检索结果-内蒙古大学图书馆

北京大学学报（自然科学版） 2013年第3期49卷 383-388页

作者：徐峰王新安陈勖北京大学深圳研究生院集成微系统科学工程与应用重点实验室深圳518055 北京大学微电子学研究院北京100871

报道一种工作在K波段的压控振荡器的设计和性能。该压控振荡器采用基于pHEMT工艺的有源器件,用紧凑的边缘通孔电磁带隙谐振结构替代传统的谐振电路,实现压控振荡器的小型化。测试结果表明,该电路工作频段为22.9-25.6 GHz,在23.6 GHz的... 详细信息

报道一种工作在K波段的压控振荡器的设计和性能。该压控振荡器采用基于pHEMT工艺的有源器件,用紧凑的边缘通孔电磁带隙谐振结构替代传统的谐振电路,实现压控振荡器的小型化。测试结果表明,该电路工作频段为22.9-25.6 GHz,在23.6 GHz的最大输出功率为10.4 dBm,且在24-25.6 GHz频段的输出功率平坦度小于1 dB。在偏离载频1 MHz处测得的压控振荡器相位噪声约为95 dBc/Hz。整体电路面积为17 mm×7.5 mm。

关键词： K波段压控振荡器赝高电子迁移率晶体管电磁带隙

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多倍频程超宽带接收机芯片关键技术研究

多倍频程超宽带接收机芯片关键技术研究

引用

作者：胡建全电子科技大学

学位级别：博士

针对宽带和多模无线通信系统、高速率数据传输、测试仪器仪表和光通信等对宽带接收机射频前端的应用需求,对包括宽带低噪声放大器和宽带混频器在内的接收机中的核心电路的设计和片上实现方法进行了研究。论文的主要内容包括:(1)为了达... 详细信息

针对宽带和多模无线通信系统、高速率数据传输、测试仪器仪表和光通信等对宽带接收机射频前端的应用需求,对包括宽带低噪声放大器和宽带混频器在内的接收机中的核心电路的设计和片上实现方法进行了研究。论文的主要内容包括:(1)为了达到宽带低噪声放大器在片上集成偏置电路的目的,提出了适用于从接近直流的低频开始到几十GHz高频的超宽带电路的偏置电路的解决方案。提出的偏置电路充分利用pHEMT晶体管的直流特性,在超宽带范围内对信号表现出良好的扼流特性。文中对提出的偏置电路的原理进行了深入的分析和说明。(2)在对实现宽带低噪声放大器的方法进行总结和凝练的基础上,提出并设计实现了多款超宽带低噪声放大器电路:a.设计实现了一款0.1到20 GHz的超宽带低噪声放大器。在该设计中通过同时引入两个峰化电感来增强和改善带内的增益平坦度和噪声系数;同时,通过优化共栅极晶体管的栅极与地之间的电容来进一步提升放大器的高频增益;最后,采用LC-ladder匹配网络来实现宽带范围内的噪声和增益匹配。b.设计实现了一款0.1到23 GHz的超宽带低噪声放大器。该低噪声放大器充分利用反馈回路的频率依赖特性,基于理论分析对反馈回路进行设计,使得设计的低噪声放大器同时实现宽带和平坦的增益响应。文中对提出的低噪声放大器的频率依赖特性、低频特性、噪声和线性度等进行了详尽地分析,并对采用提出的技术实现宽带低噪声放大器的方法进行了总结和验证。c.设计实现了一款0.1到40 GHz的超宽带低噪声放大器。该低噪声放大器电路在传统的Cascode结构的基础上通过引入电阻电容反馈来拓展低频端的带宽;同时,通过引入串联和并联电感峰化技术来延缓和补偿高频的增益滚降,从而实现对高频端带宽的拓展。文中分别从时域和频域对提出的超宽带低噪声放大器的带宽拓展原理进行了分析说明。d.设计实现了一款0.1到50 GHz的超宽带低噪声放大器。该低噪声放大器是以噪声级联公式为指导。第一级采用高增益和低噪声的放大器单元,而第二和第三级则采用改进型的带反馈的Cascode达林顿结构放大器单元,以实现更宽的增益带宽。文中从跨导增强、密勒效应消除和高频增益优化三个方面对带反馈的Cascode达林顿结构放大器单元的带宽拓展原理进行了分析说明。e.设计实现了一款0.1到52 GHz的超宽带低噪声放大器。该低噪声放大器单元电路是在Triple Cascode结构的基础上引入电阻电容反馈和电感峰化技术,结合多种带宽拓展技术实现超宽带低噪声放大器。文中对提出的放大器单元的带宽拓展和噪声改善原理进行了分析说明。(3)对超宽带混频器电路的实现方法进行了研究,并设计实现两款超宽带混频器电路:a.设计实现了一款0.1到5 GHz的混频器。该混频器在芯片上集成了本振buffer、混频单元和中频放大器,通过改变芯片外部的匹配电路来对特定频段的性能进行优化。从应用的角度考虑,该混频器芯片电路被封装在了3 mm×3 mm的QFN管壳中,并对包括800 MHz和1.7 GHz在内的典频段的性能进行了验证。b.设计实现了一款0.1到50 GHz的超宽带混频器。提出的混频器电路解决了传统的分布式混频器带宽和线性度之间的矛盾,同时实现了宽带和高线性度的目的。文中对提出的混频器的设计思想和实现方法进行了详尽地说明。(4)在设计的超宽带低噪声放大器和混频器的基础上,对两个电路模块进行了集成设计。实现了一款0.1到50 GHz的超宽带接收机射频前端电路,文中对实现的宽带接收机前端电路的性能指标进行了测试和验证。

关键词：超宽带接收机芯片超宽带低噪声放大器超宽带混频器微波单片集成电路赝高电子迁移率晶体管

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7～13.5GHz单片低噪声放大器设计

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半导体技术 2013年第7期38卷 497-501,524页

作者：朱思成默立冬中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7～13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路。该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及测试仪器和测试系统中。电路采用两级级联的放大结构,每级采用自偏压技术实现单电源供电。电路中增加... 详细信息

采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7～13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路。该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及测试仪器和测试系统中。电路采用两级级联的放大结构,每级采用自偏压技术实现单电源供电。电路中增加并联负反馈结构,以提高增益平坦度。电路输出后端增加阻性电路,提高部分频段的稳定性,在全频段上满足无条件稳定的条件。在频率为7～13.5 GHz范围内,外加工作电压3 V,对低噪声放大器芯片进行了在片测试,测试结果表明,在带内放大器的噪声系数小于1.6 dB,小信号增益大于17 dB,输入回波损耗低于-12 dB,输出回波损耗低于-15 dB;低噪声放大器芯片面积为2.15 mm×1.15 mm。

关键词：赝高电子迁移率晶体管电子迁移率晶体管(PHEMT) 低噪声放大器负反馈噪声系数回波损耗

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基于GaAsPHEMT的6～10GHz多功能芯片

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半导体技术 2014年第2期39卷 103-107页

作者：徐伟吴洪江魏洪涛周鑫中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

介绍了一种基于GaAsPHEMT工艺的多功能芯片（MFC）设计。该芯片主要用于双向放大，具有低噪声性能和中等功率能力。综合考虑噪声、功率、效率和有源器件的正常工艺波动，选取合适的器件及其工作点、电路拓扑结构，使电路性能达到最优。... 详细信息

介绍了一种基于GaAsPHEMT工艺的多功能芯片（MFC）设计。该芯片主要用于双向放大，具有低噪声性能和中等功率能力。综合考虑噪声、功率、效率和有源器件的正常工艺波动，选取合适的器件及其工作点、电路拓扑结构，使电路性能达到最优。采用大信号模型、噪声模型和开关模型联合仿真完成该芯片设计，并对版图进行电磁场仿真。测试结果表明，在6～10GHz频带内：小信号增益大于18．5dB，增益平坦度小于±0．2dB，输入／输出电压驻波比小于1．4：1，噪声系数小于2．2dB，1dB压缩点输出功率大于14dBm。芯片尺寸为2．4mm×2．6mm。

关键词：多功能芯片(MFC) 砷化镓赝高电子迁移率晶体管单片微波集成电路大信号模型

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L波段常温低噪声放大器设计

L波段常温低噪声放大器设计

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作者：江龙中国科学院大学

学位级别：硕士

低噪声放大器(Low Noise Amplifier，LNA)是射电望远镜等无线电接收机系统中的前级部件，其噪声性能决定了接收机系统的噪声温度，对整个射电望远镜的灵敏度起着重要的作用。本文以砷化镓工艺的赝高电子迁移率晶体管（Pseudomorphic Hig... 详细信息

低噪声放大器(Low Noise Amplifier，LNA)是射电望远镜等无线电接收机系统中的前级部件，其噪声性能决定了接收机系统的噪声温度，对整个射电望远镜的灵敏度起着重要的作用。本文以砷化镓工艺的赝高电子迁移率晶体管（Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor，pHEMT）器件为基础，采用基于分立器件的设计方法完成了L波段常温LNA的研制。论文主要包括以下三个方面。　　首先是相关理论的研究，包括晶体管层级结构和特点、二端口网络、LNA拓扑结构、史密斯圆图、LNA部分关键参数和化学镀镍浸金工艺。　　其次对LNA主要设计步骤进行详细介绍，逐步完成了晶体管选型、偏置电路设计、匹配电路设计、电路整体优化、版图联合仿真和制版焊接测试。研制出采用FR4板材和无铅喷锡工艺的LNA，其工作频率覆盖1.3～1.7GHz，增益大于27dB，75％频带范围内噪声温度优于60K，输入回波损耗优于-10dB，输出回波损耗优于-8dB，输出1dB压缩点为+12.5dBm。　　最后为获得更好的噪声性能，采用高频性能更好的RO4350B板材和化学镀镍浸金工艺进行LNA的研制。研制成功的LNA工作频率覆盖1.3～2.0GHz，典型增益28dB(@1.3GHz)，60％频带范围内噪声温度40K，典型噪声温度35K(@1.8GHz)，输入回波损耗优于-8dB，输出回波损耗优于-15dB，输出1dB压缩点为+12dBm。　　本文研制的两款LNA均采用两级拓扑结构，且具有良好的输入输出匹配、增益、噪声性能和动态范围，除了可用于射电天文中对中性氢、脉冲星和羟基进行观测的射电望远镜接收机中以外，还可以用在对灵敏度要求较高的通讯和雷达等应用的L波段接收机中。

关键词：射电望远镜低噪声放大器 L波段赝高电子迁移率晶体管制备工艺

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基于PHEMT的Ka波段宽带低噪声放大器设计

基于PHEMT的Ka波段宽带低噪声放大器设计

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2015年全国微波毫米波会议

作者：何欢夏同生孙国琳苗俊刚北京航空航天大学电子信息工程学院

采用砷化镓工艺,基于赝配高电子迁移率晶体管器件,设计了一种Ka波段的宽带低噪声放大器,可应用于对通频带和噪声系数要求较高的毫米波通信领域。放大器由四级电路构成,前两级采用叉指数多的晶体管来降低噪声,后两级采用栅级宽度较大的... 详细信息

采用砷化镓工艺,基于赝配高电子迁移率晶体管器件,设计了一种Ka波段的宽带低噪声放大器,可应用于对通频带和噪声系数要求较高的毫米波通信领域。放大器由四级电路构成,前两级采用叉指数多的晶体管来降低噪声,后两级采用栅级宽度较大的晶体管获得高增益并使用反馈电路拓宽频带。仿真设计结果表明,在28-36GHz的通频带内,增益大于23d B,噪声系数小于3d B,输入、输出反射系数均小于-10d B,电路在通频带内无条件稳定。该低噪声放大器的设计满足了实际需求。

关键词： Ka波段砷化镓低噪声放大器赝高电子迁移率晶体管宽带

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