检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：林倩邬海峰张晓明 810007 青海省西宁市城东区八一路3号

本发明公开了一种基于堆叠型三阶达林顿管的超宽带放大器，包括二阶矩阵输入分配网络、二阶矩阵级间平衡网络、二阶矩阵输出合成网络、第一堆叠型三阶达林顿管、第二堆叠型三阶达林顿管、第三堆叠型三阶达林顿管、第四堆叠型三阶达林顿... 详细信息

标准号: CN109450389B

本发明公开了一种基于堆叠型三阶达林顿管的超宽带放大器，包括二阶矩阵输入分配网络、二阶矩阵级间平衡网络、二阶矩阵输出合成网络、第一堆叠型三阶达林顿管、第二堆叠型三阶达林顿管、第三堆叠型三阶达林顿管、第四堆叠型三阶达林顿管以及与二阶矩阵级间平衡网络和二阶矩阵输出合成网络相连的馈电网络，本发明核心架构采用第一至第四堆叠型三阶达林顿管组成的矩阵放大网络，利用三阶达林顿管良好的高截止频率特性，同时利用堆叠晶体管高功率容量特性，与二阶矩阵功率放大器超宽带频响特性相结合，使得整个功率放大器获得了良好的宽带高增益和高功率输出能力。

关键词：达林顿管三阶二阶矩阵堆叠功率放大器平衡网络输出合成网络超宽带放大器矩阵堆叠晶体管高功率输出核心架构截止频率馈电网络频响特性容量特性输入分配超宽带高功率高增益宽带放大

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一种达林顿管驱动电路、方法以及开关电源管理芯片

一种达林顿管驱动电路、方法以及开关电源管理芯片

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作者：黄裕泉黄冲许如柏 518000 广东省深圳市南山区科技园科技南十二路长虹科技大厦10楼5-8室

本发明公开了一种达林顿管驱动电路、方法以及开关电源管理芯片，驱动电路用于驱动所述达林顿管交替工作于导通周期和关断周期，驱动电路包括：第一驱动源，与前级管的控制端连接，用于给所述前级管提供驱动电流；第二驱动源，与后级管... 详细信息

标准号: CN116827094A

本发明公开了一种达林顿管驱动电路、方法以及开关电源管理芯片，驱动电路用于驱动所述达林顿管交替工作于导通周期和关断周期，驱动电路包括：第一驱动源，与前级管的控制端连接，用于给所述前级管提供驱动电流；第二驱动源，与后级管的控制端连接，用于给所述后级管提供驱动电流；控制模块，用于在每一所述导通周期开始时同步控制所述第二驱动源开始驱动所述后级管，在所述后级管完全导通之后控制所述第一驱动源开始驱动所述前级管，且在控制所述第一驱动源开始驱动前级管的同时同步控制所述第二驱动源停止驱动所述后级管，以及在需要结束当前的导通周期时控制所述第一驱动源停止驱动所述前级管，本发明可以降低达林顿管导通时的功率损耗。

关键词：驱动源级管前级达林顿管导通周期驱动电路驱动驱动电流停止驱动同步控制控制端导通开关电源管理芯片功率损耗控制模块关断

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一种提高达林顿管电流能力的结构及其制作方法

一种提高达林顿管电流能力的结构及其制作方法

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作者：李照杨晓文侯斌王怡鑫张文鹏杨庚赵帆鲁红玲黄山圃 710000 陕西省西安市雁塔区太白南路198号

本发明提供一种提高达林顿管电流能力的结构及其制作方法，包括基区和设置于基区上的锯齿状结构的发射区，所述锯齿状结构凹陷处设置有基区孔；所述发射区和基区孔之前设置有氧化层；本申请通过提高发射区的有效边长，可在不改变芯片面... 详细信息

标准号: CN115911102A

本发明提供一种提高达林顿管电流能力的结构及其制作方法，包括基区和设置于基区上的锯齿状结构的发射区，所述锯齿状结构凹陷处设置有基区孔；所述发射区和基区孔之前设置有氧化层；本申请通过提高发射区的有效边长，可在不改变芯片面积的情况下，使芯片电流能力在原基础上提高67％，显著提高芯片的电流能力；同样，可用更小的芯片面积来满足电流能力的需求，降低了芯片的成本。

关键词：基区电流能力发射区芯片锯齿状结构达林顿管芯片电流有效边长凹陷处氧化层可用申请制作

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一种基于达林顿管的过压保护电路

一种基于达林顿管的过压保护电路

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作者：张克业郭荣 100191 北京市海淀区花园北路14号66幢七层701号

本发明公开了一种基于达林顿管的过压保护电路，其电路简单，占用板子体积小，其元器件都是最为普通简单的元器件，成本低，灵活性强。该电路，包括达林顿管Q1、稳压管D1、第一电阻R1、第二电阻R2、电容C1以及肖特基二极管D2。过压保护... 详细信息

标准号: CN115498611A

本发明公开了一种基于达林顿管的过压保护电路，其电路简单，占用板子体积小，其元器件都是最为普通简单的元器件，成本低，灵活性强。该电路，包括达林顿管Q1、稳压管D1、第一电阻R1、第二电阻R2、电容C1以及肖特基二极管D2。过压保护电路的输入端连接至达林顿管Q1的集电极。达林顿管Q1的基极连接到稳压管D1的正极。第一电阻R1与第二电阻R2分压后连接至达林顿管Q1的基极，用于分压以提供给达林顿管Q1基极电压，使达林顿管始终工作在放大区；电容C1并联至稳压管D1的两端。肖特基二极管D2的正极与达林顿管Q1的发射极连接，共同作为过压保护电路的输出端VOUT，肖特基二极管D2的负极与达林顿管Q1的基极连接。

关键词：达林顿管电阻过压保护电路肖特基二极管稳压管正极基极连接电容分压元器件电路发射极连接输入端连接基极电压负极放大区集电极输出端体积小板子并联占用

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基于电学法的达林顿管稳态热阻测量方法研究

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现代电子技术 2019年第1期42卷 108-112页

作者：高成王怡豪张雨琪黄姣英北京航空航天大学可靠性与系统工程学院北京100191

热阻是功率器件一个重要的热性能参数,影响着结温的高低,同时也用于确定器件结温以及功率器件的安全工作温度范围。每只器件热阻值由于工艺问题有一定偏差,由产品手册无法获得精确热阻值。从电学法测量结温原理出发,以达林顿管BDW47G为... 详细信息

热阻是功率器件一个重要的热性能参数,影响着结温的高低,同时也用于确定器件结温以及功率器件的安全工作温度范围。每只器件热阻值由于工艺问题有一定偏差,由产品手册无法获得精确热阻值。从电学法测量结温原理出发,以达林顿管BDW47G为试验对象,测量并计算得到其温度系数M=-1.835 8 mV/℃。设计测量电路,并对测量中延迟时间造成的误差进行分析修正,得到达林顿管延迟时间为零时精确结温,最终获得达林顿管稳态热阻的测量计算方法。该方法有助于获得器件关键热性能参数,有助于老炼试验等对结温有要求的试验获得精确结温。

关键词：电学法达林顿管稳态热阻测量方法误差修正结温

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一种利用达林顿管进行过流保护的电路以及焊接电源

一种利用达林顿管进行过流保护的电路以及焊接电源

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作者：吕荣庆杨瑞祥王元红 266555 山东省青岛市经济技术开发区三江路588号

本实用新型公开了一种利用达林顿管进行过流保护的电路以及焊接电源。其中，利用达林顿管进行过流保护的电路包括达林顿管、达林顿管驱动电路、自恢复保险丝以及线圈型器件等。当电路由于使用环境恶劣等原因导致发生短路故障时，通过达... 详细信息

标准号: CN216794602U

本实用新型公开了一种利用达林顿管进行过流保护的电路以及焊接电源。其中，利用达林顿管进行过流保护的电路包括达林顿管、达林顿管驱动电路、自恢复保险丝以及线圈型器件等。当电路由于使用环境恶劣等原因导致发生短路故障时，通过达林顿管的电流会瞬间增大，使得自恢复保险丝及时动作，断开电路，起到保护电路中元器件的作用；待自恢复保险丝冷却后，接通电路，线圈型器件能够正常工作。本实用新型中的电路在恶劣环境中也能正常使用，即便发生故障，待其冷却后仍能正常工作，有效避免了电路中器件损坏。将上述电路应用于焊接电源中，利于降低其维修成本，提高电焊机的使用稳定性和可靠性。

关键词：达林顿管电路自恢复保险丝本实用新型过流保护焊接电源线圈型冷却电焊机电路应用短路故障断开电路恶劣环境发生故障接通电路器件损坏驱动电路使用环境维修成本元器件

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一种达林顿管高保真音频功率放大器

一种达林顿管高保真音频功率放大器

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作者：冉柠恺吴华斌刘伟邓加欣 518100 广东省深圳市龙华区龙华街道玉翠社区鸿宇大厦2001

本申请涉及音频播放的技术领域，特别涉及一种达林顿管高保真音频功率放大器，包括输入模块、电压放大模块、输出模块以及电源电压VCC，电源电压VCC用于为输入模块、电压放大模块和输出模块供电，输入模块与电压放大模块电性连接，电压... 详细信息

标准号: CN113922768A

本申请涉及音频播放的技术领域，特别涉及一种达林顿管高保真音频功率放大器，包括输入模块、电压放大模块、输出模块以及电源电压VCC，电源电压VCC用于为输入模块、电压放大模块和输出模块供电，输入模块与电压放大模块电性连接，电压放大模块与输出模块电性连接，输入模块接入信号源，输入模块将信号源输入至电压放大模块，并经电压放大模块进行放大，放大后的信号传送至输出模块；输出模块包括达林顿管Q3和达林顿管Q4，达林顿管Q3和达林顿管Q4之间连接有晶体管，且晶体管为电压放大模块的负载，晶体管的放大倍数大于达林顿管Q3、达林顿管Q4的放大倍数。本申请电路结构简单且能提高达林顿管工作状态的热稳定性。

关键词：达林顿管电压放大模块输出模块输入模块晶体管放大电性连接电源电压高保真音频功率放大器信号源输入电路结构接入信号热稳定性信号传送音频播放申请供电

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嵌入达林顿管的可控硅静电防护器件及其制作方法

嵌入达林顿管的可控硅静电防护器件及其制作方法

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作者：金湘亮刘煜杰 410012 湖南省长沙市岳麓区麓山南路

本发明公开了一种嵌入达林顿管的可控硅静电防护器件，包括P型衬底P‑Sub；P型衬底P‑Sub上设有DN‑Well区；DN‑Well区上设有N‑Well区、第一P‑Well区、第二P‑Well区；N‑Well区中设有第一N+注入区、第一P+注入区；第一P‑Well区中设有第二N+... 详细信息

标准号: CN114843261A

本发明公开了一种嵌入达林顿管的可控硅静电防护器件，包括P型衬底P‑Sub；P型衬底P‑Sub上设有DN‑Well区；DN‑Well区上设有N‑Well区、第一P‑Well区、第二P‑Well区；N‑Well区中设有第一N+注入区、第一P+注入区；第一P‑Well区中设有第二N+注入区；第二P‑Well区中设有第二P+注入区、第三N+注入区；N‑Well区、第一P‑Well区、第二N+注入区与DN‑Well区、第二P‑Well区、第三N+注入区构成NPN型达林顿管。本发明利用NPN型达林顿管能够得到更高的电流增益，有效地提高失效电流，器件能够承受更高的ESD电流脉冲应力。

关键词：注入区达林顿管衬底可控硅静电防护器件电流增益失效电流有效地脉冲嵌入

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一种达林顿管高保真音频功率放大器

一种达林顿管高保真音频功率放大器

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作者：冉柠恺吴华斌刘伟邓加欣 518100 广东省深圳市龙华区龙华街道玉翠社区鸿宇大厦2001

标准号: CN113922768B

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强电磁干扰对达林顿管的损伤效应与机理（英文）

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强激光与粒子束 2018年第8期30卷 67-74页

作者：王乾坤柴常春席晓文杨银堂西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

建立了PNP型达林顿管的二维电热模型,对处于有源放大区的达林顿管的集电极注入高功率微波(HPM)和强电磁脉冲(EMP)时的瞬态响应进行了仿真。结果表明:HPM注入下,器件内部的峰值温度呈周期性的"下降-上升",温度升高过程发生在... 详细信息

建立了PNP型达林顿管的二维电热模型,对处于有源放大区的达林顿管的集电极注入高功率微波(HPM)和强电磁脉冲(EMP)时的瞬态响应进行了仿真。结果表明:HPM注入下,器件内部的峰值温度呈周期性的"下降-上升",温度升高过程发生在信号的正半周,靠近达林顿管发射极的晶体管发射结边缘是最易毁伤处;EMP注入下,其损伤机理与HPM注入时的正半周时相似,器件内部峰值温度一直上升,易毁伤部位与HPM注入时相同。得到了损伤功率阈值和损伤能量阈值与损伤脉宽的关系,这两种干扰注入下的损伤能量阈值-脉宽关系和损伤功率阈值-脉宽关系公式相似,并且在相同脉宽下,HPM注入下的损伤能量阈值大于EMP注入下的损伤能量阈值。

关键词：达林顿管高功率微波强电磁脉冲脉宽效应

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