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  • 2 篇 湘潭大学
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  • 1 篇 中国科学院新疆理...
  • 1 篇 中国原子能科学研...

作者

  • 1 篇 任迪远
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CMOS图像传感器质子位移损伤效应实验与分析
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光学学报 2024年 第13期44卷 297-305页
作者： 杨洁铖 殷倩 郭刚 张艳文 李理 钟向丽 湘潭大学材料科学与工程学院 湖南湘潭411105 中国原子能科学研究院国家原子能机构抗辐照应用技术创新中心 北京102413
为了分析不同能量质子辐射引发的位移损伤对CMOS图像传感器(CIS)参数影响的差异,以商用CIS为研究对象,在中国原子能科学研究院回旋加速器上开展了50 MeV和90 MeV质子辐照实验,分析了不同能量及注量的质子辐照下器件的暗信号、热像素和... 详细信息
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不同偏置条件下CMOS图像传感器质子辐照损伤效应的实验与分析
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光学学报 2023年 第19期43卷 280-288页
作者： 聂栩 王祖军 王百川 薛院院 黄港 赖善坤 唐宁 王茂成 赵铭彤 杨馥羽 王忠明 湘潭大学材料科学与工程学院 湖南湘潭411105 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 陕西西安710024
应用在空间辐射环境下的互补金属氧化物半导体图像传感器(CIS)会受到高能质子辐照损伤,导致性能退化,严重时甚至功能失效。为了分析CIS高能质子辐照损伤机理,本文以0.18μm工艺CIS为研究对象,利用西安200 MeV质子应用装置开展了注量分别... 详细信息
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商用CMOS有源像素传感器质子辐射损伤机理研究
商用CMOS有源像素传感器质子辐射损伤机理研究
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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议
作者： 汪波 李豫东 文林 郭旗 任迪远 孙静 张丹 马林东 刘元 中国科学院新疆理化技术研究所 新疆乌鲁木齐市北京南路40-1号830011
通过3、10、23MeV 不同能量质子辐照试验,研究了商用CMOS 有源像素传感器(CMOS Active Pixel Sensors 简称CMOS APS)的辐照效应,深入分析了器件参数退化的物理机理。试验结果显示：随着质子注量的不断增大暗信号显著退化,暗信号的增大... 详细信息
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