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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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26 篇 专利

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5 篇 三星电子株式会社
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3 篇 富士通微电子株式...
2 篇 威斯康星校友研究...
2 篇 爱思开海力士有限...
2 篇 艾格瑞系统有限公...
2 篇 首尔大学
1 篇 杭州华三通信技术...
1 篇 旺宏电子股份有限...
1 篇 索尼半导体解决方...
1 篇 皇家飞利浦有限公...
1 篇 松下电器产业株式...
1 篇 超威半导体公司
1 篇 新唐科技股份有限...
1 篇 萨罗尼科斯贸易与...
1 篇 微米技术股份有限...
1 篇 索尼公司

作者

2 篇 许丹
2 篇 榎弘二
2 篇 d·e·杜德克
2 篇 柳睿信
2 篇 朴钟旭
2 篇 宋镐永
2 篇 黄祥俊
2 篇 e·卡曼
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2 篇 金南升
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2 篇 徐峻

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26 篇 中文

检索条件"主题词=访问存储器单元"

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访问存储器单元的方法、半导体存储器装置和存储器系统

访问存储器单元的方法、半导体存储器装置和存储器系统

引用

作者：宋元亨柳廷旻赵诚珍韩国京畿道水原市

公开了访问存储器单元的方法、半导体存储器装置和存储器系统。所述方法包括激活存储器单元的多个行中的特定行，以及响应于确定集中激活发生在特定行而翻转存储在特定行的存储器单元中的数据位。

标准号: CN115719602A

关键词：存储器单元半导体存储器装置访问存储器单元激活存储器系统翻转存储响应

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访问存储器单元的方法及装置

访问存储器单元的方法及装置

引用

作者：麦可·善姆尼尔·泰沙尔中国台湾新竹科学工业园区

本发明提供一种访问存储器单元的方法及装置，其中一种系统装置，包括存储器单元、总线、第一主装置以及第二主装置。存储器单元具有符合自由交换式协议的存储器接口，此存储器接口位于存储器单元与一访问主装置之间。总线电连接存储器... 详细信息

标准号: CN101364212B

本发明提供一种访问存储器单元的方法及装置，其中一种系统装置，包括存储器单元、总线、第一主装置以及第二主装置。存储器单元具有符合自由交换式协议的存储器接口，此存储器接口位于存储器单元与一访问主装置之间。总线电连接存储器单元。第一主装置通过总线与存储器接口访问存储器单元，以及通过一中断接口接收到一中断要求后执行一中断操作。第二主装置通过该总线与存储器接口访问该存储器单元，其中第二主装置于访问存储器单元之前传送中断要求至第一主装置。

关键词：主装置存储器单元存储器接口总线访问存储器单元中断系统装置中断操作中断接口自由交换电连接协议

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用于访问存储器单元的时序链

用于访问存储器单元的时序链

引用

作者： E·卡曼美国爱达荷州

本申请涉及用于访问存储器单元的时序链。一种方法可包含在存储器单元阵列下方的逻辑电路系统处实施一些延迟。存储器阵列逻辑可表示阵列逻辑电路系统下方的CMOS。存储库组逻辑可生成第一存储器操作和对应于第一操作与第二操作之间的时... 详细信息

标准号: CN113096703A

本申请涉及用于访问存储器单元的时序链。一种方法可包含在存储器单元阵列下方的逻辑电路系统处实施一些延迟。存储器阵列逻辑可表示阵列逻辑电路系统下方的CMOS。存储库组逻辑可生成第一存储器操作和对应于第一操作与第二操作之间的时序的较长延迟。所述第一操作可表示访问操作、预充电操作等。所述存储器阵列逻辑可关于所述第一操作被发信号通知，且可生成与所述第一操作的一或多个子操作相关联的一或多个较小延迟。除其它实例之外，所述较小延迟可以是可调的，其可支持存储器器件或控制器以基于不同过程、不同存储器单元特性或不同温度以不同时序实施操作或子操作。

关键词：时序存储器阵列小延迟延迟存储器单元阵列访问存储器单元逻辑电路系统阵列逻辑电路存储器操作存储器单元存储器器件发信号通知存储库组访问操作控制器可调的预充电关联申请

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受限处理器访问存储器的方法、系统及可访问存储器单元

受限处理器访问存储器的方法、系统及可访问存储器单元

引用

作者：陈庆议 310053 浙江省杭州市高新技术产业开发区之江科技工业园六和路310号华为杭州生产基地

本发明公开了一种受限处理器访问存储器的方法、系统及一种可访问存储器单元，包括：存储器访问受限处理器与可访问存储器单元预先约定获取存储器参数命令的格式，存储器访问受限处理器按照预先约定的获取存储器参数命令的格式，向可访... 详细信息

标准号: CN100394403C

本发明公开了一种受限处理器访问存储器的方法、系统及一种可访问存储器单元，包括：存储器访问受限处理器与可访问存储器单元预先约定获取存储器参数命令的格式，存储器访问受限处理器按照预先约定的获取存储器参数命令的格式，向可访问存储器单元发送获取存储器参数命令；可访问存储器单元根据存储器访问受限处理器发来的获取存储器参数命令的格式确定该命令为获取存储器参数命令，根据自身保存的存储器参数在存储器中的存储地址信息，从存储器中读取存储器参数，将该存储器参数返回给存储器访问受限处理器。本发明使得存储器访问受限处理器可通过可访问存储器单元实现对存储器的访问，大大扩大了存储器访问受限处理器的应用范围。

关键词：存储器存储器参数处理器访问受限访问存储器单元存储地址信息访问存储器受限

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用于访问存储器单元的时序链

用于访问存储器单元的时序链

引用

作者： E·卡曼美国爱达荷州

标准号: CN113096703B

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存储装置以及访问存储器单元的方法

存储装置以及访问存储器单元的方法

引用

作者：李明修施彦豪中国台湾

本发明揭示存储装置以及访问存储器单元的方法。存储装置包括多个平面的存储器阵列，每一存储器阵列含有多个存储器单元。所述存储装置还包括在每一平面中耦合到所述存储器单元的多条字线和位线，和层选择晶体管，用以选定存储装置中位... 详细信息

标准号: CN100505268C

本发明揭示存储装置以及访问存储器单元的方法。存储装置包括多个平面的存储器阵列，每一存储器阵列含有多个存储器单元。所述存储装置还包括在每一平面中耦合到所述存储器单元的多条字线和位线，和层选择晶体管，用以选定存储装置中位于同一个平面的存储器阵列。字线解码器和位线解码器，分别通过字线和位线访问所选定的同一平面中的存储器阵列的行和列。

关键词：存储器阵列存储装置位线存储器单元字线访问存储器单元解码器字线解码器耦合晶体管

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用于确定存取线的电容和电阻特性的装置和方法

用于确定存取线的电容和电阻特性的装置和方法

引用

作者：许丹徐峻 E·E·于美国爱达荷州

本申请涉及一种确定存取线的电容与电阻特性的装置和方法。具有存储器单元阵列和用于访问存储器单元阵列的控制器的装置，其中控制器被配置为促使所述装置响应于向存取线施加参考电流而确定存取线的电容和/或电阻值，其中存取线连接到... 详细信息

标准号: CN113053438B

本申请涉及一种确定存取线的电容与电阻特性的装置和方法。具有存储器单元阵列和用于访问存储器单元阵列的控制器的装置，其中控制器被配置为促使所述装置响应于向存取线施加参考电流而确定存取线的电容和/或电阻值，其中存取线连接到存储器单元阵列的存储器单元的控制栅极。

关键词：存取线存储器单元阵列控制器电容访问存储器单元存储器单元参考电流电阻特性控制栅极装置响应电阻施加配置申请

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具有纠错的半导体存储器设备及操作其的方法

具有纠错的半导体存储器设备及操作其的方法

引用

作者：柳睿信朴钟旭姜鈗亨韩国京畿道

一种操作包括存储器单元阵列和纠错码(ECC)引擎的半导体存储器设备的方法，其中存储器单元阵列包括多个存储器单元，并且ECC引擎被配置为对存储器单元阵列的数据执行纠错操作，该方法可以包括将映射信息存储在非易失性储存器中，所述映... 详细信息

标准号: CN107799156B

一种操作包括存储器单元阵列和纠错码(ECC)引擎的半导体存储器设备的方法，其中存储器单元阵列包括多个存储器单元，并且ECC引擎被配置为对存储器单元阵列的数据执行纠错操作，该方法可以包括将映射信息存储在非易失性储存器中，所述映射信息指示当第一单位的存储器单元包括超出ECC引擎的纠错能力的许多故障单元时，用来与故障单元的一部分交换的正常单元的物理地址。可以基于逻辑地址访问存储器单元的第一单位的存储器单元。该方法可以包括基于映射信息选择性地对存储器单元阵列执行存储器操作。

关键词：存储器单元阵列存储器单元映射信息故障单元访问存储器单元半导体存储器存储器操作非易失性纠错操作纠错能力逻辑地址数据执行物理地址正常单元储存器纠错码引擎存储配置交换

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写入前弱预充电双轨SRAM写入优化

写入前弱预充电双轨SRAM写入优化

引用

作者：塔菲克·艾哈迈德安德鲁·J·罗比森拉塞尔·J·施瑞博尔美国加利福尼亚州

一种用于访问存储器单元的方法包括在对该存储器单元的下一访问之前启用对该存储器单元的位线的预充电。该方法包括在该下一访问是写入的情况下，在第一间隔之后禁用该预充电。该方法包括在该下一访问是读取的情况下，在第二间隔之后禁... 详细信息

标准号: CN117441207A

一种用于访问存储器单元的方法包括在对该存储器单元的下一访问之前启用对该存储器单元的位线的预充电。该方法包括在该下一访问是写入的情况下，在第一间隔之后禁用该预充电。该方法包括在该下一访问是读取的情况下，在第二间隔之后禁用该预充电。该第一间隔比该第二间隔短。

关键词：预充电存储器单元禁用访问存储器单元读取访问位线写入

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存储器装置、半导体系统和数据处理系统

存储器装置、半导体系统和数据处理系统

引用

作者：朴容湘金周映林敏洙朴珉秀韩国京畿道

本公开涉及一种存储器装置，该存储器装置包括存储器单元阵列和外围电路。存储器单元阵列包括多个存储器区域，每个存储器区域由行地址和列地址标识。外围电路通过基于从存储器控制器提供的地址、突发长度和突发地址间隙执行支持可变突... 详细信息

标准号: CN115440260A

本公开涉及一种存储器装置，该存储器装置包括存储器单元阵列和外围电路。存储器单元阵列包括多个存储器区域，每个存储器区域由行地址和列地址标识。外围电路通过基于从存储器控制器提供的地址、突发长度和突发地址间隙执行支持可变突发地址间隙的突发操作，来访问存储器单元阵列。突发地址间隙是待执行突发操作的相邻的列地址之间的数值差。

关键词：存储器单元阵列存储器区域存储器装置突发操作外围电路列地址访问存储器单元存储器控制器数值差行地址可变

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