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集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件
集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件
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作者： 不公告发明人 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
本发明提供了一种集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件。通过在位线组的外围上设置外围隔墙，从而有利于缓解位线组中位于边缘位置的位线产生图形变形的问题，并且还可使位线组中对应边缘位置和对应中间位置的电路排布密集... 详细信息
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集成电路存储器装置及控制延迟锁定环电路的方法
集成电路存储器装置及控制延迟锁定环电路的方法
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作者： 林钟亨 成熹庆 韩国京畿道
一个集成电路存储器装置的延迟锁定环电源，其供电给延迟锁定环电路，和一个控制信号发生器，其在集成电路存储器装置的刷新模式期间，根据一个选择信号，控制所述延迟锁定环电源以便选择性地供电给延迟锁定环电路。
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集成电路存储器及其制备方法、半导体集成电路器件
集成电路存储器及其制备方法、半导体集成电路器件
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作者： 雒曲 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
本发明涉及一种集成电路存储器及其制备方法、半导体集成电路器件，包括：提供衬底；在衬底上形成沿第一方向延伸的位线；在位线上形成沿第二方向延伸的字线；在字线和位线空间相交的交叠区域上形成立式存储晶体管，所述立式存储晶体管... 详细信息
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集成电路存储器及其制备方法、半导体器件
集成电路存储器及其制备方法、半导体器件
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作者： 请求不公布姓名 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
本发明提供一种集成电路存储器及其形成方法、半导体器件，所述方法包括在基底上形成第一间隔材料层，并刻蚀形成多个第一开口，每一第一开口暴露出两个相邻的位线接触区以及两个位线接触区之间的字线，形成阻挡层在第一开口的底部及侧... 详细信息
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集成电路存储器及其形成方法
集成电路存储器及其形成方法
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作者： 李玉坤 230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
本申请提供一种集成电路存储器及其形成方法，该存储器包括：一衬底，衬底中设置有多个呈阵列式排布的有源区；一传导线组，形成在衬底中，传导线组包括多条沿第一方向依次排布的传导线，每一传导线在第二方向上延伸并与相应的有源区连... 详细信息
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集成电路存储器及其形成方法
集成电路存储器及其形成方法
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作者： 不公告发明人 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
本发明涉及集成电路领域，提供了一种集成电路存储器及其形成方法。在所述形成方法中，在衬底上形成隔离层并在其中形成暴露多个第二源/漏区的开口后，利用外延生长工艺在对应于同一开口内的多个第二源/漏区的衬底表面形成对应的多个外... 详细信息
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集成电路存储器及其形成方法
集成电路存储器及其形成方法
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作者： 李玉坤 230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
本申请提供一种集成电路存储器及其形成方法，该存储器包括：一衬底，衬底中设置有多个呈阵列式排布的有源区；一传导线组，形成在衬底中，传导线组包括多条沿第一方向依次排布的传导线，每一传导线在第二方向上延伸并与相应的有源区连... 详细信息
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集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件
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作者： 请求不公布姓名 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
本发明提供了一种集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件。采用竖直设置在衬底上的有源柱体以构成立式存储晶体管，从而有利于减小立式存储晶体管在衬底上的单元配置尺寸，进而能够进一步缩减集成电路存储器的尺寸。并且，竖... 详细信息
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集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件
集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件
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作者： 请求不公布姓名 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
本发明提供了一种集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件。采用竖直设置在衬底上的有源柱体以构成的立式存储晶体管，从而有利于减小立式存储晶体管在衬底上的单元配置尺寸，进而能够进一步缩减存储器的尺寸。并且，竖直结构... 详细信息
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集成电路存储器的晶体管组合结构及其形成方法
集成电路存储器的晶体管组合结构及其形成方法
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作者： 赵亮 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
本发明提供了一种集成电路存储器的晶体管组合结构及其形成方法。通过在沟道区的衬底中形成相对于沟道区的第一顶表面凹陷的第一缺口，以增加沟道区与字线交界的有效面积。因此，在由有源区和字线构成的存储晶体管导通时，即可使所形成... 详细信息
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