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文献类型

  • 3 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 3 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 3 篇 工学
    • 3 篇 材料科学与工程(可...
    • 3 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 3 篇 能带畸变
  • 3 篇 局域电子气
  • 3 篇 陷阱和局域电子气...
  • 3 篇 异质结鳍
  • 2 篇 能带峰势垒
  • 2 篇 钟形跨导曲线
  • 2 篇 跨导崩塌
  • 2 篇 沟道电子的速-场特...
  • 1 篇 虚栅
  • 1 篇 电流崩塌
  • 1 篇 涉及异质结能带转...

机构

  • 2 篇 南京电子器件研究...
  • 1 篇 南京电子器件研究...
  • 1 篇 固态微波器件与电...

作者

  • 3 篇 陈堂胜
  • 3 篇 杨乃彬
  • 3 篇 xue fangshi
  • 3 篇 薛舫时
  • 3 篇 chen tangsheng
  • 3 篇 yang naibin

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=陷阱和局域电子气的相互作用"
3 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
GaN HFET加应力后的虚栅和亚稳态能带
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2023年 第2期43卷 108-120页
作者: 薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 南京电子器件研究所 南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室 南京210016
使用双曲函数拟合描绘出从应力偏置转换到测试偏置后,不同时刻的表面电势、电场强度和电场梯度的动态弛豫过程。计算出这一偏置转换引发的亚稳态能带。亚稳态能带的弛豫过程描绘出沟道夹断后的异质结充电过程。亚稳态能带计算证明外沟... 详细信息
来源: 评论
GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2022年 第3期42卷 163-169页
作者: 薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
考虑大沟道电流下外沟道局域电子慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越... 详细信息
来源: 评论
GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌(续)
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2022年 第4期42卷 251-257,262页
作者: 薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
考虑大沟道电流下外沟道局域电子慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越... 详细信息
来源: 评论