检索结果-内蒙古大学图书馆

计算物理 2010年第3期27卷 439-445页

作者：苏伟董瑞新刘昊聊城大学物理科学与信息工程学院山东聊城252059

采用基于密度泛函(DFT)的非平衡态格林函数方法(non-equilibrium Green functions,NEGF),讨论电极距离对分子电子结构和电流的影响,计算四种脱氧核苷酸的I-V特性曲线和透射谱.结果表明,电极距离小于1.55nm时,电极距离对脱氧核苷酸分子... 详细信息

采用基于密度泛函(DFT)的非平衡态格林函数方法(non-equilibrium Green functions,NEGF),讨论电极距离对分子电子结构和电流的影响,计算四种脱氧核苷酸的I-V特性曲线和透射谱.结果表明,电极距离小于1.55nm时,电极距离对脱氧核苷酸分子的电子结构影响较大,当电极距离大于1.55nm时,LUMO和HOMO附近各能级的变化趋于平缓,电子能隙变化非常小.电极距离固定时,较低偏压(0.1～0.8V)不会改变四种脱氧核苷酸分子的相对电流大小.偏压较大时(0.8～1.0V),T和C的电流迅速增加并远大于A和G.

关键词：非平衡格林函数密度泛函脱氧核苷酸 I-V特性透射谱

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

电极距离和取向对硼掺杂带帽碳纳米管分子结中负微分电阻的影响

引用

科学通报 2012年第5期57卷 320-323页

作者：赵朋刘德胜梁伟济南大学物理科学与技术学院济南250022 山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室济南250100

利用非平衡格林函数和第一性密度泛函理论,研究了电极距离和相对取向对硼掺杂带帽碳纳米管分子结中负微分电阻行为的影响.结果显示,负微分电阻行为强烈依赖于电极距离和相对取向.当电极距离为0.35nm且体系的对称性最高时,可以产生最好... 详细信息

利用非平衡格林函数和第一性密度泛函理论,研究了电极距离和相对取向对硼掺杂带帽碳纳米管分子结中负微分电阻行为的影响.结果显示,负微分电阻行为强烈依赖于电极距离和相对取向.当电极距离为0.35nm且体系的对称性最高时,可以产生最好的负微分电阻行为.

关键词：碳纳米管负微分电阻非平衡格林函数密度泛函理论

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

硅纳米结点电子输运性质的计算

引用

计算物理 2013年第6期30卷 943-948页

作者：柳福提程艳羊富彬程晓洪陈向荣宜宾学院物理与电子工程学院四川宜宾644000 四川大学物理科学与技术学院四川成都610065

运用第一性原理密度泛函理论结合非平衡格林函数方法,对3个Si原子构成的直线链耦合在Au(100)面形成的三明治结构的纳米结点的电子输运进行计算.结果得到结点电导随距离的变化,当d z=1.584 nm时,结合能最小,结构最稳定,此时Si-Si键长为0.... 详细信息

运用第一性原理密度泛函理论结合非平衡格林函数方法,对3个Si原子构成的直线链耦合在Au(100)面形成的三明治结构的纳米结点的电子输运进行计算.结果得到结点电导随距离的变化,当d z=1.584 nm时,结合能最小,结构最稳定,此时Si-Si键长为0.216 nm,Si-Au键长为0.227 nm,电导为0.729 G0(G0=2e2/h),其电子传输通道主要由Si原子的p x、p y轨道电子构成;随着外电压的增大,结点的电导减小,而其I-V曲线表现出线性特征.

关键词：密度泛函理论非平衡格林函数硅纳米结点电子输运

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

欠叠异质栅纳米碳管场效应管的量子输运特性(英文)

引用

计算物理 2015年第2期32卷 229-239页

作者：王伟张露李娜杨晓张婷岳工舒南京邮电大学电子科学与工程学院南京210023

采用量子力学模型,对欠叠栅对传统单质栅碳纳米管场效应管(简称C-CNTFET)和异质栅碳纳米管场效应管(简称HMG-CNTFET)电学特性的影响进行理论研究,该模型基于二维非平衡格林函数(NEGF)泊松方程自洽求解.仿真结果表明,C-CNTFET的截止频率... 详细信息

采用量子力学模型,对欠叠栅对传统单质栅碳纳米管场效应管(简称C-CNTFET)和异质栅碳纳米管场效应管(简称HMG-CNTFET)电学特性的影响进行理论研究,该模型基于二维非平衡格林函数(NEGF)泊松方程自洽求解.仿真结果表明,C-CNTFET的截止频率可高达THz量级,另外,通过比较C-和HMG-CNTFET可以看出,CCNTFET增加欠叠栅后能够提高器件的开关速度,但不利于提高器件的开关电流比.在HMG-CNTFET中,欠叠栅的采用不仅能够同时改善亚阈值特性和开关电流比,还能降低输出电导.

关键词：碳纳米管场效应管非平衡格林函数欠叠栅短沟道效应异质栅

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

碳链参数泵的从头计算

引用

深圳大学学报（理工版） 2007年第3期24卷 313-316页

作者：余陨金卫亚东万浪辉深圳大学物理科学学院

利用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的第一性原理方法,研究金属Al-C4-Al导线的泵浦效应.通过在左右铝电极靠近散射区C4链的对称位置上加交变的弱泵浦势,得到绝热近似条件下泵浦电流与费米能的关系,发现泵电子流与系统的态密度密切... 详细信息

利用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的第一性原理方法,研究金属Al-C4-Al导线的泵浦效应.通过在左右铝电极靠近散射区C4链的对称位置上加交变的弱泵浦势,得到绝热近似条件下泵浦电流与费米能的关系,发现泵电子流与系统的态密度密切相关,在不同费米能级下泵浦电流可正可负,其正负取决于电子发射率.

关键词：第一性原理计算碳链非平衡格林函数参数泵从头计算

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET输运特性的影响

引用

真空科学与技术学报 2013年第6期33卷 535-541页

作者：刘兴辉李玉魁陆妍林雨佳李宇王绩伟李松杰辽宁大学物理学院沈阳110036 中原工学院郑州450007

碳纳米管场效应晶体管电子输运性质是其结构参量(纵向结构参量:如CNT的直径、栅介质层厚度、介质介电常数等;横向结构参量:如沟道长度、源/漏区掺杂浓度等)的复杂函数。本论文在量子力学非平衡格林函数理论框架内,通过自洽求解泊松方程... 详细信息

碳纳米管场效应晶体管电子输运性质是其结构参量(纵向结构参量:如CNT的直径、栅介质层厚度、介质介电常数等;横向结构参量:如沟道长度、源/漏区掺杂浓度等)的复杂函数。本论文在量子力学非平衡格林函数理论框架内,通过自洽求解泊松方程和薛定谔方程以得到MOS-CNTFET电子输运特性。在此基础上系统地研究了沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET器件的漏极导通电流、关态泄漏电流、开关态电流比、阈值电压、亚阈值摆幅及双极性传导等输运性质的影响。结果表明:当沟道长度在15 nm以上时,上述各性质受沟道长度的影响均较小,而导通电流、开关态电流比及双极性传导特性与源/漏掺杂浓度的大小有关,开关态电流比与掺杂浓度正相关,导通电流及双极性导电特性与源/漏掺杂浓度负相关。当沟道长度小于15 nm时,随沟道长度减小,漏极导通电流呈增加趋势,但同时导致器件阈值电压及开关电流比减小,关态漏电流及亚阈值摆幅增大且双极性传导现象严重,短沟道效应增强,此时,通过适当降低源/漏掺杂区掺杂浓度,可一定程度地减弱MOS-CNTFET器件短沟道效应。

关键词：非平衡格林函数 MOS—CNTFET 输运特性短沟道效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

多氮/硼掺杂带帽碳纳米管分子结电子输运性质

引用

科学通报 2012年第17期57卷 995-998页

作者：赵朋刘德胜济南大学物理科学与技术学院济南250022 山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室济南250100

利用非平衡格林函数和第一性密度泛函理论,我们研究了多氮/硼掺杂带帽碳纳米管分子结的电子输运特性.结果显示,电子输运性质强烈依赖于氮/硼的掺杂数目和掺杂位置.单氮/硼掺杂时出现最好的整流行为.随着掺杂数目的增多,整流性能显著降低... 详细信息

利用非平衡格林函数和第一性密度泛函理论,我们研究了多氮/硼掺杂带帽碳纳米管分子结的电子输运特性.结果显示,电子输运性质强烈依赖于氮/硼的掺杂数目和掺杂位置.单氮/硼掺杂时出现最好的整流行为.随着掺杂数目的增多,整流性能显著降低.此外,一些掺杂情形在非常低的偏压下出现明显的负微分电阻行为.

关键词：碳纳米管整流负微分电阻非平衡格林函数密度泛函理论

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

三材料线性掺杂石墨烯纳米条带场效应管性能(英文)

引用

计算物理 2015年第1期32卷 115-126页

作者：王伟高健张婷张露李娜杨晓岳工舒南京邮电大学电子科学与工程学院江苏南京210023

采用量子动力学模型研究单材料和三材料的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFETs)在不同掺杂情况下的弹道输运特性,模型基于非平衡格林函数方程(NEGF)以及自洽的泊松方程的量子数值解.结果证明:三材料线性掺杂的石墨烯纳米条带场效应管(TL-GNR... 详细信息

采用量子动力学模型研究单材料和三材料的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFETs)在不同掺杂情况下的弹道输运特性,模型基于非平衡格林函数方程(NEGF)以及自洽的泊松方程的量子数值解.结果证明:三材料线性掺杂的石墨烯纳米条带场效应管(TL-GNRFET)不仅能够有效地抑制短沟道效应(SCE)和漏极势垒降低效应(DIBL),而且相对于其它几种结构而言,它有更好的亚阈值斜率以及更高的开关电流比.另外,还研究了非对称栅结构对石墨烯场效应管的影响,结果表明,当上栅和下栅同时向源端移动的时候,可以改善器件的电流开关比.

关键词：石墨烯场效应管非平衡格林函数三材料线性掺杂

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

采用有限元方法研究轻掺杂源漏结构对异质栅MOSFET的性能影响(英文)

引用

固体电子学研究与进展 2014年第4期34卷 321-329页

作者：王伟张露王雪莹朱畅如张婷李娜杨晓岳工舒南京邮电大学电子与科学工程学院南京210023 南京邮电大学通信与信息工程学院南京210023

提出了一种轻掺杂源漏结构结合异质材料双栅结构的MOSFET(简称LDDS-HMG-MOSFET)。使用二维非平衡格林函数(NEGF)对该结构进行仿真,其中非平衡格林函数的计算使用有限元法(FEM)。仿真结果表明,在该新型结构中,异质栅结构能够降低漏电流... 详细信息

提出了一种轻掺杂源漏结构结合异质材料双栅结构的MOSFET(简称LDDS-HMG-MOSFET)。使用二维非平衡格林函数(NEGF)对该结构进行仿真,其中非平衡格林函数的计算使用有限元法(FEM)。仿真结果表明,在该新型结构中,异质栅结构能够降低漏电流从而能够有效抑制漏极感应势垒较低效应(DIBL),LDDS结构能够增加有效栅长,有效抑制带带隧穿效应(BTBT)和热电子效应。因此,与传统单材料栅结构的MOSFET(简称C-MOSFET)相比,LDDS-HMG-MOSFET具有更加优越的性能、更低的漏电流和更大的开关电流比(Ion/Ioff)。

关键词：非平衡格林函数异质栅场效应晶体管有限元方法轻掺杂源漏

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

自旋场效应晶体管的电学特性研究(英文)

引用

固体电子学研究与进展 2013年第2期33卷 112-118页

作者：张华鑫王燕王伟南京邮电大学电子科学与工程学院南京210003

用非平衡格林函数方法研究一种自旋场效应晶体管的电子输运特性。结果表明,不考虑自旋散射的作用,当漏极电压比较小时该器件能达到很高的磁阻比率。对该器件在考虑自旋散射和不考虑自旋散射下的输出电流进行对比,发现在铁磁平行(反平行... 详细信息

用非平衡格林函数方法研究一种自旋场效应晶体管的电子输运特性。结果表明,不考虑自旋散射的作用,当漏极电压比较小时该器件能达到很高的磁阻比率。对该器件在考虑自旋散射和不考虑自旋散射下的输出电流进行对比,发现在铁磁平行(反平行)的条件下,考虑自旋散射时的输出电流要比不考虑自旋散射时的输出电流小(大)。研究结果揭示了该器件的物理机制,为该器件的优化设计提供了理论指导。

关键词：自旋场效应晶体管器件仿真输运特性非平衡格林函数

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：