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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

402 篇 专利

馆藏范围

402 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

148 篇 中芯国际集成电路...
13 篇 长鑫存储技术有限...
9 篇 上海集成电路研发...
9 篇 中芯国际集成电路...
7 篇 上海华虹宏力半导...
6 篇 中国科学院苏州纳...
6 篇 中国科学院微电子...
6 篇 成都微光集电科技...
5 篇 中国科学院半导体...
5 篇 华虹半导体有限公...
4 篇 广东石油化工学院
4 篇 格科微电子有限公...
4 篇 清华大学
4 篇 芯盟科技有限公司
4 篇 金华市名仕科技股...
3 篇 上海宏力半导体制...
3 篇 南京大学
3 篇 安庆市鑫华腈工贸...
2 篇 中航锂电有限公司
2 篇 微集电科技有限公...

作者

31 篇 李勇
24 篇 周飞
13 篇 张海洋
7 篇 邓浩
6 篇 肖慧敏
6 篇 杨冰
6 篇 耿阳
6 篇 三重野文健
6 篇 胡少坚
6 篇 周伟
6 篇 王琪
5 篇 王小中
5 篇 禹国宾
5 篇 王楠
5 篇 徐洪泉
4 篇 徐耿钊
4 篇 赵海
4 篇 神兆旭
4 篇 黄增立
4 篇 徐科

语言

402 篇 中文

检索条件"主题词=隔离层表面"

共 402 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

一种固体氧化物电池隔离层及单电池和制备方法

一种固体氧化物电池隔离层及单电池和制备方法

引用

作者：朱腾龙程丽亚吕秋秋曲虹霞韩敏芳钟秦 210094 江苏省南京市玄武区孝陵卫200号

本发明公开了一种固体氧化物电池隔离层及单电池和制备方法。将固体氧化物电池电解质浸没于水溶液中，在一定温度下反应一定时间，形成隔离层，采用丝网印刷法在所述隔离层表面制备电极，然后共烧结形成单电池。本发明制备的隔离层可以... 详细信息

标准号: CN116137334A

本发明公开了一种固体氧化物电池隔离层及单电池和制备方法。将固体氧化物电池电解质浸没于水溶液中，在一定温度下反应一定时间，形成隔离层，采用丝网印刷法在所述隔离层表面制备电极，然后共烧结形成单电池。本发明制备的隔离层可以有效抑制电极/电解质界面的化学反应和元素扩散，阻止电极与电解质的相互反应，而且该方法具有工艺流程简单、成本低、组成与厚度可控、容易规模化生产、可适用于多种构型固体氧化物电池等优点。

关键词：固体氧化物电池电解质电极隔离层制备单电池化学反应隔离层表面规模化生产丝网印刷法厚度可控有效抑制元素扩散浸没工艺流程共烧结构型

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具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器

具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器

引用

作者：吴传贵罗文博帅垚 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器；制备方法包括在单晶晶圆下表面注入高能量离子，使得单晶晶圆内部形成损伤层，损伤层将单晶晶圆分隔成压电层和单晶薄膜层；在单晶... 详细信息

标准号: CN109913954B

本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器；制备方法包括在单晶晶圆下表面注入高能量离子，使得单晶晶圆内部形成损伤层，损伤层将单晶晶圆分隔成压电层和单晶薄膜层；在单晶薄膜层的表面制备隔离层；在隔离层表面旋涂键合层；将键合层与衬底叠放，进行退火处理，冷却，得到具有隔离层的单晶薄膜；通过具有隔离层的单晶薄膜的制备方法制备得到的单晶薄膜，单晶薄膜表面无气泡，无裂纹，无隆起结构，单晶薄膜性能显著提高。

关键词：单晶薄膜隔离层制备单晶薄膜层键合层损伤层制备技术领域高能量离子隔离层表面表面制备隆起结构退火处理下表面谐振器压电层衬底叠放分隔旋涂冷却

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具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器

具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器

引用

作者：吴传贵罗文博帅垚 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

标准号: CN109913954A

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：王晓娟张浩许增升段超于海龙 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述源漏层和所述隔离层表面形成介质层；在所述介质层内形成开口和位于所述开口底部的接触孔，所述开口暴露出所述源漏层顶部表面，所述接触孔还位于所述隔离层内，以暴露出所述埋地电源... 详细信息

标准号: CN116344536A

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述源漏层和所述隔离层表面形成介质层；在所述介质层内形成开口和位于所述开口底部的接触孔，所述开口暴露出所述源漏层顶部表面，所述接触孔还位于所述隔离层内，以暴露出所述埋地电源线的顶部表面；采用第一选择性生长工艺在所述接触孔暴露出的所述埋地电源线表面形成接触层；形成所述接触层后，在所述开口暴露出的介质层表面形成阻挡层；形成所述阻挡层后，在所述开口内形成导电层，接触层可以选择性在埋入电源线表面生长，利于提高接触孔的填充能力，避免了氮化钛材料对接触电阻的不良影响，利于提高导电层和接触层、接触层和埋地电源线之间的接触电阻。

关键词：接触层接触孔开口埋地暴露电源线表面顶部表面接触电阻导电层电源线介质层阻挡层源漏半导体结构氮化钛材料隔离层表面介质层表面选择性生长隔离层埋入填充生长

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一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法

一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法

引用

作者：姜校顺顾佳新程欣宇李冠宇肖敏 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

本发明提供一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法，所述方法包括以下步骤：利用热氧化法在硅基底表面制备二氧化硅层，在所述二氧化硅层表面沉积隔离层，在所述隔离层表面涂覆光刻胶层；通过曝光和显影，将掩模板图案转移到所述光... 详细信息

标准号: CN109870769A

本发明提供一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法，所述方法包括以下步骤：利用热氧化法在硅基底表面制备二氧化硅层，在所述二氧化硅层表面沉积隔离层，在所述隔离层表面涂覆光刻胶层；通过曝光和显影，将掩模板图案转移到所述光刻胶层上，以所述光刻胶层为模板，刻蚀所述二氧化硅层，去胶后使用XeF₂蚀刻所述硅基底得到所述二氧化硅光学微盘腔。所述方法与现有的半导体工艺完全兼容，制备得到的二氧化硅光学微盘腔尺寸大，且具有超高的品质因子。

关键词：二氧化硅光刻胶层微盘制备二氧化硅层二氧化硅层表面蚀刻半导体工艺沉积隔离层隔离层表面硅基底表面掩模板图案干法蚀刻品质因子热氧化法硅基刻蚀去胶涂覆显影兼容曝光

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一种仿生光电储备池神经形态器件及其制备方法

一种仿生光电储备池神经形态器件及其制备方法

引用

作者：孟佳琳王天宇陈琳孙清清张卫 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明公开一种仿生光电储备池神经形态器件及其制备方法。该光电储备池神经形态器件包括：衬底；种子层，形成在所述衬底上；隔离层，形成在所述种子层上；氧化物纳米线网络，形成在所述隔离层表面，作为电子储备池，利用生长的氧化物... 详细信息

标准号: CN115988953A

本发明公开一种仿生光电储备池神经形态器件及其制备方法。该光电储备池神经形态器件包括：衬底；种子层，形成在所述衬底上；隔离层，形成在所述种子层上；氧化物纳米线网络，形成在所述隔离层表面，作为电子储备池，利用生长的氧化物纳米线随机排布的特性构建储备池中的神经元节点，借助氧化物纳米线的忆阻行为实现类人脑的随机相连的储备池神经元；具有光电响应的半导体量子点，生长在氧化物纳米线网络上，对其进行修饰，将器件的响应从纯电学拓展至光电响应，实现对光信号的感知功能；工作电极，生长在纳米线网络上。

关键词：氧化物纳米线储备光电响应神经形态种子层衬底生长神经元半导体量子点隔离层表面纳米线网络神经元节点工作电极随机排布特性构建隔离层电学人脑修饰制备感知网络响应拓展

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半导体结构及其制造方法

半导体结构及其制造方法

引用

作者：刘志拯 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：衬底，所述衬底内具有沟槽，所述沟槽包括位于底部和侧壁之间的拐角，所述拐角朝背离所述沟槽开口的方向凸起；第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述侧壁表面、所述拐角表... 详细信息

标准号: CN114864477A

本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：衬底，所述衬底内具有沟槽，所述沟槽包括位于底部和侧壁之间的拐角，所述拐角朝背离所述沟槽开口的方向凸起；第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述侧壁表面、所述拐角表面以及所述底部表面；第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述第一隔离层表面，所述第二隔离层的材料的硬度大于所述第一隔离层的材料的硬度；应力调整层，位于所述拐角与所述第二隔离层之间的所述第一隔离层内，所述应力调整层的硬度大于所述第一隔离层的硬度。本发明实施例有利于减小沟槽底部拐角受到的应力。

关键词：隔离层拐角半导体结构应力调整层衬底隔离层表面侧壁表面底部表面沟槽开口拐角表面侧壁覆盖减小凸起背离制造

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薄膜晶体管、存储器及其制备方法

薄膜晶体管、存储器及其制备方法

引用

作者：许高博杨延宇颜刚平牛楚乔 100176 北京市大兴区经济技术开发区科创十街18号京东贝科技园11号楼4层

本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、存储器及其制备方法。该薄膜晶体管包括衬底，在衬底的任意表面上方设有半导体层，在半导体层远离衬底的表面设有源/漏层，在源/漏层的中央设有隔离层，在隔离层表面设有沟道，... 详细信息

标准号: CN118173609A

本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、存储器及其制备方法。该薄膜晶体管包括衬底，在衬底的任意表面上方设有半导体层，在半导体层远离衬底的表面设有源/漏层，在源/漏层的中央设有隔离层，在隔离层表面设有沟道，且沟道包覆隔离层，至少部分沟道为经等离子体轰击处理；该薄膜晶体管还包括栅极，栅极位于沟道背离隔离层的表面，在沟道与栅极之间设有栅介质层，在栅极上方设有掩膜层及顶电极，其中，顶电极贯穿掩膜层以连接沟道。该薄膜晶体管可以增加沟道中氧空位浓度和/或提高源漏接触区载流子浓度，通过减小源漏接触电阻以提高器件的开态电流。

关键词：沟道薄膜晶体管隔离层衬底半导体层源/漏层顶电极掩膜层载流子半导体器件技术等离子体轰击隔离层表面源漏接触区开态电流源漏接触栅介质层存储器氧空位包覆电阻减小制备背离贯穿申请

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一种多层陶瓷电路板结构及其制备方法

一种多层陶瓷电路板结构及其制备方法

引用

作者：刘松坡刘学昌张树强 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区武大园四路1号-1、2号国家地球空间信息产业基地五期武大慧园2、3栋2单元3层04室

本发明公开了一种多层陶瓷电路板结构及其制备方法，所述多层陶瓷电路板结构由陶瓷基板、隔离层、互连孔道、图案化电路组合而成。所述陶瓷基板上下表面有图形化电路，内含贯通上下表面的连通孔，连通孔内填充有金属铜柱。所述陶瓷基板... 详细信息

标准号: CN116916526A

本发明公开了一种多层陶瓷电路板结构及其制备方法，所述多层陶瓷电路板结构由陶瓷基板、隔离层、互连孔道、图案化电路组合而成。所述陶瓷基板上下表面有图形化电路，内含贯通上下表面的连通孔，连通孔内填充有金属铜柱。所述陶瓷基板表面通过旋涂工艺涂覆耐热绝缘胶，加热固化形成隔离层，并在隔离层表面制作图形化电路。所述隔离层内含连通孔并填充金属铜柱，实现陶瓷基板与隔离层间电互连，获得多层电路。本发明利用陶瓷基板的绝缘、散热性能，通过旋涂、激光打孔、光刻显影、图形电镀等工艺制备出实用性强，工艺简单的多层陶瓷电路板，提高封装集成度。

关键词：陶瓷基板隔离层多层陶瓷电路板连通孔图形化电路上下表面旋涂陶瓷基板表面隔离层表面图案化电路多层电路工艺制备光刻显影激光打孔加热固化金属铜柱散热性能填充金属图形电镀集成度电互连绝缘胶互连耐热孔道铜柱涂覆绝缘填充制备封装贯通制作

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基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法

基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法

引用

作者：谢丹冯婷婷任天令宋睿田禾李虓吴德海朱宏伟 100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室

基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法，在单晶半导体衬底上淀积氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)作为隔离层，在单晶半导体衬底表制备出仿生蛾眼阵列，在衬底背面蒸发金属作为背电极，在隔离层表面制备金属前电极，在阵列上填... 详细信息

标准号: CN102263144A

基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法，在单晶半导体衬底上淀积氧化硅(SiO₂)或氮化硅(Si₃N₄)作为隔离层，在单晶半导体衬底表制备出仿生蛾眼阵列，在衬底背面蒸发金属作为背电极，在隔离层表面制备金属前电极，在阵列上填充半导体材料形成异质结，制得的半导体异质结太阳能电池结构简单，易于制备，不仅能有效地减少入射光的反射，而且可以增大异质结的接触面积，从而达到提高太阳能电池能量转换效率的目的。

关键词：衬底半导体异质结单晶半导体太阳能电池电极异质结蛾眼半导体材料太阳能电池结构能量转换效率隔离层表面接触面积蒸发金属制备金属氮化硅隔离层氧化硅淀积填充背面

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