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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

18 篇 专利

馆藏范围

18 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

5 篇 英飞凌科技股份有...
3 篇 英飞凌科技奥地利...
3 篇 意法半导体股份有...
2 篇 马克斯半导体股份...
1 篇 克里公司
1 篇 沃孚半导体公司
1 篇 半导体元件工业有...
1 篇 新时代电力系统有...
1 篇 罗伯特·博世有限公...

作者

3 篇 c·特林加里
3 篇 e·扎内蒂
3 篇 s·拉斯库纳
3 篇 a·瓜尔内拉
3 篇 l·弗拉加帕内
3 篇 m·g·萨吉奥
2 篇 h-j.舒尔策
2 篇 a·费拉拉
2 篇 哈姆扎·耶勒马兹
1 篇 d·克雷布斯
1 篇 e.法尔克
1 篇 g·库拉托拉
1 篇 安德鲁·j·沃克
1 篇 k.施拉姆尔
1 篇 a.布赖梅泽尔
1 篇 a.莫泽尔
1 篇 e·r·范布伦特
1 篇 h.梅克尔
1 篇 张清纯
1 篇 o.赫伯伦

语言

18 篇 中文

检索条件"主题词=边缘终止结构"

共 18 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

用于半导体装置的边缘终止结构

用于半导体装置的边缘终止结构

引用

作者： E·R·范布伦特 T·E·哈林顿三世美国北卡罗莱纳

公开了半导体装置，并且更具体地是具有改善的边缘终止结构的半导体装置。半导体装置包括形成有源区域的部分的漂移区域。边缘终止区域沿着有源区域的周边布置并且还包括漂移区域的一部分。边缘终止区域包括与漂移区域相反掺杂类型的一... 详细信息

标准号: CN116601773A

公开了半导体装置，并且更具体地是具有改善的边缘终止结构的半导体装置。半导体装置包括形成有源区域的部分的漂移区域。边缘终止区域沿着有源区域的周边布置并且还包括漂移区域的一部分。边缘终止区域包括与漂移区域相反掺杂类型的一个或多个子区域，并且一个或多个电极可以通过一个或多个子区域电容地耦合到漂移区域。在用于半导体装置的正向阻断模式期间，一个或多个电极可以提供将离子从边缘终止区域上的钝化层和有源区域吸引走的路径。以这种方式，半导体装置可以表现出减少的泄漏，特别是在较高的操作电压和较高的相关联操作温度下。

关键词：半导体装置漂移区域边缘终止源区域电极边缘终止结构操作电压掺杂类型关联操作区域电容钝化层耦合到正向离子泄漏吸引表现

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具有边缘终止结构的半导体器件

具有边缘终止结构的半导体器件

引用

作者： G.施密特 E.法尔克德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-15号

公开了具有边缘终止结构的半导体器件。公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体本体(100)，具有第一主表面(101)、边缘表面(103)、内部区(110)以及被布置在内部区(110)和边缘表面(103)之间的边缘区(120)；布置在内部区(110)中... 详细信息

标准号: CN111834444A

公开了具有边缘终止结构的半导体器件。公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体本体(100)，具有第一主表面(101)、边缘表面(103)、内部区(110)以及被布置在内部区(110)和边缘表面(103)之间的边缘区(120)；布置在内部区(110)中的第一掺杂类型的第一半导体区(11)和布置在内部区(110)和边缘区(120)中的第二掺杂类型的第二半导体区(21)，其中在第一半导体区(11)和第二半导体区(21)之间形成pn结(12)；以及边缘终止结构(30)。边缘终止结构包括：第一掺杂类型的第三半导体区(31)，其被布置在边缘区(120)中并且邻接第一半导体区(11)，其中第三半导体区(31)的掺杂剂量朝向边缘表面(103)而减小；第二半导体区(21)的邻接第一主表面(101)的表面区段(33)；以及具有高于10⁹Ωcm的特定电阻的非晶钝化层(32)，其形成在第一主表面(101)上，并且邻接第二半导体区(21)的表面区段(33)以及第三半导体区(31)。边缘终止结构(30)在半导体本体(100)中在横向方向上具有宽度(w30)，以及第三半导体区(31)的在与第一半导体区(11)间隔开边缘终止结构(30)的宽度(w30)的50%的横向位置(x1)处的电有源掺杂剂量至少为Q_BR/q，其中Q_BR是半导体本体(100)的半导体材料的击穿电荷并且q是基元电荷。

关键词：半导体区边缘终止结构内部区半导体本体半导体器件边缘表面掺杂类型邻接边缘区主表面表面区段掺杂剂量电荷半导体材料横向方向横向位置钝化层电阻非晶击穿基元减小

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具有边缘终止结构的碳化硅半导体器件

具有边缘终止结构的碳化硅半导体器件

引用

作者： L.韦尔汉-基利安 R.埃尔佩尔特 R.鲁普 R.西米尼克 B.齐佩留斯德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-15号

本发明涉及一种半导体器件（500），其具有拥有有源区（610）和至少部分围绕有源区（610）的边缘终止结构（190）的SiC半导体本体（100）。在SiC半导体本体（100）中构造有第一导电类型的漂移区（131）。边缘终止结构（190）具有在SiC... 详细信息

标准号: CN109841665A

本发明涉及一种半导体器件（500），其具有拥有有源区（610）和至少部分围绕有源区（610）的边缘终止结构（190）的SiC半导体本体（100）。在SiC半导体本体（100）中构造有第一导电类型的漂移区（131）。边缘终止结构（190）具有在SiC半导体本体（100）的第一表面（101）和漂移区（131）之间的第二导电类型的第一掺杂区（191）。第一掺杂区（191）至少部分围绕有源区（610）并且与第一表面（101）间隔开。边缘终止结构（190）还具有在第一表面（101）和第一掺杂区（191）之间的第二导电类型的第二掺杂区（192）和在第二掺杂区（192）之间的第一导电类型的第三掺杂区（193）。

关键词：掺杂区边缘终止结构半导体本体第一表面源区第一导电类型导电类型漂移区半导体器件

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具有沟槽隔离区的边缘终止结构

具有沟槽隔离区的边缘终止结构

引用

作者： A.布赖梅泽尔 E.格里布尔 O.赫伯伦 A.莫泽尔 H-J.舒尔策 S.福斯德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号

本发明涉及具有沟槽隔离区的边缘终止结构。一种半导体器件包含半导体基体和边缘终止结构。该边缘终止结构包括第一氧化层、第二氧化层、在该第一氧化层和该第二氧化层之间的半导体台面区以及包括在该半导体台面区中的第一片段以及在该... 详细信息

标准号: CN104347475B

本发明涉及具有沟槽隔离区的边缘终止结构。一种半导体器件包含半导体基体和边缘终止结构。该边缘终止结构包括第一氧化层、第二氧化层、在该第一氧化层和该第二氧化层之间的半导体台面区以及包括在该半导体台面区中的第一片段以及在该半导体台面区以下的区中的第二片段的掺杂场区。该第二片段在该半导体台面区以下的区中与该第一和第二氧化层重叠。

关键词：氧化层半导体台面边缘终止结构半导体基体半导体器件沟槽隔离区场区掺杂

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用于边缘终止的负电荷提取结构

用于边缘终止的负电荷提取结构

引用

作者：石京郁克利福德·德劳利安德鲁·J·沃克安德鲁·P·爱德华兹美国加利福尼亚州

一种氮化镓(GaN)功率器件包括：GaN衬底结构，其具有第一表面和第二表面；金属层，其耦合到GaN衬底结构的第二表面；以及有源区，其包括耦合到GaN衬底结构的垂直的基于鳍的场效应晶体管(FinFET)的阵列。GaN功率器件还包括：边缘终止结... 详细信息

标准号: CN116978926A

一种氮化镓(GaN)功率器件包括：GaN衬底结构，其具有第一表面和第二表面；金属层，其耦合到GaN衬底结构的第二表面；以及有源区，其包括耦合到GaN衬底结构的垂直的基于鳍的场效应晶体管(FinFET)的阵列。GaN功率器件还包括：边缘终止结构，其外接有源区；和密封环结构，其外接边缘终止结构并且包括能操作为将电荷从边缘终止结构传导到金属层的密封环金属焊盘。

关键词：边缘终止结构衬底结构第二表面金属层耦合到源区场效应晶体管密封环结构第一表面功率器件金属焊盘电荷垂直的氮化镓密封环传导

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具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法

具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法

引用

作者： E·扎内蒂 S·拉斯库纳 M·G·萨吉奥 A·瓜尔内拉 L·弗拉加帕内 C·特林加里意大利阿格拉布里安扎

本公开涉及具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法。一种电子器件的制造方法包括：形成N型的漂移层；在漂移层中形成沟槽；通过注入P型的掺杂剂物种，在沟槽旁边形成边缘终止结构；以及通过挖掘漂移层，在沟槽与边缘终止结构之间形成... 详细信息

标准号: CN115332071A

本公开涉及具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法。一种电子器件的制造方法包括：形成N型的漂移层；在漂移层中形成沟槽；通过注入P型的掺杂剂物种，在沟槽旁边形成边缘终止结构；以及通过挖掘漂移层，在沟槽与边缘终止结构之间形成凹陷区域。形成凹陷区域和沟槽的步骤同时执行。形成凹陷区域的步骤包括将漂移层图案化，以与边缘终止结构形成具有第一斜率的结构连接，并且形成沟槽的步骤包括蚀刻漂移层，以限定沟槽的侧壁，该侧壁具有比第一斜率更陡的第二斜率。

关键词：漂移层边缘终止结构凹陷区域侧壁蚀刻半导体器件边缘结构电子器件结构连接掺杂剂图案化制造物种挖掘

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具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法

具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法

引用

作者： E·扎内蒂 S·拉斯库纳 M·G·萨吉奥 A·瓜尔内拉 L·弗拉加帕内 C·特林加里意大利阿格拉布里安扎

标准号: CN110010467B

关键词：漂移层边缘终止结构凹陷区域侧壁蚀刻半导体器件边缘结构电子器件结构连接掺杂剂图案化制造物种挖掘

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具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法

具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法

引用

作者： E·扎内蒂 S·拉斯库纳 M·G·萨吉奥 A·瓜尔内拉 L·弗拉加帕内 C·特林加里意大利阿格拉布里安扎

标准号: CN110010467A

关键词：漂移层边缘终止结构凹陷区域侧壁蚀刻半导体器件边缘结构电子器件结构连接掺杂剂图案化制造物种挖掘

来源：评论

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功率半导体器件

功率半导体器件

引用

作者： M.费尔 P.C.布兰特 E.莱歇尔 H.梅克尔 K.施拉姆尔德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-15号

一种功率半导体器件（1），其包括：半导体本体（10），其具有耦合到第一负载端子结构（11）的正面（10‑1）和耦合到第二负载端子结构（12）的背面（10‑2）。该半导体本体（10）包括：有源区（106）；具有第一导电类型（100）的漂移区（... 详细信息

标准号: CN110660795A

一种功率半导体器件（1），其包括：半导体本体（10），其具有耦合到第一负载端子结构（11）的正面（10‑1）和耦合到第二负载端子结构（12）的背面（10‑2）。该半导体本体（10）包括：有源区（106）；具有第一导电类型（100）的漂移区（100）；以及芯片边缘（109）。该功率半导体器件（1）进一步包括边缘终止结构（108），该边缘终止结构（108）至少部分包括在半导体本体（10）中，并且包括：具有与第一导电类型互补的第二导电类型的至少一个半导体边缘终止区（107）；以及屏蔽层（15），其包括半导体材料并通过第一绝缘层（161）与至少一个半导体边缘终止区（107）绝缘。

关键词：半导体本体功率半导体器件边缘终止结构第一导电类型边缘终止区负载端子耦合到半导体绝缘层半导体材料导电类型芯片边缘漂移区屏蔽层源区绝缘背面

来源：评论

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半导体管芯及制造其的方法

半导体管芯及制造其的方法

引用

作者： A·费拉拉 D·雷根费尔德纳 T·R·西门尼克奥地利菲拉赫西门子大街2号

本申请涉及一种半导体管芯(1)，具有半导体器件(2)和横向位于半导体器件(2)和管芯(1)的横向边缘(10)之间的边缘终止结构(3)，边缘终止结构(3)包括：第一内屏蔽电极区(30)，在延伸到半导体本体(15)中的沟槽(33)中具有屏蔽电极(31)；外屏... 详细信息

标准号: CN117410335A

本申请涉及一种半导体管芯(1)，具有半导体器件(2)和横向位于半导体器件(2)和管芯(1)的横向边缘(10)之间的边缘终止结构(3)，边缘终止结构(3)包括：第一内屏蔽电极区(30)，在延伸到半导体本体(15)中的沟槽(33)中具有屏蔽电极(31)；外屏蔽电极区(50)，在延伸到半导体本体(15)中的沟槽(53)中具有屏蔽电极(51)并沿第一横向方向(11)设置在第一内屏蔽电极区(30)和所述管芯(1)的横向边缘(10)之间；阱区(60)，形成在半导体本体(15)中邻近第一内屏蔽电极区(30)的沟槽(33)，其中第一内屏蔽电极区(30)的屏蔽电极(31)电连接到阱区(60)以从阱区(60)引出电位，并且其中外屏蔽电极区(50)的屏蔽电极(51)电连接到第一内屏蔽电极区(30)的屏蔽电极(31)。

关键词：电极区屏蔽电极内屏蔽半导体本体阱区边缘终止结构半导体器件横向边缘电连接外屏蔽管芯电位半导体管芯横向方向延伸邻近申请

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