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  • 401 篇 专利
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  • 405 篇 电子文献
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学科分类号

  • 4 篇 工学
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    • 1 篇 生物工程

主题

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  • 1 篇 dram
  • 1 篇 交流声干扰
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机构

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作者

  • 8 篇 陈燕宁
  • 7 篇 史广达
  • 7 篇 邓永峰
  • 7 篇 赵东艳
  • 7 篇 王永
  • 7 篇 吴波
  • 7 篇 刘芳
  • 7 篇 丁万新
  • 6 篇 董志伟
  • 6 篇 杨兰均
  • 6 篇 郁文
  • 6 篇 顾辉
  • 6 篇 葛磊
  • 6 篇 陶园林
  • 5 篇 章明瑞
  • 5 篇 盛云
  • 5 篇 伍荣翔
  • 5 篇 姚鹏
  • 5 篇 宋文平
  • 5 篇 方向明

语言

  • 405 篇 中文
检索条件"主题词=隔离电容"
405 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
具有折叠位线自适应侧壁隔离电容(FASIC)...
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江南半导体通讯 1992年 第6期20卷 20-25,33页
作者: Mashi.,K 毛志军
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隔离电容通信电路及其失效保护方法
隔离电容通信电路及其失效保护方法
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作者: 张程龙 郑俊杰 李律 518000 广东省深圳市南山区西丽街道朗山路19号源政创业大厦B座5楼502
本申请实施例公开一种隔离电容通信电路及其失效保护方法。所述电路包括第一通信子电路和第二通信子电路;所述第一通信子电路包括串联在一起的第一电容和第二电容;所述第二通信子电路包括串联在一起的第三电容和第四电容。所述方法包... 详细信息
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隔离电容以及隔离电容的制备方法
隔离电容以及隔离电容的制备方法
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作者: 陈燕宁 邓永峰 赵东艳 吴波 刘芳 王凯 李君建 郁文 张同 吴祖谋 章明瑞 董子斌 100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
本发明涉及芯片技术领域,公开了一种隔离电容以及隔离电容的制备方法。所述隔离电容包括:设于下极板上的第一绝缘介质;设于第一绝缘介质上的绝缘介质夹层,其中绝缘介质夹层包括第二、第三绝缘介质,第二绝缘介质的上表面具有凸起结... 详细信息
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隔离电容以及隔离电容的制备方法
隔离电容以及隔离电容的制备方法
收藏 引用
作者: 陈燕宁 邓永峰 赵东艳 吴波 刘芳 王凯 李君建 郁文 张同 吴祖谋 章明瑞 董子斌 100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
本发明涉及芯片技术领域,公开了一种隔离电容以及隔离电容的制备方法。所述隔离电容包括:设于下极板上的第一绝缘介质;设于第一绝缘介质上的绝缘介质夹层,其中绝缘介质夹层包括第二、第三绝缘介质,第二绝缘介质的上表面具有凸起结... 详细信息
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隔离电容封装结构及其形成方法
隔离电容封装结构及其形成方法
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作者: 陈益群 林清俤 江扬辉 邓维平 沈超 315336 浙江省宁波市杭州湾新区玉海东路68号23#、24#厂房
一种隔离电容封装结构及其形成方法,所述隔离电容封装结构包括:位于第一平面的一个或多个电容上极板;位于第二平面的与所述电容上极板交错排列的电容下极板,每个电容上极板覆盖相邻的两个电容下极板中每个电容下极板的至少一部分,... 详细信息
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隔离电容通信电路及其失效保护方法
隔离电容通信电路及其失效保护方法
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作者: 张程龙 郑俊杰 李律 518000 广东省深圳市南山区西丽街道朗山路19号源政创业大厦B座5楼502
本申请实施例公开一种隔离电容通信电路及其失效保护方法。所述电路包括第一通信子电路和第二通信子电路;所述第一通信子电路包括串联在一起的第一电容和第二电容;所述第二通信子电路包括串联在一起的第三电容和第四电容。所述方法包... 详细信息
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隔离电容以及隔离电容的制备方法
隔离电容以及隔离电容的制备方法
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作者: 赵东艳 邓永峰 陈燕宁 吴波 刘芳 王凯 李君建 郁文 张同 吴祖谋 章明瑞 董子斌 100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
本发明涉及芯片技术领域,公开了一种隔离电容以及隔离电容的制备方法。所述隔离电容包括:设于基底上的下极板;设于所述下极板上的第一绝缘介质;设于所述第一绝缘介质内的金属层,其中所述金属层的边缘为平滑曲面结构,以及所述平滑... 详细信息
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隔离电容及其制备方法
隔离电容及其制备方法
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作者: 王永 215000 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园2-B304-1
本发明揭示了一种隔离电容及其制备方法,所述隔离电容包括衬底、电介质层、P型外延层、第一电极板和第二电极板、第一介质层和第二介质层,所述P型外延层上形成有封闭的第一深槽隔离区及第二深槽隔离区,第一深槽隔离区位于第二深槽隔... 详细信息
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隔离电容隔离通信电路
隔离电容、隔离通信电路
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作者: 尹健 林晓伟 祝靖 李海松 214145 江苏省无锡市新吴区长江路16号芯朋大厦
本发明公开了一种隔离电容隔离通信电路,该隔离电容包括:P型衬底(100)、位于衬底之上的N型埋层(101),位于N型埋层(101)之上的深N阱(102)和P阱(103),位于P阱(103)上的第一电极(107)和第二电极(108),位于P阱(103)和第一电极(107)... 详细信息
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隔离电容隔离电路
隔离电容及隔离电路
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作者: 陶园林 215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园2-B304-1
本发明揭示了一种隔离电容隔离电路,所述隔离电容包括衬底、位于衬底上的第一介质层、位于第一介质层上的若干下极板、位于下极板上的第二介质层、及位于第二介质层上的若干上极板,所述隔离电容通过下极板和/或上极板与外部芯片或... 详细信息
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