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Boost变流器门极驱动电路的EMI发射及抑制
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电工技术学报 2010年 第5期25卷 98-102页
作者： 陈恒林 凌光 黄华高 钱照明 浙江大学电气工程学院 杭州310027
为了研究Boost变流器中MOSFET门极驱动电路的电磁干扰(EMI)发射特性,通过测试将Boost变流器门极信号的EMI发射与整机EMI发射分离。分离的测试结果表明门极电路自身也会引起过量的EMI发射,是重要的EMI噪声源。论文还分析了门极驱动电压... 详细信息
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基于分立器件的SiC MOSFET功率模块门极驱动电路设计
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电工电能新技术 2018年 第10期37卷 51-57页
作者： 王翰祥 蒋栋 华中科技大学电气与电子工程学院 湖北武汉430074
SiC MOSFET功率模块能够帮助提高变换器高温、高功率密度运行的可行性。同时,对于高温下可靠运行的驱动电路的需求也随之增加。由于Si技术的驱动芯片和隔离芯片的耐温最大不超过125℃,本研究提出了一种使用脉冲变压器配合基于Si材料的... 详细信息
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DC1500V辅助变流器IGBT门极驱动电路
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机车电传动 2001年 第1期1卷 16-18,22页
作者： 邹高令 王立鹏 赵清良 株洲电力机车研究所 湖南株洲412001
从 DC15 0 0 V辅助变流器的特点出发 ,针对 IGBT门极驱动单元开发过程中的一些问题 ,提出了行之有效的控制方案 ,并分析了这种驱动方式的工作原理及特点。试验结果表明 ,该方案很好地满足了 DC15 0 0 V辅助变流器的控制要求。
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直流GTO—PWM发生器门极驱动电路的研究
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电气自动化 1991年 第4期13卷 18-20页
作者： 郑水应 杨爱玲
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IGBT门极驱动电路的研究
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电气传动 1997年 第1期27卷 53-57页
作者： 魏克新 周秋茜 王丽娟 天津理工学院
IGBT模块的开关性能取决于门极驱动电路的特性和外部直流回路的电感。本文讨论了这些参数对开关损耗、二极管恢复、瞬态开关电压、短路运行及dv/dt的感应电流的影响。这将有助于研究人员正确地使用IGBT。
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抑制开关时的di/dt的IGBT门极驱动电路
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大功率变流技术 1998年 第3期 33-38页
作者： 黑木一男 易厚梅 日
在最新的逆变器设计中,电磁兼容越来越受到重视。本文提出了一种新的抑制di/dt的IGBT门极驱动电路,它可以抑制开关时的dv/dt、di/dt和浪涌电压,减少开关损耗,而且,逆变器可以不用吸收电路。试验结果表明,与一般驱动方式相比,新的驱动方... 详细信息
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一种采用阴极开路技术的GTO门极驱动电路
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辽宁大学学报（自然科学版） 2004年 第1期31卷 17-19页
作者： 李双美 姜玲 王世坤 辽宁大学物理系 辽宁沈阳1100362 沈阳工程学院自控系 辽宁沈阳110036 吉林浑江发电公司 吉林白山134302
提出了一种使用阴极开路技术的GTO关断电路,该电路具有高开关速度、低能量损耗等优点,并且能很好地政善电路的抗du/dt能力.
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新型光耦ACPL-333J在IGBT门极驱动电路中的应用
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企业科技与发展 2013年 第7期 33-35页
作者： 唐志锋 廖政 桂林星辰科技有限公司 广西桂林541004
文章介绍了新型光耦ACPL-333J在伺服驱动器中的应用,以及简化IGBT门极驱动电路设计,提高IGBT保护能力的方法;详细描述了应用电路中的设计要点与保护功能的工作情况。通过实验验证ACPL-333J在实际产品中的可靠性与适用性。
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IGCT门极驱动电路的原理分析
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能源技术与管理 2005年 第5期30卷 64-66页
作者： 郑小刚 谢军 安徽理工大学机械工程系 安徽职业技术学院电气工程系 安徽合肥230051
在目前的中电压大功率应用领域,占主导地位的功率半导体器件有晶闸管、GTO和IGBT等,这些传统的功率器件在实用方面都存在一些缺陷。ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导体器件—IGCT。它的关键思想是将改进结构的GTO与反并联二极... 详细信息
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门极驱动电路、车辆及门极驱动电路的主动加热控制方法
门极驱动电路、车辆及门极驱动电路的主动加热控制方法
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作者： 王明强 何召朋 徐玮 201206 上海市浦东新区榕桥路555号
本发明提供一种门极驱动电路、车辆及门极驱动电路的主动加热控制方法，其中门极驱动电路包括微控制单元、驱动单元、开通支路、关断支路、第一加热支路和第二加热支路，在加热工况中，所述驱动单元接收所述微控制单元的第一控制信号，... 详细信息
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