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主题

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机构

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  • 3 篇 国家电网公司
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  • 2 篇 国网浙江省电力有...
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作者

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语言

  • 157 篇 中文
检索条件"主题词=门极驱动电路"
157 条 记 录,以下是41-50 订阅
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一种门极驱动电路、芯片及系统
一种门极驱动电路、芯片及系统
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作者: 石磊 朱治鼎 王蒙 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期3A28楼
本实用新型适用于电子驱动技术领域,尤其涉及一种门极驱动电路、芯片及系统,通过第一控制信号控制第一驱动模块,通过第二控制信号控制第二驱动模块,在面对不同的外围的功率器件需求时,可以选择合适的驱动端口来驱动外围的功率器件... 详细信息
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一种IGBT门极驱动电路
一种IGBT门极驱动电路
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作者: 吴晓光 傅俊寅 汪之涵 黄辉 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201
本申请公开了一种IGBT门极驱动电路,所述电路通过第一采样模块将IGBT开通时的门极电流转换输出为对应的第一电压信号,通过第一放大模块提供不同的放大比例系数,以对所述第一电压信号进行放大并输出第一控制信号,所述第一控制信号用... 详细信息
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一种集成封装的门极驱动电路
一种集成封装的门极驱动电路
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作者: 廖光朝 264006 山东省烟台市中国(山东)自由贸易试验区烟台片区烟台开发区长江路300号业达智谷孵化器C1608
一种集成封装的门极驱动电路,封装基岛集成有主控芯片、高边驱动芯片和低边驱动芯片;主控芯片与高边驱动芯片之间采用第一焊线组形成电气互联;主控芯片与低边驱动芯片之间采用第二焊线组形成电气互联;主控芯片通过主控外接焊线组连... 详细信息
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一种P沟道Mosfet门极驱动电路
一种P沟道Mosfet门极驱动电路
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作者: 龙友能 胡方圆 何思伟 212000 江苏省镇江市京口区学府路名仕家园14栋403
本实用新型公开了一种P沟道Mosfet门极驱动电路,包括电阻R1、三极管Q1、电阻R2、MOS管Q2和电阻RL,所述三极管Q1连接电阻R1和电阻R2,所述电阻R2另一端接电源负极,所述电源电压连接电阻R1和MOS管Q2,所述Q2为要驱动的P沟道Mosfet,所... 详细信息
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高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路
高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路
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作者: 励晔 黄飞明 赵文遐 贺洁 朱勤为 214028 江苏省无锡市新吴区珠江路51号
本实用新型提供一种高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路,包括:驱动电流调节电路的控制端与反相器INV115的输入端接门极驱动电路的输入端;门极驱动电路的输入端用于输入控制信号On;反相器INV115的输出端接第一MOS开关Q111的控制端以... 详细信息
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一种IGBT门极驱动电路
一种IGBT门极驱动电路
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作者: 李小琼 518066 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
本实用新型涉及一种IGBT门极驱动电路,包括PWM脉冲宽度调制器、VCC正电源端、VEE负电源端、IGBT门极、第一NPN开关管、第一PNP开关管、第一电阻和第二电阻,第一NPN开关管和VCC正电源端之间设置有开通缓冲电路,PWM脉冲宽度调制器与第... 详细信息
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一种开关速度可控的门极驱动电路
一种开关速度可控的门极驱动电路
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作者: 周宗杰 喻辉洁 518000 广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区留新四街万科云城三期C区八栋A座3303房
本发明公开了一种开关速度可控的门极驱动电路,包括开关管,以及包括与所述开关管耦接的主体驱动电路,用于控制所述开关管的门极驱动;与所述开关管耦接的开关速度控制电路,用于控制所述开关管的开关频率;所述开关速度控制电路包括... 详细信息
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功率管的门极驱动电路及电机控制器
功率管的门极驱动电路及电机控制器
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作者: 张太之 518000 广东省深圳市宝安70区留仙二路鸿威工业园E栋
本实用新型公开一种功率管的门极驱动电路及电机控制器,功率管的门极驱动电路包括:驱动芯片和调控模块,调控模块的第一端与所述驱动芯片的输出端连接,第二端与所述功率管的门极连接。从而解决了功率管导通或关断过程中开关损耗过大... 详细信息
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一种高可靠性SiCMOS门极驱动电路
一种高可靠性SiCMOS门极驱动电路
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作者: 仲召瑜 沈晔豪 214000 江苏省无锡市新吴区景贤路6号中国物联网国际创新园H1-1001
本实用新型公开了一种高可靠性SiCMOS门极驱动电路,其可抑制尖峰信号,提高驱动信号稳定性,从而可避免SiCMOS器件误导通或损坏的问题出现,其包括驱动器,驱动器通过连接电路与SiCMOS连接,连接电路包括开关速度调节器、尖峰抑制器、... 详细信息
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IGBT门极驱动电路、IGBT装置以及电动汽车
IGBT门极驱动电路、IGBT装置以及电动汽车
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作者: 于晶 刘波 单亮 庄朝晖 德国慕尼黑
本发明提供一种IGBT门极驱动电路、IGBT装置以及电动汽车,包括:驱动芯片21、第一MOS推挽电路22和第二MOS推挽电路23,其中,所述第一MOS推挽电路的输入端子221与所述驱动芯片的输出端子211连接;所述第一MOS推挽电路的输出端子222与... 详细信息
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