检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2013年第4期33卷 317-322页

作者：夏春萍肖广然李浩王伟南京邮电大学电子科学与工程学院南京210003

提出了一种数值模拟方法,用于研究准一维碳纳米管系统的含时输运特性。基于非平衡格林函数,通过提出的方法,对准一维碳纳米管系统的电学性质进行数值计算。计算结果显示:当同一连续方波作用于电极时,电极与碳纳米管之间的耦合能越大,电... 详细信息

提出了一种数值模拟方法,用于研究准一维碳纳米管系统的含时输运特性。基于非平衡格林函数,通过提出的方法,对准一维碳纳米管系统的电学性质进行数值计算。计算结果显示:当同一连续方波作用于电极时,电极与碳纳米管之间的耦合能越大,电流的最初上升值越大,弛豫时间越短;当输入电压为低频正弦信号,响应电流曲线变得不规则。本仿真结果有利于对纳米材料电学性质的评估,为纳米电子器件的设计和优化提供理论指导。

关键词：非平衡格林函数含时输运性质准一维碳纳米管系统

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单端吸附碳链双分子结电子输运性质的理论研究

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南京邮电大学学报（自然科学版） 2013年第5期33卷 88-96页

作者：袁顺东梅群波凌启淡汪联辉黄维南京邮电大学有机电子与信息显示国家重点实验室培育基地江苏南京210023 中国石油大学(华东)理学院山东青岛2665803 福建师范大学福建省高分子材料重点实验室福建福州350108

设计了几个由不等长、单巯基吸附的碳链构成的双分子结模型,并利用密度泛函理论和非平衡格林函数方法对其电子输运性质进行了系统的理论研究。结果显示,两分子中较短的分子对分子结电导性质有比较大的贡献。比较不同双分子结之间的传输... 详细信息

设计了几个由不等长、单巯基吸附的碳链构成的双分子结模型,并利用密度泛函理论和非平衡格林函数方法对其电子输运性质进行了系统的理论研究。结果显示,两分子中较短的分子对分子结电导性质有比较大的贡献。比较不同双分子结之间的传输性质发现,两分子长度的差异对分子结的整流效应有着较大的影响,体现了较短分子的调制作用。每个分子结都表现出了负微分电阻效应。针对这些整流和负微分电阻等现象,利用分子结的透射谱以及分子投影自洽哈密顿量对其进行了系统的分析。

关键词：碳链双分子结电子输运密度泛函理论非平衡格林函数

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非对称HALO-LDD掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究(英文)

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固体电子学研究与进展 2013年第3期33卷 228-236页

作者：蒋嗣韬肖广然王伟南京邮电大学电子科学与工程学院南京210003

随着器件沟道尺寸的不断缩小,短沟道效应(SCE)和漏致势垒降低效应(DIBL)对常规类MOSFET结构的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)影响变大,从而引起器件性能下降。文中提出了一种新型采用非对称HALO-LDD掺杂结构的GNRFET,其能够有效抑制器... 详细信息

随着器件沟道尺寸的不断缩小,短沟道效应(SCE)和漏致势垒降低效应(DIBL)对常规类MOSFET结构的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)影响变大,从而引起器件性能下降。文中提出了一种新型采用非对称HALO-LDD掺杂结构的GNRFET,其能够有效抑制器件中SCE和DIBL,改善器件性能。并采用一种量子力学模型研究GNRFET的电学特性,该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解。结合器件的工作原理,研究了GNRFET的电学特性和器件结构尺寸效应,通过与采用其他掺杂结构的GNRFET的电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯纳米条带场效应管具有更低的泄漏电流。

关键词：石墨烯纳米条带场效应管非平衡格林函数掺杂结构漏极电场致势垒降低效应

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紫罗碱衍生物分子结的电学性质理论研究

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电化学 2021年第1期27卷 92-99页

作者：蔡转运刘佳关思远吴德印田中群厦门大学化学化工学院化学系固体表面物理化学国家重点实验室福建厦门361005

本文基于密度泛函(DFT)结合非平衡格林函数(NEGF)的方法,以具有氧化还原中心的紫罗碱衍生物(N,N′-bis(4-thioalkyl)-4,4′-bipyridinium, HS-4V4-SH)功能分子构造Au(111)/S-4V4-S/Au(111)分子结,详细分析了分子在三种价态V、V+和V2+下的电学性质与分子的几何结构和电子结构的关系。基于对三种价态透射系数分析结果表明,在零偏压下,V与V+的电导值比V2+高了两个数量级,4V4分子结的电导随两个吡啶环之间夹角的增大呈线性减小。同时,理论计算结果也表明,增加烷基链(HS-n Vn-SH, n=2~7)的数目,发现分子结电导值呈指数形式衰减,其每个亚甲基的衰减因子约为1,与烷基二硫醇分子的接近。

关键词：紫罗碱氧化还原活性中心分子电导密度泛函理论方法非平衡格林函数

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基于非对称掺杂策略的GNRFET电学特性研究

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南京邮电大学学报（自然科学版） 2013年第5期33卷 21-27页

作者：蒋嗣韬肖广然王伟南京邮电大学电子科学与工程学院江苏南京210023

基于量子力学非平衡Green函数理论框架,在开放边界条件下,通过自洽求解三维Poisson和Schrdinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的石墨烯场效应管的输运模型。并利用该模型分析计算采用非对称HALO-LDD掺杂策略的石墨烯纳米条带场效应管(G... 详细信息

基于量子力学非平衡Green函数理论框架,在开放边界条件下,通过自洽求解三维Poisson和Schrdinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的石墨烯场效应管的输运模型。并利用该模型分析计算采用非对称HALO-LDD掺杂策略的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)的电学特性。通过与采用其他掺杂策略的GNRFET的输出特性、转移特性、开关电流比、亚阈值摆幅、阈值电压漂移等电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更低的泄漏电流、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移,表明采用非对称HALO-LDD掺杂策略的GNRFET具有更好的栅控能力,能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应。

关键词：石墨烯纳米条带场效应管非对称HALO-LDD掺杂非平衡格林函数掺杂策略 DIBL效应

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碳纳米管交流输运特性研究

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南京邮电大学学报（自然科学版） 2013年第2期33卷 122-126页

作者：肖广然夏春萍李浩陈将伟杨恒新王伟南京邮电大学电子科学与工程学院江苏南京210023

提出了一种新型的研究半导体低维系统的含时输运特性的数值模拟方法。基于紧束缚模型,直接在时域采用迭代法计算含时的非平衡格林函数(NEGF),求解出交流信号作用下的响应电流。将该方法应用于低维碳纳米管系统的交流输运性质的研究,并... 详细信息

提出了一种新型的研究半导体低维系统的含时输运特性的数值模拟方法。基于紧束缚模型,直接在时域采用迭代法计算含时的非平衡格林函数(NEGF),求解出交流信号作用下的响应电流。将该方法应用于低维碳纳米管系统的交流输运性质的研究,并对载流子含时输运的物理机制进行了阐述。结果表明:在外加电压作用的瞬间,电流值突然变得很大,类似于传统CMOS器件的过冲效应。当输入电压为单个方波,随着时间的推移,电流呈现出平滑的逐步振荡衰减,最终趋于稳态。当输入电压为连续方波,响应电流的振荡幅度和频率随电压幅度的增加而增加。仿真结果有助于对低维材料电学特性的评估,并且为将来工作在交流信号下的低维纳米电子器件的设计和制作提供初步的理论依据。

关键词：碳纳米管非平衡格林函数低维系统交流输运性质

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介质中双缺陷电荷对碳纳米管场效应晶体管量子输运特性的影响

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计算物理 2020年第3期37卷 352-364页

作者：魏志超王能平宁波大学物理科学与技术学院微电子科学与工程系浙江宁波315211

用非平衡格林函数理论和紧束缚模型近似计算长沟道弹道输运p型碳纳米管场效应管中电流强度.研究当场效应管介质(SiO2)中存在两个带电缺陷时,载流子散射所引起的电流强度减小和栅极阈值电压偏移量与缺陷位置的关系.介质中两个缺陷所带电... 详细信息

用非平衡格林函数理论和紧束缚模型近似计算长沟道弹道输运p型碳纳米管场效应管中电流强度.研究当场效应管介质(SiO2)中存在两个带电缺陷时,载流子散射所引起的电流强度减小和栅极阈值电压偏移量与缺陷位置的关系.介质中两个缺陷所带电荷Q1=Q2=+e(-e为电子电荷),都靠近源极或者都靠近漏极,或者一个电荷靠近源极另一个电荷靠近漏极.在工作状态下,所引起的电流强度相对减小比介质中只存在单个正电荷Q=+e且靠近源极(或漏极)时所引起的电流强度相对减小大得多.如果两个正电荷都在沟道中央附近,随着两个电荷的轴向距离减小,栅极阈值电压偏移的绝对值明显增加.栅极阈值电压偏移可达到-0.35 V.

关键词：非平衡格林函数碳纳米管场效应管随机电报信号杂音

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B与N掺杂对单层石墨纳米带自旋极化输运的影响

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物理学报 2009年第F06期58卷 259-265页

作者：郑小宏戴振翔王贤龙曾雉中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室合肥230031

通过第一性原理计算研究了具有锯齿状边沿并且具有反铁磁构型的单层石墨纳米带的自旋极化输运.研究发现,在中心散射区同一位置掺入单个B和N原子,尽管对整个体系磁矩的影响完全相同,但对两个自旋分量电流的影响却完全相反.掺B时,自旋向... 详细信息

通过第一性原理计算研究了具有锯齿状边沿并且具有反铁磁构型的单层石墨纳米带的自旋极化输运.研究发现,在中心散射区同一位置掺入单个B和N原子,尽管对整个体系磁矩的影响完全相同,但对两个自旋分量电流的影响却完全相反.掺B时,自旋向上的电流显著大于自旋向下的电流;而掺N时,自旋向下的电流显著大于自旋向上的电流.这是由于不管掺B还是掺N都将打破自旋简并,使得导带和价带中自旋向上的能级比自旋向下的能级更高.掺B引入空穴,使完全占据的价带变为部分占据,从而自旋向上的能级正好处于费米能级,使得电子透射能力更强、电流更大,而自旋向下的能级则离费米能级较远使电子透射的能力较弱.掺N则引入电子,使得原来全空的导带变为部分占据,从而费米能级穿过导带中自旋向下的能级,使得自旋向下的电子比自旋向上的电子透射能力更强.

关键词：自旋极化输运单层石墨纳米带第一性原理非平衡格林函数

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C_(32)富勒烯分子器件的电子结构和传输特性研究

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原子与分子物理学报 2009年第1期26卷 50-56页

作者：霍新霞王利光 Terence K S W 江南大学理学院无锡214122 新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院新加坡639798

利用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)方法对富勒烯C_(32)分子及在C_(32)的距离最远的两个碳原子处外接Li电极的C_(32)分子器件进行了电子结构、电子传输性质的研究.设计了C_(32)笼内嵌入Mg原子,外接Li电极的... 详细信息

利用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)方法对富勒烯C_(32)分子及在C_(32)的距离最远的两个碳原子处外接Li电极的C_(32)分子器件进行了电子结构、电子传输性质的研究.设计了C_(32)笼内嵌入Mg原子,外接Li电极的分子器件.通过计算,得出了两个分子器件的电子传输谱,分析了它们的电子结构和电子输运特性.说明了C_(32)分子器件的电子传输主要集中于C_(32)分子的壳表上,并且分子球的内侧和外侧的电子传输相近似.在C_(32)分子内部嵌入Mg原子后,分子器件的电子传输仍主要集中在分子表面上,但在系统Mg@C_(32)中,表面内侧的电子传输要比表面外侧的电子传输强.

关键词： C32分子器件非平衡格林函数密度泛函理论电子传输电子结构

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正常金属-分子量子点-超导耦合系统的介观输运

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原子与分子物理学报 2011年第5期28卷 917-922页

作者：陈桥张亚民湖南工程学院数理系湘潭411404 北京化工大学北方学院河北065201

运用非平衡格林函数理论、正则变换以及BCS平均场理论研究了正常金属-分子量子点-超导耦合系统(N-MQD-S)的介观输运,得到了系统的电流公式并选择适当的参数进行了数值计算.数值计算结果表明:电声子耦合强度λ与线宽函数Γ对系统的输运... 详细信息

运用非平衡格林函数理论、正则变换以及BCS平均场理论研究了正常金属-分子量子点-超导耦合系统(N-MQD-S)的介观输运,得到了系统的电流公式并选择适当的参数进行了数值计算.数值计算结果表明:电声子耦合强度λ与线宽函数Γ对系统的输运行为有较大影响.当λ增大时,由声子辅助隧穿所产生的共振峰将高于分子量子点自身能级产生的共振峰;当线宽函数Γ增大时,在Andreev反射共振峰的两侧将出现新的边峰.

关键词：分子量子点电声子相互作用非平衡格林函数

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