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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程(可...
    • 2 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 2 篇 铝镓氮/氮化镓异质...
  • 1 篇 四氟化碳等离子体...
  • 1 篇 等效电路
  • 1 篇 比导通电阻
  • 1 篇 增强型
  • 1 篇 自热效应
  • 1 篇 源场板
  • 1 篇 击穿电压
  • 1 篇 大信号模型

机构

  • 1 篇 清华大学
  • 1 篇 中国电子科技集团...

作者

  • 1 篇 王胜
  • 1 篇 黄伟
  • 1 篇 许居衍
  • 1 篇 张树丹
  • 1 篇 王林
  • 1 篇 王燕

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=铝镓氮/氮化镓异质结场效应晶体管"
2 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
一种考虑自热效应的AlGaN/GaN HEMT大信号模型
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2011年 第1期31卷 13-15,75页
作者: 王林 王燕 清华大学微电子学研究所 北京100084
当AlGaN/GaN HEMT输出高功率密度时,器件沟道温度的升高将引起电流的下降(自热效应)。提出了一种针对AlGaN/GaN HEMT改进的大信号等效电路模型,考虑了HEMT自热效应,建立了一种改进的大信号I-V特性模型,仿真果与测试果符合较好,提高... 详细信息
来源: 评论
用于功率变换的高击穿增强型AlGaN/GaN HEMTs
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2010年 第3期30卷 463-468页
作者: 黄伟 王胜 张树丹 许居衍 中国电子科技集团第58研究所 江苏无锡214035
首次采用CF4等离子体技术实现可用于功率变换的增强性AlGaN/GaN功率器件。实验果表明,当AlGaN/GaN器件经功率150W和时间150s等离子体轰击后,器件阈值电压从-4V被调制约为0.5V,表现为增强型。当漂移区LGD从5μm增加到15μm,器件的击穿... 详细信息
来源: 评论