检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：尤韦翔廖思雅王振印中国台湾新竹

本申请的实施例公开了SRAM单元、存储器中计算器件和操作基于SRAM的电路的方法。SRAM单元包括交叉耦合到第二反相器的第一反相器。第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，其具有限定第一储存节点的耦合漏极。SRAM单元还包括第... 详细信息

标准号: CN118197376A

本申请的实施例公开了SRAM单元、存储器中计算器件和操作基于SRAM的电路的方法。SRAM单元包括交叉耦合到第二反相器的第一反相器。第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，其具有限定第一储存节点的耦合漏极。SRAM单元还包括第一N型通过门晶体管，其具有耦合到写入位线的第一漏极、耦合到第一储存节点的第一源极以及耦合到第一写入字线的第一栅极。SRAM单元还包括第一P型通过门晶体管，其具有耦合到写入位线的第二漏极和耦合到第一储存节点的第二源极。SRAM单元还包括P型晶体管，该P型晶体管具有耦合到第一P型通过门晶体管的第二栅极的第三漏极、耦合到第二写入字线的第三源极和耦合到使能信号的第三栅极。

关键词：耦合到漏极储存节点门晶体管反相器源极写入位线写入字线上拉晶体管下拉晶体管存储器计算器件交叉耦合使能信号耦合电路申请

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作者：朱慧珑李鑫昊 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

公开了一种静态随机存取存储(SRAM)单元及包括这种SRAM单元的存储器和电子设备。根据实施例，SRAM单元可以包括衬底上的第一上拉晶体管、第二上拉晶体管、第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一通过门晶体管和第二通过门晶体管。第一和... 详细信息

标准号: CN117412583A

公开了一种静态随机存取存储(SRAM)单元及包括这种SRAM单元的存储器和电子设备。根据实施例，SRAM单元可以包括衬底上的第一上拉晶体管、第二上拉晶体管、第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一通过门晶体管和第二通过门晶体管。第一和第二上拉晶体管相对于衬底设置在第一高度，而第一和第二下拉晶体管、第一和第二通过门晶体管相对于衬底设置在不同于第一高度的第二高度。第一和第二上拉晶体管、第一和第二下拉晶体管、第一和第二通过门晶体管各自包括在第一方向上延伸的沟道纳米片以及分别设于沟道纳米片之上和之下的源/漏部。第一下拉晶体管和第一上拉晶体管在竖直方向上对准，且第二下拉晶体管和所述第二上拉晶体管在竖直方向上对准。

关键词：上拉晶体管下拉晶体管门晶体管衬底纳米片沟道竖直对准随机存取存储电子设备存储器延伸

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双端口存储器单元及其制造方法

双端口存储器单元及其制造方法

作者：钟彥麟林高正詹伟闵陈炎辉中国台湾新竹

一种双端口存储器单元，包括第一、第二、第三和第四通过门晶体管，以及第一和第二字线。第一通过门晶体管包括在第一层级上的第一栅极。第二通过门晶体管包括在低于第一层级的第二层级上的第二栅极。第三通过门晶体管包括在第一层级上... 详细信息

标准号: CN118159024A

一种双端口存储器单元，包括第一、第二、第三和第四通过门晶体管，以及第一和第二字线。第一通过门晶体管包括在第一层级上的第一栅极。第二通过门晶体管包括在低于第一层级的第二层级上的第二栅极。第三通过门晶体管包括在第一层级上的第三栅极。第四通过门晶体管包括在第二层级上的第四栅极。第一字线在衬底前侧上方的第一金属层上，并且耦合到对应于双端口存储器单元的第一端口的第一和第三通过门晶体管。第二字线在衬底的背侧下方的第二金属层上，并且耦合到对应于双端口存储器单元的第二端口的第二和第四通过门晶体管。本申请的实施例还公开了一种一种制造双端口存储器单元的方法。

关键词：门晶体管层级双端口存储器字线耦合到衬底第二金属层第一金属层申请制造

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数字电压调节器电流感测和调节

数字电压调节器电流感测和调节

作者：詹姆士·基思·霍奇森法布里斯·帕里特克里斯多夫·J·曼迪克卡里·伦泽马阿南德·拉马松达尔萨米·海沃宁陈柏诚亚历克斯·圣地亚哥·罗德里格斯塞尔吉奥·卡罗·罗德里格斯萨拉瓦南·拉马莫尔西鲁思文·吉万·苏瓦纳美国加利福尼亚州

可以在闭环电压调节器内使用功率门晶体管的缩小尺寸复制件来测量由非复制件功率门中的晶体管输送的平均电流。所测得的电流被与已知的基准电流进行比较，并且反馈回路被用来修改功率门晶体管和复制件功率门晶体管的栅极偏置。改进的电... 详细信息

标准号: CN116339424A

可以在闭环电压调节器内使用功率门晶体管的缩小尺寸复制件来测量由非复制件功率门中的晶体管输送的平均电流。所测得的电流被与已知的基准电流进行比较，并且反馈回路被用来修改功率门晶体管和复制件功率门晶体管的栅极偏置。改进的电流感测功率门复制件方案可以包括：测量来自功率门的小复制件的电流，并通过将复制件电流乘以启用的功率门的尺寸与复制件的尺寸的比率来推算总电流。通过复制件的电流，其与等效功率门器件中的电流基本匹配，可以在模拟总线上得以收集并通过已知电阻器传导以生成电压，该电压决定了功率门器件的估计电流。

关键词：复制件功率门晶体管测量调节器闭环电压等效功率电流感测反馈回路基准电流门晶体管模拟总线平均电流使用功率栅极偏置电阻器门器件总电流传导匹配推算改进

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静态随机存取存储器装置

静态随机存取存储器装置

作者：李东勋权兑勇金洞院韩国京畿道水原市灵通区三星路129号

一种静态随机存取存储器装置包括第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管，所述第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管分别用作通门晶体管、下拉晶体管及上拉晶体管。每一晶体管的沟道区可包括垂直堆叠在衬底上的多个半导体片材。用作第一晶... 详细信息

标准号: CN107039444B

一种静态随机存取存储器装置包括第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管，所述第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管分别用作通门晶体管、下拉晶体管及上拉晶体管。每一晶体管的沟道区可包括垂直堆叠在衬底上的多个半导体片材。用作第一晶体管的沟道区及第二晶体管的沟道区的半导体片材可具有比用作第三晶体管的沟道区的半导体片材大的宽度。

关键词：晶体管沟道区半导体片静态随机存取存储器上拉晶体管下拉晶体管垂直堆叠门晶体管衬底

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作者：朱慧珑 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

公开了一种静态随机存取存储(SRAM)单元及包括这种SRAM单元的存储器和电子设备。根据实施例，SRAM单元可以包括衬底上分两层设置的第一上拉晶体管、第二上拉晶体管、第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一通过门晶体管和第二通过门晶体... 详细信息

标准号: CN110634870B

公开了一种静态随机存取存储(SRAM)单元及包括这种SRAM单元的存储器和电子设备。根据实施例，SRAM单元可以包括衬底上分两层设置的第一上拉晶体管、第二上拉晶体管、第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一通过门晶体管和第二通过门晶体管。各晶体管均可以是竖直型晶体管。第一上拉晶体管和第二上拉晶体管可以设置在第一层上，而第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一通过门晶体管和第二通过门晶体管可以设置与第一层处于不同高度的第二层上。第一上拉晶体管和第二上拉晶体管所在的区域与第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一通过门晶体管和第二通过门晶体管所在的区域在相对于衬底的上表面的竖直方向上可以至少部分地交迭。

关键词：上拉晶体管下拉晶体管门晶体管第一层晶体管衬底竖直随机存取存储电子设备存储器上表面交迭

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作者：朱慧珑 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

公开了一种制造静态随机存取存储(SRAM)单元的方法。根据实施例，该方法可以包括：在衬底上依次设置第一组的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及第二组的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层的叠层；在该叠层上形成硬掩模层，包括用于... 详细信息

标准号: CN114664742A

公开了一种制造静态随机存取存储(SRAM)单元的方法。根据实施例，该方法可以包括：在衬底上依次设置第一组的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及第二组的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层的叠层；在该叠层上形成硬掩模层，包括用于限定SRAM单元中晶体管的主体部分以及主体部分之间的、用于限定SRAM单元中互连结构的连接部分，连接部分的线宽小于主体部分的线宽；利用硬掩模层，在第二组的沟道层和第二源/漏层中限定下拉晶体管和通过门晶体管的有源区；利用硬掩模层，在第二组的第一源/漏层和第一组的第二源/漏层中限定第一互连结构和第二互连结构；以及利用硬掩模层，在第一组的沟道层和第一源/漏层中限定上拉晶体管的有源区。

关键词：源/漏层硬掩模层沟道层互连结构叠层线宽源区随机存取存储上拉晶体管下拉晶体管门晶体管依次设置晶体管衬底制造

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作者：朱慧珑 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

标准号: CN110634870A

关键词：上拉晶体管下拉晶体管门晶体管第一层晶体管衬底竖直随机存取存储电子设备存储器上表面交迭

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写入辅助单元

写入辅助单元

作者：陈炎辉赛尔·普特·辛格中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号

本发明实施例涉及一种写入辅助单元，其包括：第一上拉晶体管，其电耦合到电压阵列和第一节点；第一通过门晶体管，其电耦合到所述第一节点；和位线，其电耦合到所述第一通过门晶体管和下拉电压。所述第一通过门晶体管被配置成选择性地... 详细信息

标准号: CN108122575A

本发明实施例涉及一种写入辅助单元，其包括：第一上拉晶体管，其电耦合到电压阵列和第一节点；第一通过门晶体管，其电耦合到所述第一节点；和位线，其电耦合到所述第一通过门晶体管和下拉电压。所述第一通过门晶体管被配置成选择性地将所述位线耦合到所述第一节点。所述下拉电压被配置成在所述位线被耦合到所述第一节点时将所述电压阵列的电压从第一电压调整到第二电压。

关键词：门晶体管电耦合电压阵列下拉电压位线上拉晶体管电压调整辅助单元位线耦合耦合到配置写入

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静态随机存取存储器装置

静态随机存取存储器装置

作者：李东勋权兑勇金洞院韩国京畿道水原市灵通区三星路129号

标准号: CN107039444A

关键词：晶体管沟道区半导体片静态随机存取存储器上拉晶体管下拉晶体管垂直堆叠门晶体管衬底晶体管静态随机存取存储器