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作者：陈炜周静 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

本发明属于功能纳米材料制备领域，公开了一种基于连续离子层吸附与反应法负载纳米催化剂的方法，具体将多孔氧化物载体浸入含有阳离子的第一离子溶液中，冲洗后再将该多孔氧化物载体继续浸入第二离子盐溶液中，该第二离子盐溶液中所含... 详细信息

标准号: CN109012657B

本发明属于功能纳米材料制备领域，公开了一种基于连续离子层吸附与反应法负载纳米催化剂的方法，具体将多孔氧化物载体浸入含有阳离子的第一离子溶液中，冲洗后再将该多孔氧化物载体继续浸入第二离子盐溶液中，该第二离子盐溶液中所含有的阴离子能够与第一离子溶液中的阳离子反应生成化合物沉淀，从而在多孔氧化物载体上形成沉淀，然后清洗，由此完成一次离子层吸附与反应处理，如此循环多次，即可基于连续离子层吸附与反应法在多孔氧化物载体上负载得到纳米催化剂。本发明通过将连续离子层吸附与反应法应用于负载型纳米催化剂的制备，与现有技术相比，可在载体表面实现均匀负载，避免团簇现象对催化效果的影响。

关键词：多孔氧化物载体连续离子层吸附与反应法离子盐溶液浸入离子溶液制备沉淀负载型纳米催化剂功能纳米材料纳米催化剂生成化合物阳离子反应催化效果负载纳米均匀负载一次离子载体表面阳离子阴离子团簇吸附催化剂冲洗清洗应用

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基于连续离子层吸附与反应法负载纳米催化剂的方法

基于连续离子层吸附与反应法负载纳米催化剂的方法

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作者：陈炜周静 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

标准号: CN109012657A

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CdS量子点敏化的ZnO纳米片-纳米棒制备及其应用研究

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分析科学学报 2018年第6期34卷 783-788页

作者：李伟利岳世伟姚璐耿洪超张志玮盛鹏涛平顶山学院化学与环境工程学院河南平顶山467000 郑州大学化学与分子工程学院河南郑州450001

本文采用三电极体系,利用电化学沉积技术,以导电玻璃(ITO)为基底制备多孔ZnO纳米片。然后以ZnO纳米片作为"种子层",选取0.005mol/L六次甲基四胺和Zn(NO_3)_6混合液为前驱液,采用低温水热法二次生长ZnO纳米棒阵列,两步法制备... 详细信息

本文采用三电极体系,利用电化学沉积技术,以导电玻璃(ITO)为基底制备多孔ZnO纳米片。然后以ZnO纳米片作为"种子层",选取0.005mol/L六次甲基四胺和Zn(NO_3)_6混合液为前驱液,采用低温水热法二次生长ZnO纳米棒阵列,两步法制备得到具有大比表面积的ZnO纳米片-纳米棒复合结构。在室温条件下,通过连续离子层吸附与反应法(SILAR)制备CdS量子点,得到CdS/ZnO纳米片-纳米棒复合电极,此电极具有较高电致发光强度。利用多巴胺(DA)对所制备电极电致发光具有猝灭作用,可用于DA的检测。研究表明此电极对DA检测具有高的灵敏度,DA检测的线性范围为0.01～50μmol/L,检测限为0.01μmol/L,具有一定的实际应用价值。

关键词： ZnO纳米片-纳米棒连续离子层吸附与反应法电致发光多巴胺

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Sb2Se3薄膜的光电特性调控研究

Sb2Se3薄膜的光电特性调控研究

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作者：赵博文电子科技大学

学位级别：博士

作为一种稳定的硫属化合物半导体,硒化锑（Sb2Se3）具有毒性小、成本低、原材料丰富、结晶温度低、光吸收系数大的优点,在光电子器件领域备受关注。在光电子器件中,随着碳达峰和碳中和要求的落实,作为一次能源的主要形式之一,低成本太... 详细信息

作为一种稳定的硫属化合物半导体,硒化锑（Sb2Se3）具有毒性小、成本低、原材料丰富、结晶温度低、光吸收系数大的优点,在光电子器件领域备受关注。在光电子器件中,随着碳达峰和碳中和要求的落实,作为一次能源的主要形式之一,低成本太阳能电池技术大发展越来越重要;由于暗夜环境中存在月光、星光、大气辉光所产生的微弱夜天辐射,而夜天辐射的大部分能量集中在近红外波段,利用物体对近红外夜天光的反射成像成为微光夜视的最常用手段。为此,本论文以太阳能电池和光电探测器两种典型光电子器件作为切入点,对Sb2Se3薄膜制备、材料特性、器件结构进行了深入研究。根据敏化太阳能电池的结构特点,论文创新性地将连续离子层吸附与反应方法（SILAR）引入到Sb2Se3薄膜制备研究中,在Sb2Se3薄膜微观结构及光电性能研究基础上,成功构建了Sb2Se3敏化太阳能电池,并通过界面特征的优化,进一步改善了器件性能。研究发现:由于二氧化钛介孔层（M-TiO2）层本身缺陷态密度大,且生长在M-TiO2内部和间隙处的Sb2Se3薄膜覆盖度较低,导致M-TiO2与电解质溶液直接接触,继而降低器件电荷传递效率。为此,论文采用TiCl4水溶液对M-TiO2层进行了表面处理,并以TiO2薄层的形式沉积在M-TiO2层表面,不仅有效钝化了表面缺陷,降低了器件的电荷复合速率,而且经处理后的M-TiO2薄膜优化了Sb2Se3的生长条件,提高了薄膜覆盖率,并通过对SILAR法所制备Sb2Se3薄膜工艺参数的优化,最终将器件光电转换效率提升至1.22%。在上述工作基础上,本论文进一步在M-TiO2和Sb2Se3之间引入Cd Se界面修饰层。研究发现:Cd Se界面修饰层的引入,不仅进一步钝化了M-TiO2的界面缺陷,减少电荷复合,而且还与M-TiO2形成偶极层,降低了M-TiO2的表面功函数,提高光生电子的注入和传递效率,并得益于Cd Se本身特有的吸光特性,拓宽了光吸收波段,使器件光电转换效率提升至1.96%。根据近红外光电探测器件的性能要求,采用物理气相沉积（PVD）方法制备出高质量的Sb2Se3薄膜,并研制出了光电导结构及Sb2Se3/Bi2Se3异质结二极管结构的近红外光电探测器。由于热蒸发制备Sb2Se3薄膜所存在的Se空位,且Si衬底会受Se蒸汽的腐蚀,通过引入F等离子体对Sb2Se3薄膜进行了表面处理。研究发现:一方面,F离子以Sb-F键的形式进入Sb2Se3晶格内部,填补了Se空位,从而提升了Sb2Se3薄膜的电导率;另一方面,F等离子体有效融合了Sb2Se3薄膜的晶界,提高了电荷传输效率;经对F等离子体处理参数的优化,获得了优异的光电响应特性,在870 nm波长近红外光源照射下,光响应度达到35.42 A W-1,探测率达到4.89×1011Jones,外量子效率达到5.06×10～3%,器件响应时间特性的上升及下降时间分别为21.4 ms和22.1 ms。虽然,F等离子体表面处理对Sb2Se3薄膜光电响应特性有所改善,但器件响应速度仍然偏慢,而且Se空位补偿的最有效办法是在薄膜制备过程中提供过量的Se束流。基于此,本论文采用蓝宝石作为衬底生长Sb2Se3薄膜,并比较了C面蓝宝石和R面蓝宝石对所生长Sb2Se3薄膜光电响应特性的影响。研究发现:两种蓝宝石衬底上所生长Sb2Se3薄膜均呈现多晶特征,虽然其择优取向有所不同,但其表面形貌和光电性能差异不大;与Si衬底表面所生长Sb2Se3薄膜相比,在蓝宝石表面所生长Sb2Se3薄膜的（120）衍射峰强度更大,这反映了:在蓝宝石表面所生长Sb2Se3薄膜中,存在[Sb4Se6]_n长链平行于衬底堆叠的微观结构特征,这有利于电子在偏压驱动下平行于衬底方向的输运,从而获得更快的光电响应速度,两蓝宝石器件的上升和下降时间均达到了百微秒量级。在Sb2Se3薄膜光电导特性研究基础上,为了进一步提升器件的光电性能,本论文在Sb2Se3薄膜表面生长了高质量Bi2Se3薄膜,原位构筑了Sb2Se3/Bi2Se3异质结光电探测器。通过对异质结附近能带结构进行分析,发现:Bi2Se3/Sb2Se3异质结呈现出Ⅱ类界面能带特征,为光生载流子空间分离提供了驱动力;对Bi2Se3/Sb2Se3异质结二极管的光电响应特性测量结果显示:在0 V偏压下,器件依然能够稳定的光生电流,呈现出光伏器件特征,在870 nm波长近红外光源照射下,器件的光响应度为1.01 m A W-1,探测率为1.06×1010 Jones,光暗电流比为1.72×10～3,响应时间特性的上升时间和下降时间分别为28μs和155μs。

关键词： Sb2Se3太阳能电池 Sb2Se3近红外光电探测器连续离子层吸附与反应法界面工程 Bi2Se3/Sb2Se3异质结

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全固态致密PbS量子点薄膜敏化TiO2纳米棒阵列太阳电池的制备与光伏性能关系的研究

全固态致密PbS量子点薄膜敏化TiO2纳米棒阵列太阳电池的制备与光...

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作者：张正国合肥工业大学

学位级别：博士

量子点太阳电池包括肖特基量子点太阳电池、耗尽异质结太阳电池、量子点敏化太阳电池、量子点-聚合物杂化太阳电池。目前,使用多硫液态电解质的Zn-Cu-In-Se量子点敏化太阳电池和PbS/CdS量子点共敏化太阳电池的光电转换效率（PCE）分别达... 详细信息

量子点太阳电池包括肖特基量子点太阳电池、耗尽异质结太阳电池、量子点敏化太阳电池、量子点-聚合物杂化太阳电池。目前,使用多硫液态电解质的Zn-Cu-In-Se量子点敏化太阳电池和PbS/CdS量子点共敏化太阳电池的光电转换效率（PCE）分别达到12.34%和7.90%。由于液态电解质易泄漏,全固态PbS量子点敏化太阳电池开始引起科学界重视。考虑到全固态PbS量子点敏化太阳电池中空穴传输距离的限制和量子点担载量的平衡,本文利用水热法制备了短长度、小直径、高面密度的金红石相TiO2纳米棒阵列作为光阳极,分别以易溶于水的强电解质硝酸铅、易溶于水的弱电解质醋酸铅、难溶于水的强电解质卤化铅、不同链长脂肪酸铅为铅源在TiO2纳米棒阵列上沉积了PbS量子点,系统研究了不同铅源、脂肪酸链长度、TiO2纳米棒阵列表面3-巯基丙酸修饰对PbS量子点晶粒尺寸、形貌、光学吸收等的影响,以及以spiro-OMe TAD为固态电解质的全固态PbS量子点敏化太阳电池光伏性能的影响。主要研究内容如下:（1）使用水热法制备了短长度（200 nm）、小直径（20 nm）、高面密度（720μm-2）的金红石相TiO2纳米棒阵列,并将该TiO2纳米棒阵列用于全固态PbS量子点敏化太阳电池。以易溶于水的强电解质硝酸铅为铅源、Na2S?9H2O为硫源,引入乙二硫醇,在TiO2纳米棒阵列上沉积了致密PbS量子点薄膜,研究了旋涂循环次数对PbS量子点晶粒尺寸、形貌、全固态致密PbS量子点薄膜敏化太阳电池光伏性能的影响,最高PCE达到4.12%。（2）以易溶于水的弱电解质三水合醋酸铅为铅源,在360 nm长TiO2纳米棒阵列上沉积PbS量子点,探讨了利用醋酸铅为铅源沉积PbS量子点的反应机理,以及醋酸根离子对抑制PbS量子点晶粒生长的原因。当旋涂循环次数为20时,可在TiO2纳米棒表面形成致密PbS量子点薄膜,相应全固态致密PbS量子点薄膜敏化TiO2纳米棒阵列太阳电池的PCE达到3.57%。（3）以难溶于水的强电解质卤化铅（PbI2、PbBr2、PbICl）为铅源,在550 nm长TiO2纳米棒阵列上沉积得到致密PbS量子点薄膜,以提高载流子注入和传输效率,改善PbS量子点/spiro-OMe TAD层界面间电子和空穴的复合情况。还研究了以不同卤化铅为铅源对PbS量子点晶粒尺寸、全固态致密PbS量子点薄膜敏化太阳电池光伏性能的影响,探讨了各卤化铅与S2-反应生成PbS量子点的速率关系,以及致密PbS量子点薄膜与spiro-OMe TAD层之间电荷复合情况。（4）利用3种脂肪酸（正丁酸、正己酸、正辛酸）与PbO反应得到Pb（C3H7COO）2、Pb(C5H11COO)2、Pb(C7H15COO)2前驱体溶液,在550 nm长TiO2纳米棒阵列上沉积得到致密PbS量子点薄膜,研究了脂肪酸根链长对PbS量子点晶粒尺寸、致密PbS量子点薄膜敏化太阳电池光伏性能等性质的影响。（5）利用3-巯基丙酸（MPA）对550 nm长TiO2纳米棒阵列进行表面修饰,以解决PbS量子点薄膜/spiro-OMe TAD界面电子和空穴复合严重问题。研究了分别以硝酸铅、醋酸铅为铅源时,MPA表面修饰对全固态致密PbS量子点敏化太阳电池光伏性能的影响。

关键词：铅源全固态 PbS量子点敏化太阳电池致密量子点薄膜 TiO2纳米棒阵列连续离子层吸附与反应法

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纳米硫氰酸亚铜制备与应用

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化工新型材料 2017年第9期45卷 229-231,234页

作者：叶明富王标孔祥荣王成许立信金玲安徽工业大学化学与化工学院马鞍山243002 北京建筑材料科学研究总院有限公司北京100141

综述了纳米硫氰酸亚铜的制备方法,包括液相沉淀法、电沉积法、连续离子层吸附与反应法、前驱体法等,及其在太阳能电池、防污涂料和电存储材料等方面的应用,并对其应用前景进行了展望。

关键词： CuSCN 液相沉淀法电沉积法连续离子层吸附与反应法应用

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量子点敏化TiO2基底光阳极太阳能电池的制备及光电性能研究

量子点敏化TiO2基底光阳极太阳能电池的制备及光电性能研究

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作者：赵刘英云南师范大学

学位级别：硕士

近些年来,量子点敏化太阳能电池的发展突飞猛进,引入注目。该类型电池是在染料敏化太阳能电池的基础上发展而来的新型太阳能电池,具有广阔的发展和应用前景。二氧化钛(Ti O2)是一种半导体过渡金属氧化物材料,其禁带宽度为3.2e V,具有无... 详细信息

近些年来,量子点敏化太阳能电池的发展突飞猛进,引入注目。该类型电池是在染料敏化太阳能电池的基础上发展而来的新型太阳能电池,具有广阔的发展和应用前景。二氧化钛(Ti O2)是一种半导体过渡金属氧化物材料,其禁带宽度为3.2e V,具有无毒、无害、耐腐蚀、储量丰富、生产成本低等特点和化学性质稳定,光活性较高、光电化性能优良等优势,被认为是制备和发展太阳能电池的理想材料。本文采用水热法在钛片上制备了二氧化钛纳米晶阵列,研究了生长时间、生长温度对二氧化钛形貌、尺寸的影响,并探讨了二氧化钛光阳极太阳能电池的光电性能。接着,本文采用连续离子层吸附与反应法和电化学沉积法在二氧化钛上沉积硒化镉层,并用巯基丙酸作连接剂修饰Ti O2表面,使Ti O2与Cd Se的联系更加紧密。研究了Cd Se敏化Ti O2太阳能电池的光电性能。另一方面,由于未被Cd Se敏化的Ti O2电极与电解液直接接触,会造成Ti O2的腐蚀和光生电子与空穴的复合,这样一来就会影响电池的光电转换效率。所以,本文将在Cd Se/Ti O2电极的外面增加钝化层(Zn Se,Zn S,Cd S等),形成了不同钝化层包覆的Cd Se/Ti O2光阳极太阳能电池,并对它们的光电性能进行深入的探讨和研究。

关键词：量子点 CdSe TiO2纳米晶钝化层敏化太阳能电池连续离子层吸附与反应法

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ZnO/CuSCN异质结的制备及性能研究

ZnO/CuSCN异质结的制备及性能研究

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作者：万文坚华南理工大学

学位级别：硕士

本文采用连续离子层吸附与反应法(SILAR)制备Al掺杂ZnO薄膜,研究掺杂浓度及退火处理对薄膜结晶性能的影响;两步法化学浴沉积(CBD)制备ZnO柱状多晶薄膜,研究不同种子层数以及不同Al掺杂浓度种子层对ZnO柱状阵列薄膜的影响;SILAR制备薄膜... 详细信息

本文采用连续离子层吸附与反应法(SILAR)制备Al掺杂ZnO薄膜,研究掺杂浓度及退火处理对薄膜结晶性能的影响;两步法化学浴沉积(CBD)制备ZnO柱状多晶薄膜,研究不同种子层数以及不同Al掺杂浓度种子层对ZnO柱状阵列薄膜的影响;SILAR制备薄膜型ZnO/CuSCN异质结,研究异质结的电学特性;CBD制备ZnO柱状阵列薄膜和SILAR制备CuSCN薄膜构成柱状异质结,研究异质结的电学特性。结果表明: SILAR制备ZnO具有c轴择优取向性,结晶性好,薄膜由31.3nm的晶粒聚集成的长约1μm的大颗粒组成,颗粒呈长楔形状,薄膜表面粗糙,均匀性差;铝掺杂后c轴择优取向性变差,晶粒尺寸随掺杂浓度的增加而增大,颗粒呈球状,尺寸变小,薄膜表面均匀平整。掺杂浓度为2%的薄膜表面最平整,颗粒最小,直径约200nm。退火处理减弱c轴择优取向性,晶粒尺寸变大,晶格常数更接近于标准。 CBD制备ZnO柱状多晶薄膜结晶性良好,有较强的(002)择优取向性,晶格常数a=3.249(?),c=5.207(?)。薄膜由柱状ZnO晶体竖向排列而成,直径约500nm。随着种子层沉积次数的增加, ZnO柱状阵列越来越密集。种子层为40次时,ZnO柱状晶体连在一起,薄膜片状生长。种子层掺铝后生长的ZnO柱状晶体排列致密,大小均匀一致,直径约300nm。2%掺杂种子层上制得的柱状阵列薄膜最均匀,表面最平整。薄膜型ZnO/CuSCN异质结,XRD表征薄膜分别为纤锌矿ZnO和(?)-CuSCN。形貌表征ZnO多晶颗粒呈球状,大小约300nm,CuSCN多晶颗粒呈片状,大小约2μm。电学表征异质结具有明显的整流特性,±4V时整流比为47.0,饱和电流密度Js=9.94×10A/cm,二极管理想因子n=4.61,缺陷辅助隧穿为主要电流输运机制,在(0.4VV,I-V特性受陷阱辅助空间电荷限制电流(SCLC)机制影响,I∝V。柱状阵列ZnO/CuSCN异质结,XRD表征薄膜分别为纤锌矿ZnO和(?)-CuSCN,ZnO的结晶性优良,具有明显的(002)择优取向性。形貌表征分析ZnO呈柱状晶体竖向致密排列,直径约1μm,CuSCN为片状多晶交织排列,大小约3μm。电学表征异质结具有良好的整流特性,±3V时整流比为48.3。电压从小至大电流传输特性分别由缺陷和界面态的复合、缺陷辅助隧穿、陷阱辅助空间电荷限制电流决定。柱状阵列ZnO/CuSCN异质结比薄膜型异质结的整流比、电流密度、二极管区域范围都大,电学性能更好。

关键词：氧化锌硫氰酸亚铜异质结连续离子层吸附与反应法化学浴沉积

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聚苯胺结合二氧化钌在超级电容表现上之增进

聚苯胺结合二氧化钌在超级电容表现上之增进

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作者：佘明翰国立台湾大学

学位级别：硕士

本篇论文主要目的在於讨论以连续式离子吸附与反应法（Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction, SILAR）制备原子层级成长的氧化钌薄膜，并结合溶液相氧化聚合之聚苯胺以改进其在超级电容上之表现。连续式离子吸附与反应法可... 详细信息

本篇论文主要目的在於讨论以连续式离子吸附与反应法（Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction, SILAR）制备原子层级成长的氧化钌薄膜，并结合溶液相氧化聚合之聚苯胺以改进其在超级电容上之表现。连续式离子吸附与反应法可被用以制备过渡元素的VIA族化合物，藉由轮流交替浸泡阴阳离子前驱液，达到直接在基材表面成长薄膜之效果，而其优点在於可以藉由控制所浸泡之溶液的条件及循环的次数，来改变薄膜的厚度，其过程简单且成本相对较低，适合大量制备薄膜。超级电容为一新颖概念的能源储存装置，其储电原理有两种，一为制作超大表面积之材料（如石墨稀），将电荷储存於电化学上的Helmholtz电双层中，二为以可逆之氧化还原反应材料（如氧化锰、氧化钌）将正负电荷分开存放在化学结构中。而其优点为比一般的电容器拥有更高的储存能量，其充放电量甚大且快，并具有稳定性佳、循环寿命长等优点，故在应用上逐渐有取代传统电容的趋势。以氧化钌做为超级电容，具有优秀的电容值（650F/g）及高重复使用性，但就原理上来看，为了达到较优秀之电容值，势必得牺牲其导电度，故此研究中尝试混合导电性高分子以改善整体电容材料之导电度，藉此改进此超级电容之表现。此研究中，主要以循环伏安法和来探讨在ITO基材表面以SILAR制备的RuO2原子层薄膜的电容能力，并量测SILAR层数不同时各薄膜电容之特性的改变情形，并以扫描式电子显微镜观察其厚度及表面形貌之变化，藉此讨论SILAR成长之机制与现象。聚苯胺的结构监定，主要以拉曼光谱进行检测，并也用循环伏安法对其电化学上之表现进行分析。从电化学上的结果来看，在正确的混合步骤下，氧化钌与聚苯胺之结合确实能达到较佳之电容值。

关键词：连续离子层吸附与反应法二氧化钌聚苯胺超级电容薄膜

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ZnO多晶薄膜和纳米粉末的制备及表征

ZnO多晶薄膜和纳米粉末的制备及表征

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作者：张小庆西安理工大学

学位级别：硕士

ZnO薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的Ⅱ-Ⅵ化合物半导体材料,在透明电极、表面声波器件、紫外光探测器、压电器件、压敏器件、气敏传感器、光电子器件等方面具有广泛的用途。本文采用了连续离子层吸附与反应法（SILA... 详细信息

ZnO薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的Ⅱ-Ⅵ化合物半导体材料,在透明电极、表面声波器件、紫外光探测器、压电器件、压敏器件、气敏传感器、光电子器件等方面具有广泛的用途。本文采用了连续离子层吸附与反应法（SILAR）在玻璃衬底上沉积ZnO多晶薄膜,并用X射线衍射仪（XRD）对薄膜样品进行结构分析,用透射电镜（SEM）测试表面形貌,测光致发光（PL）能谱和透射能谱分析光学性能,用四探针测其电导。结果显示:薄膜样品沿着（002）方向择优生长,具有较强的c轴择优取向;薄膜中晶粒排列致密、均匀,颗粒大小约为50纳米左右;薄膜样品中含的杂质比较少,纯度较高。通过PL光谱的分析,说明ZnO薄膜样品的发光光谱主要由三个峰组成,一个是位于2.72eV附近的蓝带,一个是位于3.09eV附近的强的紫带,还有一个是位于3.44eV的弱的紫外峰;透射光谱显示ZnO薄膜样品在λ约为380nm处出现紫外吸收;四探针测量结果表明样品经退火处理后,可能在450oC左右发生再结晶,薄膜的方块电阻随着退火温度的升高而减小。本论文还用直接沉淀法制备了纤锌矿结构的ZnO纳米粉末并分析了不同焙烧温度对ZnO纳米粉末晶粒的影响。检测结果显示粉末样品的颗粒大小为80nm左右。同时通过工艺比较,发现用ZnCl2和NaOH为原料制备ZnO纳米粉末比用ZnCl2和Na2CO3为原料制备ZnO纳米粉末的颗粒要小、粒度分布窄;用ZnCl2和Na2CO3为原料制备的ZnO纳米粉末的分散较好;ZnCl2溶液浓度控制在1mol/L左右比较适合ZnO纳米粉末的形成;在500 oC温度下焙烧效果较好。

关键词：氧化锌多晶薄膜纳米粉末连续离子层吸附与反应法直接沉淀法

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