机驱动电路,包含接插件A、接插件B、接插件C和多个电机驱动器IC;所述接插件A的输出端与外部的控制电路对应电气连接,接插件A的输入端通过多个电机驱动器IC与接插件B、接插件C对应电气连接;所述接插件B与... 详细信息
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具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法
具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法
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作者: 陈鑫 盛振 汪敬 甘甫烷 武爱民 仇超 王曦 226017 江苏省南通市苏通科技产业园江成路1088号江成研发园研发北楼
本发明提供一种具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法,其中,所述设计方法至少包括:将所述多模干涉耦合器中的多模区设计为矩形波导,确定所述多模区的尺寸,其方法如下:分析计算所述多模区各阶模的有效折射率,以... 详细信息
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基于机器学习的硅基多埋层功率器件耐压性能优化方法
基于机器学习的硅基多埋层功率器件耐压性能优化方法
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作者: 曹震 孙琦 刘橘 赵青源 侯彪 焦李成 杨银堂 710071 陕西省西安市太白南路2号
本发明提出了一种基于机器学习的硅基多埋层功率器件耐压性能优化方法,实现步骤为:获取训练样本集和测试样本集;构建卷积神经网络预测模型;对卷积神经网络预测模型进行迭代训练;基于遗传算法通过训练好的卷积神经网络预测模型获取... 详细信息
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一种硅基模斑转换器的逆向设计方法及硅基模斑转换器
一种硅基模斑转换器的逆向设计方法及硅基模斑转换器
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作者: 刘力 袁平 430000 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号
本发明公开了一种硅基模斑转换器的逆向设计方法及硅基模斑转换器,属于集成光子器件技术领域。所述逆向设计方法包括:将器件待优化区域均匀等分为一定大小的像素单元;在像素单元的中心刻蚀不同半径大小的空气柱,以改变设计区域的拓... 详细信息
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