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文献类型

  • 9 篇 学位论文
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  • 1 篇 会议

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  • 18 篇 电子文献
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  • 14 篇 工学
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    • 1 篇 化学工程与技术
  • 9 篇 理学
    • 8 篇 物理学
    • 1 篇 化学

主题

  • 18 篇 非平衡格林函数法
  • 3 篇 共振隧穿二极管
  • 3 篇 密度泛函理论
  • 2 篇 声子
  • 2 篇 拓扑绝缘体
  • 2 篇 majorana束缚态
  • 2 篇 弹道热整流
  • 2 篇 电子输运
  • 1 篇 电流-电压特性
  • 1 篇 溶剂热法
  • 1 篇 原子环
  • 1 篇 石墨烯
  • 1 篇 长程相变
  • 1 篇 自旋输运
  • 1 篇 纳米结构
  • 1 篇 微纳米材料
  • 1 篇 纳米材料
  • 1 篇 硅基自旋电子学
  • 1 篇 透射谱
  • 1 篇 负微分电阻

机构

  • 2 篇 南京林业大学
  • 2 篇 清华大学
  • 2 篇 电子科技大学
  • 2 篇 西安理工大学
  • 1 篇 中国科学院大学
  • 1 篇 信息功能材料国家...
  • 1 篇 江西理工大学
  • 1 篇 国立台湾大学
  • 1 篇 中国科学院研究生...
  • 1 篇 中国科学院上海微...
  • 1 篇 重庆邮电大学
  • 1 篇 天津工业大学
  • 1 篇 西安电子科技大学
  • 1 篇 厦门大学
  • 1 篇 渤海大学
  • 1 篇 中南大学

作者

  • 2 篇 顾云风
  • 2 篇 王令全
  • 2 篇 王伟
  • 2 篇 吴宏章
  • 2 篇 陈培毅
  • 2 篇 任俊潼
  • 2 篇 王燕
  • 2 篇 余志平
  • 2 篇 吴晓莉
  • 1 篇 陈颖
  • 1 篇 刘红霞
  • 1 篇 孙浩
  • 1 篇 徐安怀
  • 1 篇 王晓慧
  • 1 篇 杨银堂
  • 1 篇 吴文静
  • 1 篇 黄劲松
  • 1 篇 宋久旭
  • 1 篇 相阳
  • 1 篇 徐中辉

语言

  • 17 篇 中文
  • 1 篇 英文
检索条件"主题词=非平衡格林函数法"
18 条 记 录,以下是11-20 订阅
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太赫兹InP基RTD器件与振荡电路的研究
太赫兹InP基RTD器件与振荡电路的研究
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作者: 王伟 中国科学院大学
学位级别:博士
近年来,随着THz技术在无线通信、成像、光谱分析等应用领域的不断扩展,紧凑、稳定的固态THz源已逐渐成为研究的一个热点。InP基共振隧穿二极管(RTD)由于室温下具有优良的负阻和频率特性,因此在太赫兹/毫米波和超高速电路等领域中具... 详细信息
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GaN纳米结构的制备与GaN纳米线理论研究
GaN纳米结构的制备与GaN纳米线理论研究
收藏 引用
作者: 石贤 西安理工大学
学位级别:硕士
GaN是一种宽带隙(Eg=3.4 eV)半导体材料,具有优越的光学、电学和机械性质,热稳定性高,化学稳定性好,在光电子和微电子器件等方面具有广泛的应用,成为新一代化合物半导体材料的研究热点。本文研究了用Pt催化CVD制备GaN纳米结构的... 详细信息
来源: 评论
Bi2Se3纳米材料的制备与GaN纳米线理论研究
Bi2Se3纳米材料的制备与GaN纳米线理论研究
收藏 引用
作者: 朱鹏飞 西安理工大学
学位级别:硕士
拓扑绝缘体是指元素周期表中Ⅴ-Ⅵ族的化合物(尤其是Ⅴ2Ⅵ3型化合物),包括Bi2Se3、Bi2Te3和Sb2Te3及以此为基础的合金材料,由于这些材料既可作为绝缘体,同时又具导体性质,使其不仅在自旋量子学和量子计算机等方面有广泛应用,而... 详细信息
来源: 评论
InP基RTD特性的数值模拟研究
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固体电子学研究与进展 2010年 第3期30卷 317-322,332页
作者: 王伟 孙浩 孙晓玮 徐安怀 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050 中国科学院研究生院 北京100039 信息功能材料国家重点实验室 上海200050
采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和... 详细信息
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半导体型单壁碳纳米管的电子输运特性
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2008年 第3期28卷 317-320,345页
作者: 宋久旭 杨银堂 刘红霞 张骥 西安电子科技大学微电子所 宽禁带半导体材料与器件教育部重点试验室西安710071
采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green functions,NEGF),对耦合于两个面心立方间的Al(111)电极间的(8,0)碳纳米管(Carbon nanotube,CNT)传输特性进行了计算。结果表明,在小偏压下(-40~40 mV),碳纳米管伏安特... 详细信息
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多通道单分子导线的量子输送现象
多通道单分子导线的量子输送现象
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作者: 许良彦 国立台湾大学
学位级别:硕士
近十年来,由于分子自我组装和显微技术的进步,单分子电子学在理论跟实验上获得许多进展。本篇论文主要是探讨多通道分子导线的量子输送现象,内容主要包含两部份,第一部分是利用自由电子网路模型(free electron network model),探讨... 详细信息
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基于非平衡格林函数的共振隧穿二极管模型
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Journal of Semiconductors 2003年 第B05期24卷 132-135页
作者: 王令全 王燕 陈培毅 余志平 清华大学微电子学研究所,北京100084
应用非平衡格林函数对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究。给出了应用该模型计算A1GaAs/GaAs/A1GaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流一电压曲线,为验证该数值模型的正确性,文中还给出了基于W... 详细信息
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基于非平衡格林函数的共振隧穿二极管模型
基于非平衡格林函数的共振隧穿二极管模型
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第二届全国纳米技术与应用学术会议
作者: 王令全 王燕 陈培毅 余志平 清华大学微电子学研究所(北京)
应用非平衡格林函数对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究,给出了应用该模型计算AlGaAs/GaAs/AlGaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流-电压曲线.为验证该数值模型的正确性,文中还给出了基于Wigner... 详细信息
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