检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：孔园园中国科学院大学(中国科学院上海技术物理研究所)

学位级别：博士

偏振器是光学系统中一种重要的光学元件。在红外偏振成像技术中,可以获取目标的偏振信息,丰富探测目标的信息维度,提升对目标的识别能力。金属线栅偏振器与传统的偏振器相比,具有体积小、设计灵活、易于集成、较宽的光谱和视场范围等优... 详细信息

偏振器是光学系统中一种重要的光学元件。在红外偏振成像技术中,可以获取目标的偏振信息,丰富探测目标的信息维度,提升对目标的识别能力。金属线栅偏振器与传统的偏振器相比,具有体积小、设计灵活、易于集成、较宽的光谱和视场范围等优点。本文在单层金属Al线栅偏振器的基础上,设计并制备了带有MgF2介质层的铝基单层金属线栅和铝基双层金属线栅偏振器。针对3.0～5.0μm中波红外波段,首先对无介质层的铝基单层金属线栅Al wires/Al2O3结构进行设计优化,研究了线栅结构参数对偏振性能的影响;拟合并分析了引入介质层的铝基单层金属线栅Al wires/dielectric layer/Al2O3结构中介质层折射率、厚度和结构形式对线栅偏振性能的影响;分析优化了三层线栅的顺序对铝基双层金属线栅Al/MgF2/Al/Al2O3（MDM）结构线栅偏振特性的影响,为制备工艺提供了理论基础。为测量线栅偏振器的偏振性能,搭建了测试系统,为所制备的金属线栅偏振器提供了测试手段;利用电子束曝光技术,在Al2O3基底上制备了金属线栅偏振器样品。运用有限时域差分法,针对3.0～5.0μm中波红外波段,对无介质层的铝基单层金属线栅Al wires/Al2O3结构的偏振特性进行了研究。拟合分析了线栅周期、占空比、金属Al线栅高度、基底材料和金属线栅材料等结构参数对线栅偏振器的偏振特性影响规律。研究结果表明,线栅周期是影响其偏振性能的主要因素;占空比和金属线栅高度需控制在一个变化范围内,使线栅的TM波透过率和消光比都达到一定高度值,保持良好的性能;线栅的基底应选择折射率低透过率高的透明材料;金属材料应选择在所应用的波段介电常数的虚部较大的金属材料。综合考虑各种线栅材料和线栅形貌参数的工艺窗口,结合实际的工艺制备条件,确定了单层金属线栅的结构参数为:基底为Al2O3,金属材料为Al,周期宽度400nm,金属线栅高度100 nm,占空比为0.5。设计了带有介质层的铝基单层金属线栅Al wires/dielectric layer/Al2O3结构。在Al2O3基底与Al线栅之间添加一层具有I型（薄膜）和II型（线栅）结构形式的具有相同厚度的介质层。拟合并研究了介质层折射率和厚度对两种结构线栅偏振偏振器透过率和消光比的影响。研究结果表明,由于介质层的引入,削弱了金属Al线栅与Al2O3基底界面之间的表面等离子效应,TM波透过率提高。通过观察电场强度拟合分布图和局部的TM波透过率曲线可知,当MgF2介质层以II型结构形式存在时,等效折射率更低,金属线栅槽内共振腔模式更强,分布的电场强度更强,偏振特性更优。当MgF2介质层的厚度为500 nm,在波长4.0μm处,I型（薄膜）和II型（线栅）线栅的TM透过率和消光比分别可以达到98%,29 dB和99%,30 dB。设计了铝基双层金属线栅的MDM结构的偏振器。优化分析了三层线栅顺序对偏振器偏振特性的影响,并与无介质层的单层Al线栅偏振器作了对比。对比分析发现在3.0～5.0μm中波红外波段,MDM结构线栅偏振器的TM波平均透过率介于中间,TE波透过率最低,消光比最高。分析了介质层折射率、线栅周期和占空比对TM波透过率峰值的影响。通过对等效LC耦合电路和电磁场强度的分布分析可知,当入射光与周期线栅的阻抗相匹配时,入射光与线栅耦合激发磁局域共振效应,在上下金属线栅之间的介质线栅区域获得共振增强的局域磁场,TM波透过率曲线出现波峰。而在非磁局域共振波长处,磁场无局域效应,均匀的磁场分布在金属线栅之间,TM波透过率无峰值出现。结合傅里叶红外变换光谱仪,搭建了能够对线栅偏振器进行偏振测量的装置,进行了误差分析。利用电子束光刻图形制作技术和光学薄膜制备工艺,制备了Al wires/Al2O3和Al wires/MgF2 layer/Al2O3结构的线栅偏振器样品,对其进行了偏振测量。采用SEM扫描电镜对微观形貌进行了表征。偏振测试结果表明:实验测试结果与理论分析的趋势一致。MgF2介质层的引入,提高了TM波透过率,消光比上升。两种结构的线栅偏振器的TM波透过率和TE波透过率的测量值分别小于和大于理论模拟值。在4.0μm波长处,当线栅周期为400 nm,占空比为0.5,MgF2介质层的厚度为500 nm并且以薄膜的形式存在时,Al wires/MgF2layer/Al2O3结构线栅偏振器的TM波透过率的测量值为83.3%,TE波透过率测量值为8.2%。

关键词：金属线栅偏振器 TM波透过率消光比有限时域差分表面等离子激元

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金属线栅偏振器及其制备方法、显示装置

金属线栅偏振器及其制备方法、显示装置

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作者：李海旭 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

一种金属线栅偏振器(1)及制备方法、显示装置，金属线栅偏振器(1)包括衬底基板(11)和多根金属线栅(12)；衬底基板(11)具有多个绑定区(14)和多个绑定对位区(15)；多根金属线栅(12)设于衬底基板(11)之上，多根金属线栅(12)相互平行布置，... 详细信息

标准号: CN115668042A

一种金属线栅偏振器(1)及制备方法、显示装置，金属线栅偏振器(1)包括衬底基板(11)和多根金属线栅(12)；衬底基板(11)具有多个绑定区(14)和多个绑定对位区(15)；多根金属线栅(12)设于衬底基板(11)之上，多根金属线栅(12)相互平行布置，且多根金属线栅(12)在衬底基板(11)上的正投影与多个绑定区(14)和多个绑定对位区(15)无交叠。避免在绑定过程中金属线栅(12)对光线的阻挡，使得对位过程顺利进行，实现绑定的准确性。

关键词：金属线栅衬底基板绑定金属线栅偏振器绑定区对位对位过程平行布置显示装置正投影交叠制备阻挡

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金属线栅偏振器及其制作方法、显示装置

金属线栅偏振器及其制作方法、显示装置

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作者：叶志杰彭锐王欣欣贾文斌黄磊许凯 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

本发明涉及显示技术领域，公开了一种金属线栅偏振器制作方法，包括步骤：S1：在衬底基板上制作出间距为P，宽度为W的辅助线栅；S2：利用原子层沉积方式在辅助线栅上覆盖一层厚度大于P/2-W的金属薄膜；S3：刻蚀辅助线栅顶部和沟槽对应... 详细信息

标准号: CN105487160A

本发明涉及显示技术领域，公开了一种金属线栅偏振器制作方法，包括步骤：S1：在衬底基板上制作出间距为P，宽度为W的辅助线栅；S2：利用原子层沉积方式在辅助线栅上覆盖一层厚度大于P/2-W的金属薄膜；S3：刻蚀辅助线栅顶部和沟槽对应区域的金属薄膜；S4：去掉辅助线栅，形成间距为P/2，宽度为P/2-W的金属线栅，以形成金属线栅偏振器。还公开了一种金属线栅偏振器及显示装置。本发明的金属线栅偏振器制作方法制作的偏振器的金属线栅之间的间距可以为现有方法制作的偏振器的金属线栅的间距的一半，因此本发明的金属线栅偏振器的整体偏振性能得到了大大的提升。

关键词：金属线栅偏振器金属线栅辅助线金属薄膜偏振器一种原子层沉积衬底基板对应区域刻蚀辅助偏振性能显示技术显示装置上覆盖线栅一层制作顶部去掉公开大于提升涉及

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金属线栅偏振器及其制作方法、显示装置

金属线栅偏振器及其制作方法、显示装置

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作者：叶志杰彭锐王欣欣贾文斌黄磊许凯 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

本发明涉及显示技术领域，公开了一种金属线栅偏振器制作方法，包括步骤：S1：在衬底基板上制作出间距为P，宽度为W的辅助线栅；S2：利用原子层沉积方式在辅助线栅上覆盖一层厚度大于P/2‑W的金属薄膜；S3：刻蚀辅助线栅顶部和沟槽对应... 详细信息

标准号: CN105487160B

本发明涉及显示技术领域，公开了一种金属线栅偏振器制作方法，包括步骤：S1：在衬底基板上制作出间距为P，宽度为W的辅助线栅；S2：利用原子层沉积方式在辅助线栅上覆盖一层厚度大于P/2‑W的金属薄膜；S3：刻蚀辅助线栅顶部和沟槽对应区域的金属薄膜；S4：去掉辅助线栅，形成间距为P/2，宽度为P/2‑W的金属线栅，以形成金属线栅偏振器。还公开了一种金属线栅偏振器及显示装置。本发明的金属线栅偏振器制作方法制作的偏振器的金属线栅之间的间距可以为现有方法制作的偏振器的金属线栅的间距的一半，因此本发明的金属线栅偏振器的整体偏振性能得到了大大的提升。

关键词：金属线栅偏振器金属线栅辅助线金属薄膜制作偏振器原子层沉积衬底基板刻蚀辅助偏振性能显示装置层厚度线栅覆盖

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金属线栅偏振器及其制作方法、显示装置

金属线栅偏振器及其制作方法、显示装置

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作者：王国强 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

本公开提供了一种金属线栅偏振器及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，金属线栅偏振器包括：基底；位于所述基底上的第一子线栅结构，所述第一子线栅结构包括相互平行的多条第一子线栅，所述第一子线栅采用金属材料；第二... 详细信息

标准号: CN113933924A

本公开提供了一种金属线栅偏振器及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，金属线栅偏振器包括：基底；位于所述基底上的第一子线栅结构，所述第一子线栅结构包括相互平行的多条第一子线栅，所述第一子线栅采用金属材料；第二子线栅结构，所述第二子线栅结构包括多条第二子线栅，所述第二子线栅与所述第一子线栅一一对应，每一所述第二子线栅位于对应的第一子线栅远离所述基底的一侧，所述第二子线栅与对应的第一子线栅组成所述金属线栅偏振器的线栅。本公开的技术方案能够制备高偏振度的金属线栅偏振器。

关键词：子线金属线栅偏振器栅结构基底高偏振度金属材料显示装置线栅制备平行制作

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一种深紫外复合结构金属线栅偏振器

一种深紫外复合结构金属线栅偏振器

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作者：吴芳步扬刘志帆王远航孙晨薇王向朝 201800 上海市嘉定区清河路390号

一种深紫外复合结构金属线栅偏振器，包括基底及具有凹槽的金属光栅和介质填充结构。所述的金属光栅与介质填充结构具有相同的周期P为100～300nm,所述的金属光栅占空比W/P为0.5～0.85,所述的金属光栅的高宽比H/W为1～3。本发明通过减少... 详细信息

标准号: CN111025450B

一种深紫外复合结构金属线栅偏振器，包括基底及具有凹槽的金属光栅和介质填充结构。所述的金属光栅与介质填充结构具有相同的周期P为100～300nm,所述的金属光栅占空比W/P为0.5～0.85,所述的金属光栅的高宽比H/W为1～3。本发明通过减少金属与介质界面表面等离子体的产生，减少其对TM偏振光的抑制作用，增大TM偏振透过率和消光比。本发明在深紫外波段具有周期大，制作工艺简单，偏振透过率和消光比高等特点。该器件结构紧凑易于集成，其用作检偏器的偏振检测系统不需要准直光学系统，可有效简化检测系统，使偏振检测系统小型化且适应性范围广，在深紫外光刻机偏振检测系统中具有重要应用价值。

关键词：金属光栅偏振检测系统介质填充透过率消光比金属线栅偏振器表面等离子体深紫外光刻机准直光学系统深紫外波段复合结构简化检测介质界面器件结构制作工艺重要应用高宽比检偏器占空比基底偏振紧凑金属

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一种深紫外复合结构金属线栅偏振器

一种深紫外复合结构金属线栅偏振器

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作者：吴芳步扬刘志帆王远航孙晨薇王向朝 201800 上海市嘉定区清河路390号

标准号: CN111025450A

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中波红外亚波长单层增透膜金属线栅偏振器件设计

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应用光学 2025年第1期46卷 186-193页

作者：王佩瑶刘洹庚任立勇陕西师范大学物理学与信息技术学院陕西西安710119 西安市光信息调控与增强技术重点实验室陕西西安710119

针对3μm~5μm中波红外波段,设计了一种硅(Si)基底上的金(Au)金属线栅偏振器件,提出了在Au线栅和Si基底间引入MgF_(2)介质层,以提高金属线栅的TM波透过率和偏振消光比ER。利用COMSOL仿真软件模拟优化Si基底上的Au金属线栅的相关结构参数... 详细信息

针对3μm~5μm中波红外波段,设计了一种硅(Si)基底上的金(Au)金属线栅偏振器件,提出了在Au线栅和Si基底间引入MgF_(2)介质层,以提高金属线栅的TM波透过率和偏振消光比ER。利用COMSOL仿真软件模拟优化Si基底上的Au金属线栅的相关结构参数,计算结果表明,TM波平均透过率为93%、平均偏振消光比为39.3 dB。同时,还提出了采用金属钨(W)作为新的金属材料来提高线栅偏振器偏振性能的方法,仿真结果表明,TM波平均透过率为92.7%、平均偏振消光比为64.4 dB。然而,金属钨的硬度较高,对蚀刻工艺要求更高,我们期待通过工艺和技术手段的进步,制作出性能优越的中波红外金属线栅偏振器件。

关键词：金属线栅偏振器 Si基底金(Au)线栅钨(W)线栅偏振消光比

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红外偏振成像技术研究

红外偏振成像技术研究

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作者：韩宁南京理工大学

学位级别：硕士

红外偏振成像是红外探测成像科学中的一个全新领域。它将可见光中的偏振成像技术引入到红外领域,为红外探测和红外图像处理提供了新的思路和方法。本文以改善红外图像质量、显著提高红外成像系统的目标发现与识别概率为目的,对红外偏振... 详细信息

红外偏振成像是红外探测成像科学中的一个全新领域。它将可见光中的偏振成像技术引入到红外领域,为红外探测和红外图像处理提供了新的思路和方法。本文以改善红外图像质量、显著提高红外成像系统的目标发现与识别概率为目的,对红外偏振成像的理论进行了详细讨论。借鉴可见光偏振测量的方法,确定了红外偏振成像所要测量的参数及其测量方法——测量斯托克斯图像。并以此为基础,提出了测量斯托克斯图像的红外偏振成像系统的模型。根据该模型的测量要求以及矢量波衍射理论,设计了两组不同基底的亚波长金属光栅,并作为该红外测量系统的偏振器件。最后,进一步讨论了偏振图像的融合算法。利用对偏振图像的仿真,在像素层上对直接算术加权法和小波分解重构法两种算法进行了比较。仿真实验比较结果表明,利用小波分解再融合重构的方法得到的图像具有更佳的效果,这为下一步研究工作打下了基础。

关键词：红外偏振成像斯托克斯参数金属线栅偏振器小波重构

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一种线栅偏振器的加工方法

一种线栅偏振器的加工方法

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作者：娄飞 518000 广东省深圳市宝安区西乡街道蚝业社区金港大厦金港中心B座1807

本发明公开了一种线栅偏振器的加工方法，包括在透明基材的表面涂覆第一纳米压印胶层，通过纳米压印模板加工出平行间隔分布的树脂凸起，之后通过刻蚀工艺去除相邻树脂凸起之间凹槽内的压印胶直至透明基材外露；通过镀膜工艺在树脂凸起... 详细信息

标准号: CN117289546A

本发明公开了一种线栅偏振器的加工方法，包括在透明基材的表面涂覆第一纳米压印胶层，通过纳米压印模板加工出平行间隔分布的树脂凸起，之后通过刻蚀工艺去除相邻树脂凸起之间凹槽内的压印胶直至透明基材外露；通过镀膜工艺在树脂凸起的表面覆盖金属层并填满凹槽；在金属层的表面涂覆第二纳米压印胶层，再通过纳米压印模板采用纳米压印光刻工艺加工出平行间隔分布的掩膜凸起；采用刻蚀工艺对相邻掩膜凸起间的凹槽内的金属层进行刻蚀，直至透明基材外露，以此形成金属线栅；采用刻蚀工艺去除金属线栅顶面的掩膜凸起，以此形成线栅偏振器。本发明解决的技术问题是提供一种能够为金属线栅偏振器较高的金属线提供支撑的线栅偏振器的加工方法。

关键词：凸起线栅偏振器刻蚀工艺透明基材掩膜纳米压印模板纳米压印胶表面涂覆金属线栅平行间隔金属层外露树脂去除金属线栅偏振器加工表面覆盖金属纳米压印光刻镀膜工艺工艺加工相邻树脂金属线压印胶刻蚀填满支撑

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