检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：王伟中国科学院大学

学位级别：博士

近年来，随着THz技术在无线通信、成像、光谱分析等应用领域的不断扩展，紧凑、稳定的固态THz源已逐渐成为研究的一个热点。InP基共振隧穿二极管(RTD)由于室温下具有优良的负阻和频率特性，因此在太赫兹/毫米波和超高速电路等领域中具... 详细信息

近年来，随着THz技术在无线通信、成像、光谱分析等应用领域的不断扩展，紧凑、稳定的固态THz源已逐渐成为研究的一个热点。InP基共振隧穿二极管(RTD)由于室温下具有优良的负阻和频率特性，因此在太赫兹/毫米波和超高速电路等领域中具有巨大的发展潜力和应用需求。\n 本论文致力于研制太赫兹InP基RTD器件以及RTD振荡电路设计。成功研制出峰谷电流比(PVCR)大于40的空气桥平面型RTD器件，其阻性截止频率预计大于150GHz。同时，对InP基RTD器件的模拟设计、外延材料表征、结构设计和制备工艺、器件测试与分析等方面进行了深入的研究，并开展了InP基RTD非线性等效电路的建模以及负阻振荡电路设计与仿真。本论文主要工作如下:\n 采用基于非平衡格林函数法(NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基RTD器件外延结构进行了模拟分析和优化设计。详细分析和讨论了GaxIn1-xAs势阱中In组份、发射区和集电区掺杂浓度、集电区和隔离层厚度、以及势垒和势阱的厚度、散射等八个主要的几何结构参数和材料物理参数变化对器件性能的影响。仿真结果对于器件研制具有明确的指导意义。\n 提出了在Ga0.47In0.53As集电区和集电极欧姆接触层之间，生长一层薄的重掺杂InP腐蚀截止层的RTD器件结构，有利于通过选择性腐蚀控制腐蚀工艺过程，从而提高器件性能的一致性。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术制备了InP基RTD外延片，并通过X射线衍射(XRD)以及原子力显微镜(AFM)测试技术进行了表征。结果表明外延材料具有较好的晶体质量，能够满足器件研制的需要。\n 设计了一套自对准工艺台面型器件工艺流程和版图，研制出具有负阻特性的台面型InP基RTD器件。深入研究了器件制备过程中关键的工艺步骤:台面刻蚀和欧姆接触电极制备。分析了工艺因素对RTD器件性能的影响，提出了改进的方法。\n 提出了一种新颖的InP基RTD器件空气桥平面结构，不仅能减小寄生电容，还到起到较好的器件隔离作用，提高了RTD器件I-V特性和高频性能。设计了该结构的器件版图和工艺流程，成功研制出具有高峰谷电流比的空气桥平面结构InP基RTD器件。室温下，典型器件的峰值电流为43mA，峰值电流密度为24kA/cm2，峰谷电流比大于40，由模型参数计算得到RTD阻性截止频率高于150GHz。\n 采用符号定义器件(SDD)技术建立了InP基RTD器件非线性大信号模型，并嵌入到商用软件Agilent ADS中，准确的描述了该器件的特性。基于所建立的电路模型，采用ADS软件设计了24GHz分布参数振荡电路和120GHz集总参数振荡电路。仿真结果表明InP基RTD振荡电路具有良好的性能，所研制的InP基RTD器件具有用于产生THz波的潜力。

关键词：器件模拟空气桥平面结构振荡电路太赫兹共振隧穿二极管非平衡格林函数法负阻特性

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GaN纳米结构的制备与GaN纳米线理论研究

GaN纳米结构的制备与GaN纳米线理论研究

引用

作者：石贤西安理工大学

学位级别：硕士

GaN是一种宽带隙(Eg=3.4 eV)半导体材料，具有优越的光学、电学和机械性质，热稳定性高，化学稳定性好，在光电子和微电子器件等方面具有广泛的应用，成为新一代化合物半导体材料的研究热点。本文研究了用Pt催化CVD法制备GaN纳米结构的... 详细信息

GaN是一种宽带隙(Eg=3.4 eV)半导体材料，具有优越的光学、电学和机械性质，热稳定性高，化学稳定性好，在光电子和微电子器件等方面具有广泛的应用，成为新一代化合物半导体材料的研究热点。本文研究了用Pt催化CVD法制备GaN纳米结构的工艺，用密度泛函理论计算了饱和三角截面GaN纳米线的电子结构和电子输运特性。　　在用CVD法制备GaN纳米结构的工艺部分，研究了氨化温度、氨气流量和氨化时间对竹叶形GaN纳米结构形貌的影响，得到了调控竹叶形GaN纳米结构形貌的工艺，对所制样品进行了XRD、SEM表征。　　用第一性原理和非平衡格林函数(NEGF)方法研究了35个原子、110个原子和221个原子的加氢饱和三角截面GaN纳米线的几何结构、能带结构和输运特性，计算结果表明:优化后的几何结构中键长发生了变化;饱和三角截面GaN纳米线的带隙均为直接带隙，且随着原子个数的增加，禁带宽度逐渐减小;纳米线两极体系的态密度和传输谱都有脉冲形的尖峰，并且二者尖峰所对应的电子能量的位置基本相同，表明电子态密度和电子传输谱的变化趋势是相互对应的。

关键词：氮化镓半导体纳米结构制备工艺第一性原理非平衡格林函数法

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Bi2Se3纳米材料的制备与GaN纳米线理论研究

Bi2Se3纳米材料的制备与GaN纳米线理论研究

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作者：朱鹏飞西安理工大学

学位级别：硕士

拓扑绝缘体是指元素周期表中Ⅴ-Ⅵ族的化合物（尤其是Ⅴ2Ⅵ3型化合物），包括Bi2Se3、Bi2Te3和Sb2Te3及以此为基础的合金材料，由于这些材料既可作为绝缘体，同时又具导体性质，使其不仅在自旋量子学和量子计算机等方面有广泛应用，而... 详细信息

拓扑绝缘体是指元素周期表中Ⅴ-Ⅵ族的化合物（尤其是Ⅴ2Ⅵ3型化合物），包括Bi2Se3、Bi2Te3和Sb2Te3及以此为基础的合金材料，由于这些材料既可作为绝缘体，同时又具导体性质，使其不仅在自旋量子学和量子计算机等方面有广泛应用，而且在晶体管、存储设备及磁性传感器等能耗高的产品领域有很大的应用前景。氮化镓(GaN)是一种性能优异的直接宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物材料，具有优越的光学、电学和机械性质，热稳定性高，化学稳定性好，广泛应用于蓝、绿发光二极管、半导体激光器、高温大功率等器件。　　本论文研究了Bi2Se3纳米片和纳米线的制备工艺;用密度泛函理论计算了饱和单晶GaN纳米线的电子结构和电子传输特性。　　首先，利用溶剂热法制备Bi2Se3纳米片时，反应时间和温度对Bi2Se3纳米片生长的影响，用X射线衍射(XRD)表征和扫描电子显微镜(SEM)对样品进行表征，分析不同条件下Bi2Se3纳米片样品的生长情况，从而得到了Bi2Se3纳米片的最佳生长条件，成功制备出大量高质量的Bi2Se3纳米片;其次，利用气相沉积法对Bi2Se3纳米线的制备工艺进行了研究，并对样品进行了SEM表征，Bi2Se3纳米线表面光滑，直径约为40-100nm，长度约为几微米。　　采用密度泛函理论和非平衡格林函数方法，研究了不同直径的饱和单晶GaN纳米线的能带结构、电子输运及电流-电压特性。计算结果表明，饱和单晶GaN纳米线是直接带隙，并且带隙随着直径的变大而减小;两极体系下的传输特性显示，电子透射率和电子态密度均具有脉冲型尖峰，尖峰对应电子能量的位置基本相同，电子的输运模式具有量子性;两极体系在不同偏压下电流-电压特性曲线是对称的，且显示出半导体特性。

关键词：纳米材料拓扑绝缘体溶剂热法气相沉积法密度泛函理论非平衡格林函数法

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InP基RTD特性的数值模拟研究

引用

固体电子学研究与进展 2010年第3期30卷 317-322,332页

作者：王伟孙浩孙晓玮徐安怀齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100039 信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和... 详细信息

采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和集电区掺杂浓度以及隔离层厚度对InP基RTD器件I-V特性的影响。模拟结果表明,采用富In组份的势阱有利于降低峰值电压,提高发射区掺杂浓度有利于增大峰值电流密度,而散射则会导致谷值电流增大,影响其负阻特性。

关键词：磷化铟基共振隧穿二极管电流-电压特性非平衡格林函数法散射

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半导体型单壁碳纳米管的电子输运特性

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固体电子学研究与进展 2008年第3期28卷 317-320,345页

作者：宋久旭杨银堂刘红霞张骥西安电子科技大学微电子所宽禁带半导体材料与器件教育部重点试验室西安710071

采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green functions,NEGF),对耦合于两个面心立方间的Al(111)电极间的(8,0)碳纳米管(Carbon nanotube,CNT)传输特性进行了计算。结果表明,在小偏压下(-40～40 mV),碳纳米管伏安特... 详细信息

采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green functions,NEGF),对耦合于两个面心立方间的Al(111)电极间的(8,0)碳纳米管(Carbon nanotube,CNT)传输特性进行了计算。结果表明,在小偏压下(-40～40 mV),碳纳米管伏安特性与孤立碳纳米管的接近为零不同,而是接近为线性,这是耦合导致碳纳米管能级移动的结果。

关键词：单壁碳纳米管非平衡格林函数法透射谱输运特性

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多通道单分子导线的量子输送现象

多通道单分子导线的量子输送现象

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作者：许良彦国立台湾大学

学位级别：硕士

近十年来，由于分子自我组装和显微技术的进步，单分子电子学在理论跟实验上获得许多进展。本篇论文主要是探讨多通道分子导线的量子输送现象，内容主要包含两部份，第一部分是利用自由电子网路模型(free electron network model)，探讨... 详细信息

近十年来，由于分子自我组装和显微技术的进步，单分子电子学在理论跟实验上获得许多进展。本篇论文主要是探讨多通道分子导线的量子输送现象，内容主要包含两部份，第一部分是利用自由电子网路模型(free electron network model)，探讨benzenedithiol分子在不同连结方式下的量子输送现象，包含着名的共振(resonance)与干涉(interference)效应；再利用非平衡格林函数法(non-equilibrium Green's function)和紧束缚近似法 (tight-binding approximation)，比较两种模型的相似之处。第二部份则是利用非平衡格林函数法和拓展的休克尔模型(extended Hückel model)探讨三核线型金属串(M3(μ3-dpa)4(NCS)2 (dpa=2,2'-dipyridylamide), M = Co, Ni, and Cr. )的穿透函数，导电度以及电压电流特征图；从理论计算，半定量分析法，以及假想分子实验三种不同的方法，我们发现三核线型金属串分子中间的金属原子以及他们的dz2轨域是单分子导电中最主要的机制。

关键词：量子输送分子电子学导电度非平衡格林函数法

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基于非平衡格林函数的共振隧穿二极管模型

引用

Journal of Semiconductors 2003年第B05期24卷 132-135页

作者：王令全王燕陈培毅余志平清华大学微电子学研究所，北京100084

应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究。给出了应用该模型计算A1GaAs／GaAs／A1GaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流一电压曲线，为验证该数值模型的正确性，文中还给出了基于W... 详细信息

应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究。给出了应用该模型计算A1GaAs／GaAs／A1GaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流一电压曲线，为验证该数值模型的正确性，文中还给出了基于Wigner函数的解析模型，将两者的结果进行了比对，并对其结果进行了分析。

关键词：非平衡格林函数法共振隧穿二极管 Schroedinger—Poisson方程

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基于非平衡格林函数的共振隧穿二极管模型

基于非平衡格林函数的共振隧穿二极管模型

引用

第二届全国纳米技术与应用学术会议

作者：王令全王燕陈培毅余志平清华大学微电子学研究所(北京)

应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究,给出了应用该模型计算AlGaAs/GaAs/AlGaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流-电压曲线.为验证该数值模型的正确性,文中还给出了基于Wigner... 详细信息

应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究,给出了应用该模型计算AlGaAs/GaAs/AlGaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流-电压曲线.为验证该数值模型的正确性,文中还给出了基于Wigner函数的解析模型,将两者的结果进行了比对,并对其结果进行了分析.

关键词：非平衡格林函数法共振隧穿二极管载流子分布势场

来源：评论

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