检索结果-内蒙古大学图书馆

《IEEE EDL》1992年9月份报道了9态谐振隧道二极管的研制。由于在多态存储器、AD变换、多值逻辑和神经网络等方面均需用多峰谐振隧道器件,因此,它有较广泛的用途。目前,态数目最多的器件是5态谐振隧道二极管(RTD)。因态数目受到不掺杂双势垒结构积累串联电阻的限制,且该电阻又导致RTD伏安特性的滞后现象。美国TI公司通过结构工艺的改进及采用场效应管作负载,使器件态的数目增至9个。

关键词：存储器存贮器计算机谐振隧道二极管 RTD

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太赫兹收发器及其制造方法

太赫兹收发器及其制造方法

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作者：王威智马林甘菲奥娜·玛丽·王美国华盛顿州

本公开提供了一种太赫兹(THz)收发器，包括三重势垒谐振隧道二极管(TBRTD)、电连接到TBRTD的发射极和集电极的谐振器天线、以及设置在谐振器天线上方并且与谐振器天线垂直对准的辐射器天线，用以减小系统尺寸。还提供了相应的THz收发器... 详细信息

标准号: CN118318400A

本公开提供了一种太赫兹(THz)收发器，包括三重势垒谐振隧道二极管(TBRTD)、电连接到TBRTD的发射极和集电极的谐振器天线、以及设置在谐振器天线上方并且与谐振器天线垂直对准的辐射器天线，用以减小系统尺寸。还提供了相应的THz收发器的制造方法。

关键词：谐振器天线收发器谐振隧道二极管辐射器天线垂直对准电连接发射极集电极减小势垒制造

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基本电路

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电子科技文摘 1999年第2期 41-51页

Y98-61297-285 9901795采用基于谐振隧道二极管的多值文字门电路的信号处理应用=Signal processing applications using multiplevalued literal gate based on resonant tunneling diodes[会,英]/Tang,H.& Lin,H.C.//1997 IEEE Int... 详细信息

关键词：滑频滤波器基本电路谐振隧道二极管带通滤波器运算放大器处理应用新方法频率响应调制器设计方法

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半导体二极管

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电子科技文摘 2000年第8期 26-27页

Y2000-62067-228 0012674采用0.8μm BiCMOS 技术的硅发光二极管光谱特性=Spectral characteristics of Si light emitting diodes in a0.8μm BiCMOS technology[会,英]/Plessis,*** &Aharoni,H.//1998 IEEE International Confere... 详细信息

关键词：半导体二极管光谱特性二极管特性发光二极管阵列硅发光毫米波集成电路谐振隧道二极管生长技术有机发光二极管室温

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振荡技术与振荡器、谐振回路

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电子科技文摘 1999年第4期 50-51页

Y98-61299-1736 9904687近正弦振荡器的符号分析=Symbolic analysis of nearlysinusoidal oscillators[会,英]/Buonomo,A.& Bello,C.D.//1997 IEEE International Symposium on Circuitsand Systems,Vol.3.—1736～1739(Ⅰ)

关键词：振荡技术环形振荡器谐振回路正弦振荡器符号分析谐振隧道二极管脉冲发生器传输线模拟信号千兆赫

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半导体器件

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电子科技文摘 2000年第6期 21-22页

Y2000-62067-39 0009254超高容量光通信系统用飞秒半导体光电器件=Fem-tosecond semiconductor optoelectronic devices for ultra-high throughput optical communication systems[会,英]/Wada,O.//1998 IEEE International Conference... 详细信息

关键词：半导体器件半导体光电器件光通信系统高电子迁移率晶体管高容量谐振隧道二极管流体动力学模型飞秒非抛物型能带电子器件

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半导体二极管

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电子科技文摘 2000年第5期 26-27页

Y99-61799-613 0007497在倍频器应用性能研究中的双势垒谐振隧道二极管=Double barrier resonant tunneling diodes in frequencymultiplier applications performance study[会,英]/Necu-loiu,D.& Dobrescu,D.//Proceedings of 199... 详细信息

关键词：谐振隧道二极管半导体二极管倍频器性能研究双势垒光电二极管外保护环暗电流瞬态特性应用

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超高速SRAM高集成化

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固体电子学研究与进展 1994年第4期 356-356页

作者：陈兆铮

超高速ＳＲＡＭ高集成化据《于Ｖ匕Ｖ。＞学会志））１９９３年第２期报道，日本富士通公司已研究出一种把高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）和谐振隧道二极管集成在一起的方法。采用这种方法，可把以前用６个ＨＥＭＴ构成的ＳＲＡＭ单元... 详细信息

超高速ＳＲＡＭ高集成化据《于Ｖ匕Ｖ。＞学会志））１９９３年第２期报道，日本富士通公司已研究出一种把高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）和谐振隧道二极管集成在一起的方法。采用这种方法，可把以前用６个ＨＥＭＴ构成的ＳＲＡＭ单元（记忆元件的基本构成单位），用１个...

关键词：高集成化 SRAM 谐振隧道二极管

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