检索结果-内蒙古大学图书馆

原子与分子物理学报 2012年第5期29卷 833-836页

作者：刘慧娟霍新霞王利光李永贵无锡工艺职业技术学院电子信息系无锡2142061 江南大学理学院无锡214122

本文采用密度泛涵理论对富勒烯C_(40)分子进行了结构优化,得到了稳定构型,然后构建了以金原子面为电极的电子输运模型.使用非平衡格林函数方法对构建的电子输运模型进行了电子输运性质的计算,得到了电子透射谱和伏安曲线,并分析了分子... 详细信息

本文采用密度泛涵理论对富勒烯C_(40)分子进行了结构优化,得到了稳定构型,然后构建了以金原子面为电极的电子输运模型.使用非平衡格林函数方法对构建的电子输运模型进行了电子输运性质的计算,得到了电子透射谱和伏安曲线,并分析了分子器件产生电子输运性质的原因.研究结果发现:C_(40)富勒烯的化学活性明显强于富勒烯C_(60)和C_(32)分子,在一些分子能级处,该分子为一个良导体.

关键词：富勒烯C40 非平衡格林函数电子传导伏安曲线

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硼掺杂带帽碳纳米管分子结电子输运性质

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科学通报 2010年第31期55卷 3077-3080页

作者：赵朋刘德胜济南大学理学院济南250022 山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室济南250100

利用非平衡格林函数和第一性密度泛函理论,研究了不同位置硼掺杂一维带帽碳纳米管分子结的电子输运特性.结果显示,电子输运性质强烈依赖于硼的掺杂位置.当硼掺杂在针尖区域时,可以观测到明显的负微分电阻行为.

关键词：碳纳米管掺杂非平衡格林函数密度泛函理论

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直线硅原子链电子输运特性的计算

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兰州大学学报（自然科学版） 2014年第2期50卷 284-288页

作者：柳福提程艳陈向荣程晓洪周亚鑫宜宾学院物理与电子工程学院四川宜宾644007 四川大学物理科学与技术学院成都610065

运用密度泛函理论结合非平衡格林函数对6个Si原子构成的直线链两侧以对顶位、对空位分别与理想Au(100)3×3半无限电极耦合的纳米结点结构的电子输运特性进行了第一性原理计算.计算结果得到对空位结构比对顶位结构更稳定,电导性也更... 详细信息

运用密度泛函理论结合非平衡格林函数对6个Si原子构成的直线链两侧以对顶位、对空位分别与理想Au(100)3×3半无限电极耦合的纳米结点结构的电子输运特性进行了第一性原理计算.计算结果得到对空位结构比对顶位结构更稳定,电导性也更好,电导随着正负电压的增大而略有减小,且呈现出对称性变化,其电流电压曲线表现出线性特征.

关键词：密度泛函理论非平衡格林函数电子输运硅原子链

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富勒稀C_(36)的电子结构与电子传导

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原子与分子物理学报 2013年第5期30卷 689-693页

作者：霍新霞王利光张秀梅江南大学理学院无锡214122

采用基于第一性原理的密度泛函理论和非平衡格林函数方法研究了C36分子的电子结构和电子传导特性.本文以Au(1,1,1)为电极分别建立了4个电子输运模型,分别计算了他们的电子传输概率、伏安曲线,同时分析了产生这些分子器件电子输运性质的... 详细信息

采用基于第一性原理的密度泛函理论和非平衡格林函数方法研究了C36分子的电子结构和电子传导特性.本文以Au(1,1,1)为电极分别建立了4个电子输运模型,分别计算了他们的电子传输概率、伏安曲线,同时分析了产生这些分子器件电子输运性质的原因.研究计算结果发现,C36的电子输运主要发生在分子壳上,当左、右电极分别连接在第6号和第35号碳原子两端时,C36的电子输运性能最好,伏安曲线显示该分子具有半导体特性.

关键词：电子结构非平衡格林函数电子传导

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C_(20)分子的一个电子输运模型研究

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原子与分子物理学报 2011年第1期28卷 36-40页

作者：霍新霞王利光江南大学理学院无锡214122

本文构建了Li链为电极的富勒烯C_(20)分子的电子输运模型,使用非平衡格林函数方法(Non-equi-librium Greens function,NEGF)对构建的Li电极和C_(20)分子构成的分子器件进行了电子输运性质的计算.计算得出了电子透射谱和电流电压曲线,分... 详细信息

本文构建了Li链为电极的富勒烯C_(20)分子的电子输运模型,使用非平衡格林函数方法(Non-equi-librium Greens function,NEGF)对构建的Li电极和C_(20)分子构成的分子器件进行了电子输运性质的计算.计算得出了电子透射谱和电流电压曲线,分析了产生这个分子器件电子输运性质的原因.研究计算结果发现,大部分能量的电子是不会穿过器件的,即使考虑不同偏压,能穿过器件的电子都集中在几个固定的能量上,且在这几个固定能量上透过率比较高.计算得出的伏安曲线说明在偏压为1.925V时电流达到最大,只有在这个偏压周围才有相对明显的电流.

关键词：富勒烯C20 非平衡格林函数电子传导

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石墨烯带正常-超导结的量子输运

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深圳大学学报（理工版） 2014年第2期31卷 111-118页

作者：王斌李健伟卫亚东王健深圳大学物理科学与技术学院深圳大学计算凝聚态物理研究所深圳518060 香港大学物理系中国香港

基于非平衡格林函数(non-equilibrium Green's function,NEGF)和密度泛函理论(density functional theory,DFT),从第一性原理出发研究Armchair型和Zigzag型的石墨烯带正常-超导结的电子输运性质,计算了缺陷对这两种正常-超导结输运... 详细信息

基于非平衡格林函数(non-equilibrium Green's function,NEGF)和密度泛函理论(density functional theory,DFT),从第一性原理出发研究Armchair型和Zigzag型的石墨烯带正常-超导结的电子输运性质,计算了缺陷对这两种正常-超导结输运性质的影响.计算表明,对无缺陷正常-超导石墨烯带,在超导能隙内,Andreev反射系数TA恰好等于正常石墨烯带的电子透射系数TN.当石墨烯带存在缺陷时,Andreev反射系数TA不再是一个常数,而在超导能隙边缘出现两个尖锐的峰,其峰值大于正常系统的电子透射系数.在超导能隙之外,Andreev反射系数TA逐渐减小为0,准粒子的正常隧穿几率T1逐渐增大,且趋于无超导下的正常系统的电子透射系数TN.不同缺陷构型对石墨烯带中载流子的输运过程影响不同.如果缺陷的存在对正常石墨烯带电子散射过程影响越大,则其对正常-超导体系中的Andreev反射和准粒子散射影响也越大.

关键词：凝聚态物理石墨烯带正常-超导结 Andreev反射非平衡格林函数密度泛函理论

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测量对量子点装置中Fano效应的影响

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量子光学学报 2011年第2期17卷 146-149页

作者：王建明张文学张壹山西大学物理电子工程学院山西太原030006

考虑一个将点接触接入到单量子点体系中的装置,利用此装置可以监测到点接触的测量对量子点体系的影响。我们利用非平衡格林函数方法对体系进行了数值计算,发现无论量子点与两边导线的耦合系数是否对称,点接触与量子点之间的库仑相互作... 详细信息

考虑一个将点接触接入到单量子点体系中的装置,利用此装置可以监测到点接触的测量对量子点体系的影响。我们利用非平衡格林函数方法对体系进行了数值计算,发现无论量子点与两边导线的耦合系数是否对称,点接触与量子点之间的库仑相互作用都可以改变体系的透射曲线,甚至还可以控制Fano线性的产生和消失。

关键词：量子点点接触非平衡格林函数 Fano线性

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异质栅类MOS碳纳米场效应管中量子电容的影响

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计算机工程与科学 2011年第2期33卷 70-74页

作者：周海亮张民选方粮并行与分布处理国防科技重点实验室湖南长沙410073

本研究小组提出的基于异质栅类MOS碳纳米场效应管器件设计结构不仅能增大开关电流比、调节阈值电压、降低器件功耗,而且还能有效消除传统类MOS碳纳米场效应管的双极性传输特性。但是,作为典型的低维系统,该新型器件设计不可避免地受到... 详细信息

本研究小组提出的基于异质栅类MOS碳纳米场效应管器件设计结构不仅能增大开关电流比、调节阈值电压、降低器件功耗,而且还能有效消除传统类MOS碳纳米场效应管的双极性传输特性。但是,作为典型的低维系统,该新型器件设计不可避免地受到量子电容的影响。本文在分析其工作原理的基础上首次研究了量子电容对其传输特性的影响。研究结果表明,量子电容不仅能增大该新型器件的关断电流、减小开关电流比,而且还能破坏其单极性传输特性,给其在电路中的应用带来负面影响。本文最后给出了几点减少量子电容影响的建议。

关键词：量子电容异质栅碳纳米场效应管双极性传输非平衡格林函数

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C50富勒烯分子的电子结构与传输特性研究

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原子与分子物理学报 2012年第4期29卷 613-617页

作者：霍新霞慧娟王利光郁鼎文张秀梅李永贵江南大学理学院江苏无锡214122 清华大学摩擦学国家重点实验室北京100084

本文构建了Au原子面为电极的富勒烯C_(50)分子的电子输运模型,使用非平衡格林函数方对构建的以Au原子面为电极的C_(50)分子的电子输运模型进行了电子传输性质的计算.通过计算得出了电子透射谱、电导曲线和电流电压曲线,分析了此分子器... 详细信息

本文构建了Au原子面为电极的富勒烯C_(50)分子的电子输运模型,使用非平衡格林函数方对构建的以Au原子面为电极的C_(50)分子的电子输运模型进行了电子传输性质的计算.通过计算得出了电子透射谱、电导曲线和电流电压曲线,分析了此分子器件产生电子输运性质的原因.研究计算结果发现:C_(50)分子具有量子器件的开关特性,并具有明显的半导体特征.

关键词：富勒烯C50 非平衡格林函数电子传导

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石墨烯纳米带及分子结中的光吸收、电荷传输和交流响应特性研究

石墨烯纳米带及分子结中的光吸收、电荷传输和交流响应特性研究

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作者：朱文欢上海交通大学

学位级别：博士

自从2004年Novoselov等人在实验上发现石墨烯以来,该二维材料已经吸引了大量的实验和理论研究。由于大块石墨烯没有能隙,研究人员把石墨烯做成了准一维结构的纳米带,从而成功地打开了能隙,因此人们期待石墨烯纳米带能够做成下一代半导... 详细信息

自从2004年Novoselov等人在实验上发现石墨烯以来,该二维材料已经吸引了大量的实验和理论研究。由于大块石墨烯没有能隙,研究人员把石墨烯做成了准一维结构的纳米带,从而成功地打开了能隙,因此人们期待石墨烯纳米带能够做成下一代半导体纳米电子器件。除了石墨烯以外,有机分子材料凭借着其丰富的光学、磁学和电学等性质,同样被认为是未来纳米电子器件材料的有力候选者,与之相关的分子电子学也已经成为了当今纳米电子学的一个重要的分支。得益于扫描隧道电子显微镜和原子力显微镜的发明,以及Landauer-B¨uttiker输运理论和非平衡格林函数等方法的运用,分子电子学在实验和理论上都取得了重要的进展。为了进一步探索石墨烯和有机分子材料在纳米技术领域的应用,在这篇论文当中,我们将基于紧束缚模型和非平衡格林函数方法来研究石墨烯纳米带及分子结中的光吸收、电荷传输和交流响应特性。我们通过研究不同方向极化入射光的光吸收选择规则,发现来自边界态的激发对于中性单层锯齿形石墨烯纳米带的光吸收特性起着重要的作用。当化学势远离Dirac点时,横向极化入射光在低频区域的光电导会被显著增强。不同于单层情况,我们借助于外加横向电场研究了双层石墨烯纳米带中的相变现象。我们发现,来自边界态的激发对反铁磁相双层纳米带的光吸收特性至关重要;而当双层纳米带处于电荷极化相时,对于横向极化入射光来说,它的低频吸收峰会有一个宽范围的增强表现。在单层锯齿形石墨烯纳米带的角分辨光吸收谱中,我们观察到纳米带吸收峰的能谱会随着转移动量的增加而呈现出色散和分裂现象。我们希望这些关于石墨烯纳米带光吸收特性的研究,能够给后续的纳米带光谱实验提供一定的有用信息,也希望能够给石墨烯纳米带在将来的光电应用上提供新的可能性。另外,在分析锯齿形石墨烯纳米带p-n结中的电荷传输特性时,我们在该p-n结的中心区域看到了磁化表现,这种表现没有在两端的p区域和n区域出现。而p区域和n区域的接口处存在局域模式,电流会以这个模式隧穿通过该纳米带p-n结。当存在外加横向电场时,半金属态石墨烯纳米带p-n结中的电流将会被自旋极化,而当该p-n结处于电荷极化态时,电流将会被关断。所以,我们相信,锯齿形石墨烯纳米带的磁特性会在很大程度上影响该p-n结的电荷传输,这使得石墨烯纳米带p-n结可以在未来的自旋电子学装置上有所应用。运用非平衡格林函数方法,我们通过计算苯分子结中的伏安特性,发现了明显的负微分电导表现,这个表现来自于苯分子结中的电荷重新分布和分子-电极接口处的库仑阻塞效应。在外加横向电场后,我们在苯分子结的电流中观测到了迟滞开关表现和大的自旋极化现象。因此,我们的计算表明横向电场影响下的苯分子结可以用作电流开关和自旋电子学装置。除了伏安特性,我们还研究了单分子结中的电流噪声和交流响应特性。我们发现,高频区域的噪声功率密度不受外加偏置电压的影响,但是当电子在占据分子轨道和未占据分子轨道之间跃迁时,对应频率处的噪声会被抑制,呈现出凹陷结构。在低频区域,偏置电压和背栅门电压都能有效地影响电流噪声谱和交流电导。我们希望这些结果能够给将来的单分子结电路噪声和交流响应的实验和理论探索提供一定的基础。这篇论文的具体章节安排如下:第一章是我们的绪论部分。在这一章中,我们会简要地介绍一下石墨烯的背景知识,包括石墨烯纳米带能带结构、石墨烯光吸收特性以及石墨烯纳米带电荷传输特性。此外,我们还会简要地介绍一下分子电子学的背景知识,其中主要包括分子结电荷传输特性。在第二章中,我们主要介绍单层和双层锯齿形石墨烯纳米带中的光吸收特性,以及单层锯齿形石墨烯纳米带中的角分辨光吸收谱特性。在第三章中,我们主要介绍锯齿形石墨烯纳米带p-n结和苯分子结中的电荷传输特性,以及单分子结中的电流噪声和交流响应特性。最后,在第四章中,我们对本论文的重要结论进行了详细的总结,并且对未来的工作进行了一定的展望。

关键词：石墨烯纳米带苯分子结光吸收电荷输运交流响应 Hartree-Fock近似非平衡格林函数库仑相互作用

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