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稳态、瞬态X射线辐照引起的互补性金属-氧化物-半导体器件剂量增强效应研究

物理学报 2001年第12期50卷 2279-2283页

作者：郭红霞陈雨生张义门周辉龚建成韩福斌关颖吴国荣西安电子科技大学微电子学研究所西安710000 西北核技术研究所西安710024

重点开展了稳态、瞬态X射线辐照引起的金属氧化物半导体 (CMOS)器件剂量增强效应relativedoseenhance menteffect(RDEF)研究 .通过实验给出辐照敏感参数随总剂量的变化关系 ,旨在建立CMOS器件相同累积剂量时Χ射线辐照和γ射线辐照... 详细信息

重点开展了稳态、瞬态X射线辐照引起的金属氧化物半导体 (CMOS)器件剂量增强效应relativedoseenhance menteffect(RDEF)研究 .通过实验给出辐照敏感参数随总剂量的变化关系 ,旨在建立CMOS器件相同累积剂量时Χ射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系 .在脉冲X射线源denseplasmafocus(DPF)装置上 ,采用双层膜结构开展瞬态翻转增强效应研究 ,获得了瞬态翻转剂量增强因子 .

关键词： X射线剂量增强因子总剂量效应金属-氧化物-半导体器件辐照剂量增强效应

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基于Au@PPy核壳结构纳米粒子自组装阵列的可程序化负微分电阻效应研究

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物理化学学报 2019年第5期35卷 455-456页

作者：韩布兴中国科学院化学研究所北京100190

随着信息技术的快速发展,亟需探索新型器件来满足当前及未来人们的需求1,2。在电子器件中非常重要的物理现象之一—负微分电阻效应,其在逻辑门3、模拟数字转换4、高频率振荡5、记忆存储和快速转换6等领域中具有巨大的应用前景。负微分... 详细信息

随着信息技术的快速发展,亟需探索新型器件来满足当前及未来人们的需求1,2。在电子器件中非常重要的物理现象之一—负微分电阻效应,其在逻辑门3、模拟数字转换4、高频率振荡5、记忆存储和快速转换6等领域中具有巨大的应用前景。负微分电阻效应现象经常出现在金属-氧化物-半导体器件或者半导体器件中。

关键词：电阻效应核壳结构纳米粒子负微分金属-氧化物-半导体器件程序化自组装模拟数字转换电子器件

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利用等时退火法预估等温退火效应实验研究

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物理学报 2003年第9期52卷 2239-2243页

作者：何宝平王桂珍龚建成罗尹虹李永宏西北核技术研究所西安市69信箱六室710613

对电离辐照损伤后的MOS器件的等温和等时退火特性进行了研究 ,结果发现 ,首先 ,10 0℃等温退火是有效的 ,等时退火所需的全过程时间最短 ;其次 ,+ 5V栅偏压退火相对于 0V和浮空偏置条件 ,阈值电压恢复速度快、恢复程度大 ;最后 ,利用等... 详细信息

对电离辐照损伤后的MOS器件的等温和等时退火特性进行了研究 ,结果发现 ,首先 ,10 0℃等温退火是有效的 ,等时退火所需的全过程时间最短 ;其次 ,+ 5V栅偏压退火相对于 0V和浮空偏置条件 ,阈值电压恢复速度快、恢复程度大 ;最后 ,利用等时退火数据对等温效应进行了理论预估。

关键词：等时退火法等温退火效应实验研究预估 MOS器件金属-氧化物-半导体器件

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γ射线作用下氧化铪基MOS结构总剂量效应研究

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强激光与粒子束 2019年第6期31卷 114-118页

作者：丁曼河海大学能源与电气学院

使用原子层淀积方法得到了7.8nm厚度的HfO2薄膜并通过直接溅射金属铝电极得到了Al/HfO2/SiMOS电容结构,测量得到了HfO2基MOS结构在60Coγ射线辐照前后的电容-电压特性,使用原子力显微镜得到了HfO2薄膜在辐照前后的表面微观形貌,使用X射... 详细信息

使用原子层淀积方法得到了7.8nm厚度的HfO2薄膜并通过直接溅射金属铝电极得到了Al/HfO2/SiMOS电容结构,测量得到了HfO2基MOS结构在60Coγ射线辐照前后的电容-电压特性,使用原子力显微镜得到了HfO2薄膜在辐照前后的表面微观形貌,使用X射线光电子能谱方法测量得到了HfO2薄膜在辐照前后的化学结构变化。研究发现,使用原子层淀积方法制备的HfO2薄膜表面质量较高;γ射线辐照在HfO2栅介质中产生了数量级为1012cm^-2的负的氧化层陷阱电荷;HfO2薄膜符合化学计量比,介质内部主要的缺陷为氧空位且随着辐照剂量的增加而增加,说明辐照在介质中引入了陷阱从而导致MOS结构性能的退化。

关键词：氧化铪金属-氧化物-半导体器件伽马射线电离总剂量效应

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动态应力下MOS器件热载流子效应研究

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固体电子学研究与进展 2001年第4期21卷 439-447页

作者：刘红侠郝跃孙志西安电子科技大学微电子所 710071

研究了 MOS器件中的热载流子效应 ,在分析了静态应力下 MOSFET寿命模型的基础上 ,提出了动态应力条件下 MOSFET的寿命模型。此外 ,还研究了沟道热载流子的产生和注入与器件偏置条件的关系 ,讨论了热载流子效应对电路性能的影响。通过对... 详细信息

研究了 MOS器件中的热载流子效应 ,在分析了静态应力下 MOSFET寿命模型的基础上 ,提出了动态应力条件下 MOSFET的寿命模型。此外 ,还研究了沟道热载流子的产生和注入与器件偏置条件的关系 ,讨论了热载流子效应对电路性能的影响。通过对这些失效因素的研究和通过一定的再设计手段。

关键词：金属-氧化物-半导体器件热载流子效应动态应力

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MEDICI程序简介及其在电离辐照效应研究中的应用

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计算物理 2003年第4期20卷 372-376页

作者：郭红霞陈雨生周辉张义门龚仁喜吕红亮西北核技术研究所陕西西安710024 西安电子科技大学微电子所陕西西安710071

　简要介绍了二维半导体器件模拟软件MEDICI的基本特点和使用方法;应用MEDICI程序对MOSFET的总剂量效应、PN结的剂量率效应进行了仿真模拟,建立了电离辐照效应的物理模型,并将模拟结果与实验数据进行了比较.

关键词： MEDICI程序电离辐照效应仿真器件模拟物理模型总剂量效应剂量率效应 MOSFET 金属-氧化物-半导体器件

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用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷

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固体电子学研究与进展 2006年第4期26卷 466-470页

作者：贾高升许铭真谭长华段小蓉北京大学微电子研究院北京100871

应用直接隧道比例差分(DTPDO)谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷。实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的三个谱峰。这意味着在超薄栅氧化层退化的过程中有三种氧化层高场诱生缺陷共存。... 详细信息

应用直接隧道比例差分(DTPDO)谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷。实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的三个谱峰。这意味着在超薄栅氧化层退化的过程中有三种氧化层高场诱生缺陷共存。研究结果表明,三种缺陷的饱和缺陷密度均随着应力电压和应力温度的增加而增加。三种缺陷的特征产生时间常数与器件的实验温度、所加的应力电压和氧化层的失效时间相关。

关键词：金属-氧化物-半导体器件直接隧穿栅电流比例差分谱多缺陷

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用变角XPS技术定量计算超薄SiO_2层厚度