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作者：张学宇盖志刚张妹郭风祥柴旭张丽丽刘寿生方柯邓明君 266200 山东省青岛市即墨区鳌山卫街道青岛蓝色硅谷核心区蓝色硅谷创业中心一期2号楼

本发明公开了一种全金刚石结构的压力传感器芯片及其制备方法，压力传感器芯片包括单晶金刚石基片，所述基片上表面刻蚀有4个凹槽，每个凹槽内均沉积有硼掺杂金刚石薄膜作为桥电阻，4个桥电阻通过金属电极联通形成惠斯通电桥结构，所述... 详细信息

标准号: CN117330215A

本发明公开了一种全金刚石结构的压力传感器芯片及其制备方法，压力传感器芯片包括单晶金刚石基片，所述基片上表面刻蚀有4个凹槽，每个凹槽内均沉积有硼掺杂金刚石薄膜作为桥电阻，4个桥电阻通过金属电极联通形成惠斯通电桥结构，所述基片背面通过刻蚀形成应力杯。本发明从结构仿真设计、金刚石薄膜生长、电桥设计、电极生长、芯体封装全过程进行相关研制，并最终完成形成高稳定性、高灵敏度的金刚石压阻传感器制备。在全金刚石结构的条件下，可以克服硅基半导体的本征激发温度低，材料强度差的缺点，有利于提高器件的测量范围和应用范围。

关键词：压力传感器芯片金刚石结构桥电阻刻蚀制备硼掺杂金刚石薄膜单晶金刚石基片惠斯通电桥结构硅基半导体基片上表面金刚石薄膜压阻传感器电极生长高灵敏度高稳定性基片背面结构仿真金属电极金刚石强度差应力杯本征电桥联通芯体沉积封装测量生长激发应用

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基于MPCVD工艺的N型硼-氧共掺金刚石结构及其制备方法

基于MPCVD工艺的N型硼-氧共掺金刚石结构及其制备方法

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作者：刘胜吴改沈威孙祥汪启军张栋梁 430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号

本发明公开了一种基于MPCVD工艺的N型硼‑氧共掺金刚石结构及其制备方法，先将经过预处理后的金刚石衬底置于MPCVD腔体中，通入刻蚀气体进行刻蚀，消除金刚石衬底表面残余污染物；然后通入碳源气体，调整微波功率和MPCVD腔体内压力至沉... 详细信息

标准号: CN117947509A

本发明公开了一种基于MPCVD工艺的N型硼‑氧共掺金刚石结构及其制备方法，先将经过预处理后的金刚石衬底置于MPCVD腔体中，通入刻蚀气体进行刻蚀，消除金刚石衬底表面残余污染物；然后通入碳源气体，调整微波功率和MPCVD腔体内压力至沉积温度和压力，在金刚石衬底上外延本征金刚石层；之后通入硼源和氧源，在本征金刚石层上沉积硼‑氧共掺的单晶金刚石；最后关闭碳源气体、硼源和氧源，保留刻蚀气体，刻蚀掉硼‑氧共掺的单晶金刚石表面的非晶碳，形成N型硼‑氧共掺金刚石层。本发明的制备方法步骤简单、成本低、可调控掺杂浓度。制备的N型金刚石薄膜兼具高电子迁移率和高电子浓度，可广泛用于金刚石基电子器件的制造，特别是高功率器件。

关键词：金刚石共掺金刚石层单晶金刚石刻蚀气体碳源气体本征衬底刻蚀硼源氧源沉积制备预处理制备方法步骤残余污染物电子迁移率高功率器件金刚石结构腔体内压力衬底表面电子器件微波功率非晶碳可调控腔体掺杂保留制造

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金刚石结构图形的构建方法

金刚石结构图形的构建方法

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作者：曾凡初魏浩胤苗建国彭国令 410000 湖南省长沙市长沙高新开发区文轩路27号麓谷钰园B8栋首层东部、2层整层、7层整层、8层整层

本发明提供了一种金刚石结构图形的构建方法，包括以下步骤：在金刚石衬底表面制作胶层结构图形；所述胶层结构图形表面沉积金属掩膜结构，去除胶层结构，形成了仅有金属掩膜结构的金刚石衬底，未覆盖金属掩膜的部分构成待生长图形；所... 详细信息

标准号: CN114016127A

本发明提供了一种金刚石结构图形的构建方法，包括以下步骤：在金刚石衬底表面制作胶层结构图形；所述胶层结构图形表面沉积金属掩膜结构，去除胶层结构，形成了仅有金属掩膜结构的金刚石衬底，未覆盖金属掩膜的部分构成待生长图形；所述金属掩膜结构未覆盖的金刚石衬底表面同质外延生长金刚石；去除所述金属掩膜结构，得到金刚石结构图形。本发明在金刚石衬底表面形成垂直度好的金属结构，从而以所述金属掩膜结构为模板生长(加法)得到的金刚石结构图形，既节约了材料成本，也节约了金刚石生长及金刚石刻蚀等金刚石加工工艺成本，并得到高质量的结构图形。当金属掩膜结构为金属沟槽时，能够得到较好的垂直度的金刚石微纳沟槽，沟槽的倾角为90°。

关键词：金刚石金属掩膜金刚石结构衬底表面胶层结构垂直度去除同质外延生长金刚石加工金刚石生长材料成本沉积金属工艺成本结构图形金属沟槽金属结构图形表面掩膜结构生长节约衬底覆盖构建加法刻蚀制作

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一种利用低阶煤制备含金刚石结构光致发光碳纳米颗粒的方法

一种利用低阶煤制备含金刚石结构光致发光碳纳米颗粒的方法

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作者：张梅郭敏种峻楷胡广超 100083 北京市海淀区学院路30号

本发明提供了一种利用低阶煤制备含金刚石结构光致发光碳纳米颗粒的方法，包括一种利用低阶煤制备含纳米金刚石结构碳纳米颗粒的方法，其特征在于，包括：步骤S1、将低阶煤球磨、筛分处理，得到煤粉；步骤S2、将煤粉与双氧水溶液按照一... 详细信息

标准号: CN116143104A

本发明提供了一种利用低阶煤制备含金刚石结构光致发光碳纳米颗粒的方法，包括一种利用低阶煤制备含纳米金刚石结构碳纳米颗粒的方法，其特征在于，包括：步骤S1、将低阶煤球磨、筛分处理，得到煤粉；步骤S2、将煤粉与双氧水溶液按照一定比例混合，并在一定温度下进行搅拌常压加热反应；步骤S3、将反应后的溶液进行抽滤；步骤S4、将抽滤后的滤液进行干燥处理，得到含纳米金刚石结构碳纳米颗粒。本发明方法简单，所制备碳纳米颗粒发光效果简单可调。

关键词：纳米金刚石纳米颗粒低阶煤结构碳抽滤煤粉制备金刚石结构双氧水溶液碳纳米颗粒制备碳纳米常压加热发光效果干燥处理光致发光筛分处理煤球低阶可调

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金刚石结构碳纳米晶体的制备和光学性质的研究

金刚石结构碳纳米晶体的制备和光学性质的研究

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作者：马宣宣东南大学

学位级别：硕士

碳纳米颗粒作为荧光纳米材料家族的一员,由于其特殊的物理化学性质和优异的发光特性,引起越来越多的研究人员的关注。之前很多研究致力于发展制备碳纳米颗粒的相对简单、成本较低的方法和探索碳纳米颗粒的发光机制。碳纳米颗粒的发光可... 详细信息

碳纳米颗粒作为荧光纳米材料家族的一员,由于其特殊的物理化学性质和优异的发光特性,引起越来越多的研究人员的关注。之前很多研究致力于发展制备碳纳米颗粒的相对简单、成本较低的方法和探索碳纳米颗粒的发光机制。碳纳米颗粒的发光可调控,通过对碳纳米颗粒的表面修饰可以控制碳纳米颗粒的发光。本论文主要研究了利用水热法合成碳纳米颗粒,讨论了其晶体结构性质的变化,研究了其发光性质,重点研究了结晶温度对碳纳米颗粒发光特性的影响。以葡萄糖为原料利用水热法制备出金刚石结构碳纳米颗粒。通过改变结晶温度,研究结晶温度对金刚石纳米颗粒表面发光性质的影响,结果表明,合成出的金刚石纳米颗粒的大小对结晶温度的依赖较小。但是发现结晶温度非常影响金刚石纳米颗粒的发光性质。金刚石纳米颗粒的各个发射带的峰的强度和波长对结晶温度的依赖性不同。研究表明,金刚石纳米颗粒的表面官能团取决于结晶温度,较低的结晶温度有利于C=O官能团的生成,随着结晶温度的升高,部分C=O官能团会转化成为C–O–C官能团,因此较高的结晶温度下制备的碳纳米颗粒的表面存在更多的C–O–C官能团。表面官能团的变化导致相应的基于这些表面官能团的表面缺陷态的变化,从而引起了所观测到的金刚石纳米颗粒的发光对结晶温度的依赖关系。对以葡萄糖为原料采用水热法制备的金刚石结构的碳纳米颗粒,我们利用加入碱性溶液来调试其p H值,研究其发光性质和荧光寿命的变化。通过对发光光谱的分析,发现金刚石纳米颗粒的荧光性质对p H值有依赖性,这是因为溶液中的OH离子的存在改变了碳纳米颗粒的表面官能团,进而引起表面发光缺陷的变化,最终导致发光的变化。关于碳纳米颗粒的发光机制一直充满争议,之前有研究认为碳纳米颗粒的发光来源于其表面缺陷,认为碳纳米颗粒表面含有大量的含氧官能团,这些官能团决定了碳纳米颗粒的发光性质。在本论文中,不论是改变碳纳米颗粒的结晶温度还是p H值,都是通过改变碳纳米颗粒的表面缺陷来影响碳纳米颗粒的发光性质。所以本论文的研究结果倾向于支持碳纳米颗粒的发光来源于表面缺陷。

关键词：碳纳米颗粒金刚石结构结晶温度 pH

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金刚石结构的Geogebra可视化模拟

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中学理科园地 2020年第5期16卷 21-22页

作者：陈宝儿福鼎第四中学

本文借助GeoGebra软件对金刚石结构进行可视化模拟,构建金刚石网状结构并从中截取晶胞,对抽象的晶胞、晶胞内原子占位、六元环等问题进行直观形象地展示,给学生良好的视觉体验,提升了教学效果。

关键词： Geogebra 金刚石结构晶胞结构

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类金刚石结构硼磷酸盐基稀土离子发光特性

类金刚石结构硼磷酸盐基稀土离子发光特性

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第二届全国光电材料与器件学术研讨会

作者：杨丹房珍宇郑佑馗朱静云南大学材料与能源学院

白光发光二极管（w-LED）具有发光效率高、节能、环保及寿命长等优点,被广泛应用于照明显示领域。本研究采用固相合成法制备了适用于w-LED系列RbBaBPO:Tb荧光粉,最佳煅烧温度为900℃。通过粉末XRD、FT-IR、SEM、EDS、XPS、漫反射、光致... 详细信息

白光发光二极管（w-LED）具有发光效率高、节能、环保及寿命长等优点,被广泛应用于照明显示领域。本研究采用固相合成法制备了适用于w-LED系列RbBaBPO:Tb荧光粉,最佳煅烧温度为900℃。通过粉末XRD、FT-IR、SEM、EDS、XPS、漫反射、光致发光光谱、CIE色度坐标、CCT、CP和IQE等测试和理论计算研究了粉末纯度、颗粒形貌、发光性能及其在w-LED中应用可能性。

关键词：金刚石结构离子发光硼磷酸

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一种适用竞速短跑的金刚石结构中底及其运动鞋

一种适用竞速短跑的金刚石结构中底及其运动鞋

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作者：刘洋洋 362000 福建省泉州市丰泽区东海镇东宝工业区

本实用新型涉及鞋底技术领域，尤其是涉及的是一种适用竞速短跑的金刚石结构中底。其包括基础模块、中底平面、中底侧面，所述基础模块为六边形结构，所述中底平面、中底侧面由若干个基础模块紧密拼接组成，相邻基础模块以六边形结构的... 详细信息

标准号: CN219330841U

本实用新型涉及鞋底技术领域，尤其是涉及的是一种适用竞速短跑的金刚石结构中底。其包括基础模块、中底平面、中底侧面，所述基础模块为六边形结构，所述中底平面、中底侧面由若干个基础模块紧密拼接组成，相邻基础模块以六边形结构的一边重合拼接。金刚石结构中底包括前脚掌区和后跟区，前脚掌区的厚度小于后跟区的厚度。金刚石结构中底采用3D打印制成。通过优化鞋底的中底结构，提升中底的硬度，改善后的硬质鞋底能够快速反馈，没有丝毫拖泥带水，每一步之间的衔接都做到最短，从而帮助专业跑者提升速度。

关键词：金刚石结构基础模块六边形结构前脚掌区中底侧面中底平面后跟区拼接本实用新型相邻基础中底结构重合硬质短跑打印反馈衔接优化帮助

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一种氮化镓外延金刚石结构及其制备方法

一种氮化镓外延金刚石结构及其制备方法

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作者：陈祺张粉红 361000 福建省厦门市集美区灌口镇灌口大道253号10号楼201室

本申请提供了一种氮化镓外延金刚石结构，包括氮化镓表面的氮化硅层，以及氮化硅表面的金刚石层。本发明通过优化设计氮化镓与金刚石结合生长的方法、工艺条件及其环境，使得氮化镓上生长的金刚石薄膜均匀且致密，并且具有良好的附着力... 详细信息

标准号: CN115377193A

本申请提供了一种氮化镓外延金刚石结构，包括氮化镓表面的氮化硅层，以及氮化硅表面的金刚石层。本发明通过优化设计氮化镓与金刚石结合生长的方法、工艺条件及其环境，使得氮化镓上生长的金刚石薄膜均匀且致密，并且具有良好的附着力，不容易脱落；在制备过程实现氮化镓的0损伤，中间层损伤小于10nm；实现了金刚石与氮化镓的高质量结合，形成的外延层质量高，电学特性好，散热效率高，具有良好的前景和适用性，提升了半导体器件生产和应用的效果。

关键词：氮化镓金刚石附着力损伤半导体器件生产致密氮化硅表面氮化镓表面氮化镓外延金刚石薄膜金刚石结构氮化硅层电学特性工艺条件金刚石层散热效率优化设计制备过程生长外延层中间层申请应用

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多晶金刚石结构及其制造方法

多晶金刚石结构及其制造方法

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作者：伊戈尔·尤里耶维奇·孔亚申瑞秋·菲奥娜·安布里塞巴斯汀·法拉杰罗杰·威廉·奈杰尔·尼恩雷蒙德·安东尼·斯贝特茨英国牛津郡

多晶金刚石结构具有多晶金刚石(PCD)材料的主体；和沿着界面粘合到所述多晶材料的主体上的烧结碳化物基材。所述烧结碳化物基材包括通过粘合剂材料粘合在一起的碳化钨颗粒，所述粘合剂材料包含Co、Ni和Cr的合金；并且碳化钨颗粒形成基... 详细信息

标准号: CN115052698A

多晶金刚石结构具有多晶金刚石(PCD)材料的主体；和沿着界面粘合到所述多晶材料的主体上的烧结碳化物基材。所述烧结碳化物基材包括通过粘合剂材料粘合在一起的碳化钨颗粒，所述粘合剂材料包含Co、Ni和Cr的合金；并且碳化钨颗粒形成基材的至少约70重量百分比且至多约95重量百分比。所述烧结碳化物基材具有整体体积，所述烧结碳化物基材的所述整体体积具有至少约0.1vol.％的游离碳的夹杂物，所述夹杂物具有小于约40微米的在任何一个或多个维度上的最大平均尺寸。

关键词：烧结碳化物基材碳化钨颗粒粘合剂材料重量百分比夹杂物粘合多晶金刚石结构多晶材料金刚石游离碳基材维度合金

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