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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

61 篇 专利

馆藏范围

61 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

8 篇 电子科技大学
4 篇 中国科学院上海光...
3 篇 西安电子科技大学
2 篇 物化股份有限公司
2 篇 上海华力微电子有...
2 篇 无锡华润上华半导...
2 篇 中国电子科技集团...
2 篇 中国工程物理研究...
2 篇 中国地质大学
2 篇 北京邮电大学
2 篇 中国科学院上海微...
2 篇 中国空间技术研究...
2 篇 中科院南通光电工...
2 篇 中国舰船研究设计...
2 篇 哈尔滨工程大学
2 篇 合肥工业大学
1 篇 中国科学院半导体...
1 篇 杭州法动科技有限...
1 篇 桂林电子科技大学
1 篇 珠海牧泰莱电路有...

作者

4 篇 姜本学
4 篇 何进
4 篇 李贝宁
2 篇 马艺珂
2 篇 r·威尔克斯-斯皮特...
2 篇 胡海帆
2 篇 罗林保
2 篇 伍伟
2 篇 张崎
2 篇 苏妤
2 篇 申冠生
2 篇 张波
2 篇 黄伟
2 篇 南方
2 篇 纪越峰
2 篇 谷瀚天
2 篇 王曦
2 篇 田小程
2 篇 刘云涛
2 篇 刘湖云

语言

61 篇 中文

检索条件"主题词=设计器件"

共 61 条记录，以下是21-30 订阅

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详细简洁

排序：

透明纳米孔玻璃墨水的制备方法及其增材制造透明纳米孔玻璃材料的方法

透明纳米孔玻璃墨水的制备方法及其增材制造透明纳米孔玻璃材料的...

引用

作者：姜本学李贝宁何进 201800 上海市嘉定区清河路390号

一种透明纳米孔玻璃墨水的制备方法及其增材制造透明纳米孔玻璃材料的方法，通过将金属醇盐水解和引入光固化单体和引发剂制备高透明、低粘度预聚物光固化透明纳米孔玻璃墨水，根据使用场景使用计算机辅助设计软件自由设计器件3D模型，... 详细信息

标准号: CN116874182A

一种透明纳米孔玻璃墨水的制备方法及其增材制造透明纳米孔玻璃材料的方法，通过将金属醇盐水解和引入光固化单体和引发剂制备高透明、低粘度预聚物光固化透明纳米孔玻璃墨水，根据使用场景使用计算机辅助设计软件自由设计器件3D模型，通过切片处理后形成数据集传递给打印机，随后进行打印；通过对墨水配比，打印参数和热处理工艺的精确控制，可以打印出具有优良光学性能，高比表面积的透明纳米孔玻璃。实现了以打印出的透明纳米孔玻璃为基础的多功能材料平台制备，在很大程度上节省了透明纳米孔玻璃的制备成本，以及生产效率。解决了现有制造方法，成型依赖模具，制备周期长，效率低，透明纳米孔玻璃器件难以成型的问题。

关键词：透明纳米制备打印玻璃墨水玻璃成型计算机辅助设计软件多功能材料光固化单体热处理工艺玻璃材料玻璃器件打印参数光学性能切片处理设计器件生产效率使用场景制备周期低粘度高透明光固化数据集盐水解引发剂预聚物打印机配比模具墨水制造金属传递引入自由

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氮化镓基GaN功率集成电路制造工艺

氮化镓基GaN功率集成电路制造工艺

引用

作者：李海鸥黄伟刘召军陈万军于宗光 214061 江苏省无锡市湖滨路655号603室

本发明公布了一种氮化镓基GaN功率集成电路制造工艺。本发明采用感应耦合等离子刻蚀技术ICP各向异性刻蚀，切断高压区域与低压区域的电流通道，实现上述区域的电隔离。利用自对准等离子刻蚀技术RIE，在金属栅Ni/Au正下面的AlGaN势垒区... 详细信息

标准号: CN102543871A

本发明公布了一种氮化镓基GaN功率集成电路制造工艺。本发明采用感应耦合等离子刻蚀技术ICP各向异性刻蚀，切断高压区域与低压区域的电流通道，实现上述区域的电隔离。利用自对准等离子刻蚀技术RIE，在金属栅Ni/Au正下面的AlGaN势垒区域形成带负电荷的F^-离子层，耗尽异质结中高密度的二维电子气，将耗尽型的沟道转变成增强型，AlGaN/GaNHEMTs器件特性成为常关型。借助外延层GaN/硅衬底的Resurf耐压结构和表面源场板，优化高压器件漂移区的电场分布与设计器件的偏移区，屏蔽密勒电容C_gd对器件频率响应的影响，获得可作为高速开关应用的常关型氮化镓基AlGaN/GaNHEMTs高压器件。

关键词：氮化镓基耗尽感应耦合等离子刻蚀等离子刻蚀技术漂移各向异性刻蚀功率集成电路二维电子气低压区域电场分布电流通道高速开关高压器件高压区域密勒电容频率响应器件特性设计器件优化高压电隔离对器件负电荷高密度硅衬底金属栅外延层异质结自对准偏移屏蔽场板沟道势垒离子转变

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一种可编程逻辑系统和微处理器

一种可编程逻辑系统和微处理器

引用

作者：汪泳江韩伟王海洋 201210 上海市浦东新区自由贸易试验区纳贤路800号1幢506室

本公开的实施例涉及一种可编程逻辑系统和微处理器，可编程逻辑系统包括：输入输出模块，被配置为可编程逻辑系统与数据库之间的信息通道，以获取用于可编程逻辑模块的可编程逻辑数据；可编程逻辑模块，包括多个可编程逻辑阵列，所述可... 详细信息

标准号: CN118311916A

本公开的实施例涉及一种可编程逻辑系统和微处理器，可编程逻辑系统包括：输入输出模块，被配置为可编程逻辑系统与数据库之间的信息通道，以获取用于可编程逻辑模块的可编程逻辑数据；可编程逻辑模块，包括多个可编程逻辑阵列，所述可编程逻辑模块被配置成基于来自输入输出模块的可编程逻辑数据，将所述多个可编程逻辑阵列编写为设计器件；微码引擎模块，被配置成执行微码指令集，以实现对第一寄存器模块和第二寄存器模块操作和控制；第一寄存器模块，被配置成当所述上位机对所述可编程逻辑系统进行操作时，存储和处理可编程逻辑模块的配置和状态信息；以及第二寄存器模块，被配置成嵌入在可编程逻辑模块中并连接到微码引擎模块。

关键词：可编程逻辑模块可编程逻辑系统寄存器模块配置可编程逻辑阵列输入输出模块可编程逻辑微码引擎存储和处理设计器件微处理器微码指令信息通道上位机嵌入数据库

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一种基于程序语言的印制线路板原理图的设计方法

一种基于程序语言的印制线路板原理图的设计方法

引用

作者：张墅 201800 上海市嘉定区嘉定镇李园一村14号102室

本发明公开了一种基于程序语言的印制线路板原理图的设计方法，包括：选用CDML语言作为印制线路板原理图设计的程序语言，CDML语言运行在EDA软件的插件中；基于CDML语言表达器件端口的对应和相应的约束方式；其中，CDML语言的语法定义为... 详细信息

标准号: CN109740177A

本发明公开了一种基于程序语言的印制线路板原理图的设计方法，包括：选用CDML语言作为印制线路板原理图设计的程序语言，CDML语言运行在EDA软件的插件中；基于CDML语言表达器件端口的对应和相应的约束方式；其中，CDML语言的语法定义为：Sheet关键字定义由Sheet‑End Sheet关键字对构成，支持设计嵌套，对应图形化设计中的设计图纸；设计器件的引用对应图形化设计中设计库引用的器件且直接用设计库中的名称。本发明提高设计效率，设计者只需要专注器件引用和信号连接即可，不需要考虑版面排版等无关问题；可以很方便地支持现有的主流EDA设计平台，提高设计可移植性，降低维护成本。

关键词：图形化设计线路板程序语言引用语言嵌套关键字定义原理图设计印制版面排版可移植性设计器件设计效率信号连接语法定义语言表达插件图纸主流维护

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一种提高耐压设计精度的暂态抑制二极管结构

一种提高耐压设计精度的暂态抑制二极管结构

引用

作者：伍伟李岩松陈勇 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明公开了一种提高耐压设计精度的暂态抑制二极管结构，该结构借助薄片工艺，对暂态抑制二极管的结构进行精确的设计与加工，在P+高掺杂区二次注入深结，引入曲率效应，以固定器件的击穿点，避免了器件在边缘及结终端等不期望发生击... 详细信息

标准号: CN113990925B

本发明公开了一种提高耐压设计精度的暂态抑制二极管结构，该结构借助薄片工艺，对暂态抑制二极管的结构进行精确的设计与加工，在P+高掺杂区二次注入深结，引入曲率效应，以固定器件的击穿点，避免了器件在边缘及结终端等不期望发生击穿的结构处发生击穿而无法达到预设耐压的问题，从而实现通过调整器件尺寸与垂直掺杂来精确设计器件耐压的效果。相比常规的暂态抑制二极管，本方案所提出结构因在器件体内引入曲率效应，确保器件在体内发生击穿，增大了器件耐压的设计范围并确保了耐压精度。

关键词：耐压击穿暂态抑制二极管曲率效应体内薄片工艺调整器件高掺杂区固定器件设计器件常规的结终端引入预设掺杂垂直期望加工

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一种柔性电容式压力传感器的制备方法

一种柔性电容式压力传感器的制备方法

引用

作者：李迎春李欣樾张苗张凯瑜常晶晶 710071 陕西省西安市太白南路2号

本发明公开了一种柔性电容式压力传感器的制备方法，包括以下步骤；S1.选择传感器各层材料，并设计器件结构为双层介电层，分别包括掺有银纳米颗粒的纳米纤维膜层和PDMS微结构层；S2.制备双层介电层，分别为掺有银纳米颗粒的纳米纤维膜... 详细信息

标准号: CN115096480B

本发明公开了一种柔性电容式压力传感器的制备方法，包括以下步骤；S1.选择传感器各层材料，并设计器件结构为双层介电层，分别包括掺有银纳米颗粒的纳米纤维膜层和PDMS微结构层；S2.制备双层介电层，分别为掺有银纳米颗粒的纳米纤维膜和PDMS微结构层；S3.制备电极层，进行微结构化处理；S4.将两层电极和双介电层按三明治结构叠放，导线贴附于上下电极层两侧；S5.用生物性透气胶带进行封装，得到柔性电容式压力传感器。本发明制备出的传感器具有高灵敏度、宽传感范围和良好稳定性的特点。

关键词：制备双层介电层压力传感器银纳米颗粒柔性电容微结构层纳米纤维膜层传感器各层纳米纤维膜三明治结构高灵敏度上下电极设计器件双介电层透气胶带微结构化电极层生物性电极传感器传感叠放两层贴附封装

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一种硅基模斑转换器的逆向设计方法及硅基模斑转换器

一种硅基模斑转换器的逆向设计方法及硅基模斑转换器

引用

作者：刘力袁平 430000 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号

本发明公开了一种硅基模斑转换器的逆向设计方法及硅基模斑转换器，属于集成光子器件技术领域。所述逆向设计方法包括：将器件待优化区域均匀等分为一定大小的像素单元；在像素单元的中心刻蚀不同半径大小的空气柱，以改变设计区域的拓... 详细信息

标准号: CN116299858A

本发明公开了一种硅基模斑转换器的逆向设计方法及硅基模斑转换器，属于集成光子器件技术领域。所述逆向设计方法包括：将器件待优化区域均匀等分为一定大小的像素单元；在像素单元的中心刻蚀不同半径大小的空气柱，以改变设计区域的拓扑结构；定义品质因数描述设计器件性能的优劣；设计梯度逆向设计算法计算每个像素单元的刻蚀孔径的梯度信息，根据梯度信息更新每个像素单元的刻蚀孔径；算法不断迭代更新直至收敛。此设计算法也可以应用于其他硅基器件的制造，提高设计效率；并首次提出梯度逆向设计方法应用于设计模斑转换器，实现了尺寸仅为12μm×2.4μm的硅基模斑转换器，具有尺寸小、高集成度、制备简单等优势。

关键词：模斑转换器像素单元硅基刻蚀梯度信息算法集成光子器件迭代更新高集成度硅基器件品质因数设计器件设计区域设计效率算法计算拓扑结构空气柱制备收敛更新应用优化制造

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用于车辆的制动单元和具有这种制动单元的车辆

用于车辆的制动单元和具有这种制动单元的车辆

引用

作者： T.希弗斯 S.詹内克德国慕尼黑

本发明涉及一种制动单元(9；109；209)，用于车辆、尤其用于铁路机车车辆(1)，制动单元(9；109；209)能够固定在车辆的行走机构上并且具有用于提供受控的制动力(FB)和被动的紧急制动力(FN)的器件(30、31、132；232)。为了即便在提供受... 详细信息

标准号: CN104955688B

本发明涉及一种制动单元(9；109；209)，用于车辆、尤其用于铁路机车车辆(1)，制动单元(9；109；209)能够固定在车辆的行走机构上并且具有用于提供受控的制动力(F_B)和被动的紧急制动力(F_N)的器件(30、31、132；232)。为了即便在提供受控的制动力时出现错误，也可以通过提供紧急制动力实现安全制动，则在此规定，适合地设计器件(30、31、132；232)，从而载荷修正地提供被动的紧急制动力(F_N)，并且为了被动的紧急制动力(F_N)的载荷修正具有压力输出器(50)和载荷修正件(45、46)，其中，适合地设计载荷修正件(45、46)，使得压力输出器(50)的预加压力(p_N)与回复装置(37)的电输出信号(AS4、AS5)相关地被调整到载荷修正的额定值(S.p_N)上。本发明还涉及一种具有这种制动单元(9；109；209)的车辆(1)。

关键词：制动力载荷修正制动单元输出器受控铁路机车车辆电输出信号安全制动回复装置设计器件行走机构加压力地被

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一种极微小传感器PCB

一种极微小传感器PCB

引用

作者：黄先广张可权钟岳松 519100 广东省珠海市斗门区富山工业园珠峰大道西1号154室

本申请公开了一种极微小传感器PCB，包括从上至下依次设置的芯片贴装层、第一接地屏蔽层、第二接地屏蔽层、走线层、第三接地屏蔽层以及器件贴装层，所述极微小传感器PCB还包括连通所述芯片贴装层至所述器件贴装层的盘中孔、连通所述芯... 详细信息

标准号: CN219019115U

本申请公开了一种极微小传感器PCB，包括从上至下依次设置的芯片贴装层、第一接地屏蔽层、第二接地屏蔽层、走线层、第三接地屏蔽层以及器件贴装层，所述极微小传感器PCB还包括连通所述芯片贴装层至所述器件贴装层的盘中孔、连通所述芯片贴装层至所述第三接地屏蔽层的第一背钻孔连接以及连通所述芯片贴装层至所述第二接地屏蔽层的第二背钻孔。本实用新型的有益效果如下：各层之间通过盘中孔和背钻孔连接，这样可减少通孔，最大限度增加线路布局；第一层设计芯片贴装层，第二/三层设计接地屏蔽层，第四层设计走线层，第五层设计接地屏蔽层，第六层设计器件贴装层，满足阻抗的匹配要求。

关键词：接地屏蔽层芯片贴装背钻孔贴装层连通微小传感器盘中孔走线层本实用新型从上至下三层设计设计器件线路布局依次设置第一层通孔阻抗匹配申请

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一种曲面信号道

一种曲面信号道

引用

作者：孔洪波刘科种林泽银 528400 广东省中山市火炬开发区东镇东二路1号

本实用新型公开一种曲面信号道，所述信号道的左端端口为标准矩形波导口，其右端端口的阶梯设计为信号过度结构，在信号过度结构的底部通过连接过度结构设置有水平设置且呈工字型的极化转化定制脊波导口，所述信号道为扇形曲面信号道。... 详细信息

标准号: CN219246901U

本实用新型公开一种曲面信号道，所述信号道的左端端口为标准矩形波导口，其右端端口的阶梯设计为信号过度结构，在信号过度结构的底部通过连接过度结构设置有水平设置且呈工字型的极化转化定制脊波导口，所述信号道为扇形曲面信号道。本装置结构紧凑，体积小，加工简单，便于设计器件腔体，加工实物后便于安装和拆卸，性能稳定，影响电性能参数因素较传统设计减少，在有限的结构空间内可以完成电信号的传输。

关键词：信号道标准矩形波导本实用新型影响电性能便于安装传统设计阶梯设计结构空间结构设置曲面信号扇形曲面设计器件水平设置右端端口装置结构极化工字型脊波导体积小腔体左端拆卸紧凑加工实物传输转化

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