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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

9 篇 专利

馆藏范围

9 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

2 篇 华中科技大学
2 篇 上海亿存芯半导体...
2 篇 高通股份有限公司
1 篇 中国电子科技集团...
1 篇 罗姆股份有限公司
1 篇 中国电子科技集团...

作者

2 篇 允思相
2 篇 于润泽
2 篇 黎振豪
2 篇 刘政林
2 篇 汪钊旭
2 篇 任建军
2 篇 郑春明
2 篇 袁庆鹏
2 篇 郝清山
2 篇 邓茜
2 篇 f·阿梅德
1 篇 赵桂林
1 篇 西山高浩
1 篇 李毅强
1 篇 任思伟
1 篇 孙杰杰
1 篇 祝晓笑
1 篇 刘业琦
1 篇 吴治军
1 篇 刘昌举

语言

9 篇 中文

检索条件"主题词=读出使能信号"

共 9 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

一种适用于MTM反熔丝PROM的读出电路

一种适用于MTM反熔丝PROM的读出电路

引用

作者：王文孙杰杰赵桂林 214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号

本发明公开一种适用于MTM反熔丝PROM的读出电路，属于半导体集成电路领域，包括隔离管N1、预充管P0、下拉管N0、限压保护电阻R0、识别反相器INV1、常规反相器INV2、编程控制信号Prog_VC和读出使能信号SA_EN。增加的限压保护电阻远R0大于... 详细信息

标准号: CN116403630A

本发明公开一种适用于MTM反熔丝PROM的读出电路，属于半导体集成电路领域，包括隔离管N1、预充管P0、下拉管N0、限压保护电阻R0、识别反相器INV1、常规反相器INV2、编程控制信号Prog_VC和读出使能信号SA_EN。增加的限压保护电阻远R0大于MTM反熔丝的编程后电阻，但又远小于MTM反熔丝的未编程电阻。当存储单元中存储数据0，MTM反熔丝未被编程，电阻极高。在进行读出操作时，限压保护电阻可以有效降低MTM反熔丝两端的电压差，从而实现对未编程MTM反熔丝的保护，提高MTM反熔丝PROM存储器的可靠性。

关键词：反熔丝电阻限压保护编程半导体集成电路编程控制信号读出使能信号常规反相器编程电阻存储单元存储数据读出操作读出电路存储器电压差反相器隔离管下拉管预充管

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一种宽电压域SRAM读写时序控制电路及方法

一种宽电压域SRAM读写时序控制电路及方法

引用

作者：刘政林邓茜于润泽黎振豪汪钊旭 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

本发明提供了一种宽电压域SRAM读写时序控制电路及方法。控制电路包括：信号锁存模块，在时钟上升沿锁存地址信号、数据信号、使能信号和读写选择信号；时序控制模块根据锁存的使能信号和读写选择信号产生读写操作开启信号和读写标志信... 详细信息

标准号: CN116206651B

本发明提供了一种宽电压域SRAM读写时序控制电路及方法。控制电路包括：信号锁存模块，在时钟上升沿锁存地址信号、数据信号、使能信号和读写选择信号；时序控制模块根据锁存的使能信号和读写选择信号产生读写操作开启信号和读写标志信号；根据位线放电时间产生复位信号、读出使能信号和预充电使能信号；写驱动模块根据读写操作开启信号、地址信号和写标志信号，产生行选信号和写字线信号；读驱动模块根据读写操作开启信号、行选信号、地址信号和读标志信号产生读字线信号；复制列模块根据复制列的读字线信号进行读操作，并将位线信号输出给时序控制模块。实现了精确控制读操作和写操作的开启和结束时间。

关键词：标志信号读写操作开启信号使能信号读写时序控制模块地址信号控制电路驱动模块行选信号选择信号读操作读字线复制读出使能信号锁存地址信号信号锁存模块时钟上升沿读写时序复位信号时间产生数据信号位线信号宽电压写操作写字线预充电放电锁存位线输出

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一种宽电压域SRAM读写时序控制电路及方法

一种宽电压域SRAM读写时序控制电路及方法

引用

作者：刘政林邓茜于润泽黎振豪汪钊旭 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

标准号: CN116206651A

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具有脉冲控制的读出放大器

具有脉冲控制的读出放大器

引用

作者： F·阿梅德郑春明允思相美国加利福尼亚州

一种读出放大器被提供有成对的第一上拉晶体管，它们被配置为在延迟的读出使能信号未被确立时向对应的输出端子对充电，并且在延迟的读出使能信号被确立时停止向对应的输出端子对充电。

标准号: CN107533855B

关键词：读出使能信号输出端子延迟充电读出放大器上拉晶体管成对的配置

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具有脉冲控制的读出放大器

具有脉冲控制的读出放大器

引用

作者： F·阿梅德郑春明允思相美国加利福尼亚州

标准号: CN107533855A

关键词：读出使能信号输出端子延迟充电读出放大器上拉晶体管成对的配置

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存储系统及存储方法

存储系统及存储方法

引用

作者：袁庆鹏任建军郝清山 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区盛夏路570号807室

本发明提供了一种存储系统，包括控制单元、存储阵列、行解码单元、列解码单元和读出放大单元，所述存储阵列包括至少两个存储阵列单元。本发明的所述存储系统的不同存储阵列单元在所述控制单元的写入控制下存储相互独立的数据或者互为... 详细信息

标准号: CN110033797A

本发明提供了一种存储系统，包括控制单元、存储阵列、行解码单元、列解码单元和读出放大单元，所述存储阵列包括至少两个存储阵列单元。本发明的所述存储系统的不同存储阵列单元在所述控制单元的写入控制下存储相互独立的数据或者互为反码的数据，所述读出放大单元在所述控制单元的第一读出使能信号的控制下，读取单条选中位线上的独立数据，有利于实现数据存储的高密度配置；或者在所述控制单元的第二读出使能信号的控制下，同时接收不同选中位线上的位线信号，以读取不同所述位线上的互为反码的数据，满足了高可靠性的需求，提高了所述存储系统的应用灵活性。本发明还提供了应用所述存储系统实现的存储方法。

关键词：存储系统存储阵列单元读出放大单元读出使能信号读取存储阵列解码单元反码选中存储高密度配置应用灵活性独立数据高可靠性数据存储位线信号写入控制单条应用

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半导体装置及调试系统

半导体装置及调试系统

引用

作者：西山高浩日本京都

本发明不对程序的执行动作产生影响地监控CPU等的读出或写入数据。本发明涉及一种半导体装置及调试系统。LSI具备：处理部，执行程序；存储部，能够执行读出动作或写入动作；内部总线，连接在处理部及存储部；以及监控部(21)。处理部能... 详细信息

标准号: CN111625411A

本发明不对程序的执行动作产生影响地监控CPU等的读出或写入数据。本发明涉及一种半导体装置及调试系统。LSI具备：处理部，执行程序；存储部，能够执行读出动作或写入动作；内部总线，连接在处理部及存储部；以及监控部(21)。处理部能够执行读出访问或写入访问，该读出访问是将读出使能信号(RE)及地址信号(ADD)输出到内部总线，该写入访问是将写入数据(WD)、写入使能信号(WE)及地址信号输出到内部总线。存储部响应读出访问而将读出数据输出到内部总线，响应写入访问而存储写入数据。监控部在存在符合所设定的监控条件的访问时，锁存要经由内部总线而传送的读出数据或写入数据。

关键词：内部总线读出写入数据访问存储部写入监控部存储写入数据地址信号输出读出使能信号读出数据输出写入使能信号半导体装置不对程序地址信号调试系统动作产生读出数据监控条件写入动作监控CPU 响应锁存传送输出

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存储系统及存储方法

存储系统及存储方法

引用

作者：袁庆鹏任建军郝清山 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区盛夏路570号807室

标准号: CN110033797B

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逐行/隔行读出可选的焦平面读出电路

逐行/隔行读出可选的焦平面读出电路

引用

作者：李毅强刘昌举吴治军祝晓笑任思伟刘业琦 400060 重庆市南岸区花园路14号电子44所

为解决现有技术焦平面读出电路存在的采用逐行读出的读出方式，不能适应PAL、NTSC等电视制式的要求等问题，本发明提出一种逐行/隔行读出可选的焦平面读出电路，包括行读出使能信号产生模块、行地址产生模块和行译码模块；所述行读出使... 详细信息

标准号: CN104270586B

为解决现有技术焦平面读出电路存在的采用逐行读出的读出方式，不能适应PAL、NTSC等电视制式的要求等问题，本发明提出一种逐行/隔行读出可选的焦平面读出电路，包括行读出使能信号产生模块、行地址产生模块和行译码模块；所述行读出使能信号产生模块能够采集电路中的其他信号并进行处理后输出行读出使能信号；所述行地址产生模块能够在逐行/隔行选择控制信号的控制下分别进入逐行或隔行读出模式；所述行译码模块能够在奇偶行使能控制信号的控制下分别进入逐行或隔行读出模式；并且，还设置有场同步信号和逐行/隔行选择控制信号。本发明的有益技术效果是能够方便的对焦平面读出电路进行隔行读出与逐行读出之间的切换，适应电视制式的不同要求。

关键词：逐行隔行读出产生模块读出电路选择控制信号电视制式读出模式使能信号译码模块焦平面行地址行读出读出使能信号场同步信号采集电路技术效果控制信号可选的输出行对焦奇偶

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