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  • 1 篇 组分渐变缓冲层

机构

  • 1 篇 信息光子学与光通...
  • 1 篇 北京邮电大学

作者

  • 2 篇 叶显
  • 2 篇 张霞
  • 2 篇 王琦
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  • 2 篇 黄永清
  • 2 篇 黄辉
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检索条件"主题词=金属有机化学气相沉淀法"
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InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究
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物理学报 2011年 第3期60卷 421-426页
作者: 叶显 黄辉 任晓敏 郭经纬 黄永清 王琦 张霞 北京邮电大学 信息光子学与光通信教育部重点实验室北京100876
利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长... 详细信息
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金辅助MOCVD生长InP/GaAs轴向异质结构纳米线的研究
金辅助MOCVD生长InP/GaAs轴向异质结构纳米线的研究
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第十二届全国固体薄膜会议
作者: 叶显 黄辉 蔡世伟 郭经纬 任晓敏 王琦 张霞 黄永清 信息光子学与光通信教育部重点实验室 北京邮电大学北京 100876
本文采用金辅助金属有机化学气相沉积在GaAs(111)B衬底上生长了InP/GaAs轴向串接异质结构纳米线。扫描电子显微镜分析表明,GaAs纳米线部分整齐排列垂直于衬底,生长在GaAs纳米线上的InP纳米线沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,... 详细信息
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