检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：金威汪望林初雄何卫锋高建军 200240 上海市闵行区东川路800号

本发明提供一种用于错误检测与校正技术的校正电路，其中包括：脉冲放宽电路模块，脉冲放宽电路模块连接到电路的错误检测电路模块输出的第一信号，当第一信号指示电路产生时序错误时，脉冲放宽电路模块捕获第一信号并转换输出高脉宽的... 详细信息

标准号: CN107423153A

本发明提供一种用于错误检测与校正技术的校正电路，其中包括：脉冲放宽电路模块，脉冲放宽电路模块连接到电路的错误检测电路模块输出的第一信号，当第一信号指示电路产生时序错误时，脉冲放宽电路模块捕获第一信号并转换输出高脉宽的第二信号；时序控制电路模块，时序控制电路模块输入电路的第一时钟信号以及第二信号，通过逻辑运算产生将第一时钟信号关闭一个时钟周期的第二时钟信号，当电路完成校正后，时序控制电路模块产生复位信号并传输给脉冲放宽电路模块，用于复位脉冲放宽电路模块并关闭第二信号。本发明能够在有效校正时序错误的前提下，减少硬件开销，降低工作电压和功耗。

关键词：电路模块脉冲时序控制电路模块第二信号时钟信号时序校正错误检测与校正错误检测电路电路完成复位脉冲复位信号工作电压逻辑运算模块输出时钟周期输入电路校正电路硬件开销指示电路高脉宽功耗捕获电路传输输出转换

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一种用于错误检测与校正技术的校正电路

一种用于错误检测与校正技术的校正电路

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作者：金威汪望林初雄何卫锋高建军 200240 上海市闵行区东川路800号

标准号: CN107423153B

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用于存储元件以提高可靠性的早期错误检测与自动校正技术

用于存储元件以提高可靠性的早期错误检测与自动校正技术

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作者： S·P·卡杜新加坡新加坡市

本申请案的实施例涉及用于存储元件以提高可靠性的早期错误检测与自动校正技术。具有错误检测与校正的半导体芯片包含多个管线且每一管线耦合到所述半导体芯片上的一或多个端口。所述半导体芯片进一步包含状态机，所述状态机耦合到所述... 详细信息

标准号: CN115640664A

本申请案的实施例涉及用于存储元件以提高可靠性的早期错误检测与自动校正技术。具有错误检测与校正的半导体芯片包含多个管线且每一管线耦合到所述半导体芯片上的一或多个端口。所述半导体芯片进一步包含状态机，所述状态机耦合到所述管线以产生由与多个存储元件相关联的读取型事件及/或扫描型事件组成的若干个事件。所述状态机是以硬件实施且可跨越所述多个存储元件集中地检测并校正错误存储器条目。

关键词：半导体芯片存储元件状态机耦合到错误检测与校正读取错误存储器错误检测硬件实施自动校正扫描型申请案校正条目关联检测

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抗单粒子翻转效应的SRAM研究与设计

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固体电子学研究与进展 2013年第5期33卷 491-496页

作者：陈楠魏廷存魏晓敏高武郑然西北工业大学计算机学院西安710072

在空间应用和核辐射环境中,单粒子翻转(SEU)效应严重影响SRAM的可靠性。采用错误检测与校正(EDAC)和版图设计加固技术研究和设计了一款抗辐射SRAM芯片,以提高SRAM的抗单粒子翻转效应能力。内置的EDAC模块不仅实现了对存储数据"纠... 详细信息

在空间应用和核辐射环境中,单粒子翻转(SEU)效应严重影响SRAM的可靠性。采用错误检测与校正(EDAC)和版图设计加固技术研究和设计了一款抗辐射SRAM芯片,以提高SRAM的抗单粒子翻转效应能力。内置的EDAC模块不仅实现了对存储数据"纠一检二"的功能,其附加的存储数据错误标志位还简化了SRAM的测试方案。通过SRAM原型芯片的流片和测试,验证了EDAC电路的功能。与三模冗余技术相比,所设计的抗辐射SRAM芯片具有面积小、集成度高以及低功耗等优点。

关键词：静态随机存储器辐射加固技术单粒子翻转错误检测与校正

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一种简捷实用的汉明码法

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火力与指挥控制 1992年第2期 75-78页

作者：何彪西南计算机工业公司重庆630060

介绍一种快速、简捷的汉明码法。该法减少了传统汉明码的设计复杂性和工作量,并缩短了校验时间;特别是对突发性错误有很强的检错、纠错能力。它适用于军工装备有关数字快速反应系统。

关键词：数据通信错误检测与校正汉明码

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基于疲劳状况刷新非易失性存储器单元

基于疲劳状况刷新非易失性存储器单元

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作者：弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔维沙尔·萨林辉俊胜美国爱达荷州

在所揭示实施例中的一者或一者以上中，基于疲劳状况的指示刷新存储器装置中的存储器单元。在一个此实施例中，控制器监测所述单元的行为参数并确定所述参数中的任何参数是否处于为每一参数所设置的正常范围之外，由此指示疲劳状况。如... 详细信息

标准号: CN101755307A

在所揭示实施例中的一者或一者以上中，基于疲劳状况的指示刷新存储器装置中的存储器单元。在一个此实施例中，控制器监测所述单元的行为参数并确定所述参数中的任何参数是否处于为每一参数所设置的正常范围之外，由此指示疲劳状况。如果任何单元指示疲劳状况，则将来自指示所述疲劳的单元块的数据移动到另一块。在一个实施例中，在将所述数据写入到另一存储器块中之前对所述数据执行错误检测与校正处理。

关键词：疲劳状况错误检测与校正存储器单元存储器装置存储器单元指示数据写入数据移动行为参数正常范围控制器刷新疲劳监测

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半导体存储器装置

半导体存储器装置

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作者：田村和明泉智绍笠原哲志中西雅浩松野公则井上学日本大阪府

本发明涉及半导体存储器装置，当读出传送源的数据时产生错误时，不会在包含错误的状态下将数据写入传送目的端。在包含数据写入单位比物理块小的非易失性存储器(2)的半导体存储器装置(1)中，在非易失性存储器(2)的内部设置错误检测及... 详细信息

标准号: CN100576360C

本发明涉及半导体存储器装置，当读出传送源的数据时产生错误时，不会在包含错误的状态下将数据写入传送目的端。在包含数据写入单位比物理块小的非易失性存储器(2)的半导体存储器装置(1)中，在非易失性存储器(2)的内部设置错误检测及校正电路(23)。将存储在非易失性存储器(2)内的预定物理块的数据传送并写入到不同的物理块中时，错误检测及校正电路(23)进行数据的错误检测与校正。

关键词：非易失性存储器物理块半导体存储器装置错误检测数据写入校正电路错误检测与校正传送目的数据传送存储内部

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暂态奇偶性/冗余

暂态奇偶性/冗余

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作者： M·A·盖尔特纳 K·道 S·法伍尔赫伯美国加利福尼亚州

本申请公开了暂态奇偶性/冗余。大容量存储使用额外的错误校正代码。额外的代码能够与关联数据分离地存储在存储介质（例如，易失性固态存储器）中。额外的代码可写到非易失性介质上。额外的代码可以是暂态的。额外的代码可以被高速缓... 详细信息

标准号: CN104050073B

本申请公开了暂态奇偶性/冗余。大容量存储使用额外的错误校正代码。额外的代码能够与关联数据分离地存储在存储介质（例如，易失性固态存储器）中。额外的代码可写到非易失性介质上。额外的代码可以是暂态的。额外的代码可以被高速缓存。只要存在，额外的代码可用于与其它的错误检测和校正代码同步地或者作为其它错误检测与校正代码的辅助对用户数据进行校正。