面向隔离式DC/DC应用的100V MOSFET器件FDMS86101,具有低达50%的尺DS(ON)和出色的品质因数(figure of merits,FOM),可有效提高电源设计的效率。F D M S86101采用5mm×6mm MLP Power56封装,使用了PowerTrench工艺技术。相...
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面向隔离式DC/DC应用的100V MOSFET器件FDMS86101,具有低达50%的尺DS(ON)和出色的品质因数(figure of merits,FOM),可有效提高电源设计的效率。F D M S86101采用5mm×6mm MLP Power56封装,使用了PowerTrench工艺技术。相比栅级电荷相同的现有解决方案,
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