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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

383 篇 专利

馆藏范围

383 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

253 篇 群联电子股份有限...
37 篇 合肥兆芯电子有限...
22 篇 深圳大心电子科技...
9 篇 大心电子股份有限...
8 篇 深圳宏芯宇电子股...
8 篇 爱思开海力士有限...
6 篇 西部数据技术公司
5 篇 威盛电子股份有限...
5 篇 三星电子株式会社
3 篇 微软技术许可有限...
3 篇 英特尔公司
2 篇 拉姆伯斯公司
2 篇 伊姆西ip控股有限...
2 篇 延世大学
2 篇 纬颖科技服务股份...
2 篇 广东高云半导体科...
2 篇 首尔大学
2 篇 合肥开梦科技有限...
2 篇 高通股份有限公司
2 篇 美光科技公司

作者

58 篇 林纬
37 篇 叶志刚
23 篇 朱启傲
23 篇 萧又华
23 篇 许祐诚
17 篇 杨宇翔
17 篇 陈国荣
15 篇 赖国欣
13 篇 刘安城
13 篇 陈思玮
12 篇 王天庆
11 篇 林玉祥
11 篇 吴宗霖
11 篇 梁鸣仁
10 篇 郭哲岳
10 篇 胡俊洋
9 篇 林小东
9 篇 谢宏志
8 篇 尹铉柱
8 篇 朱凯迪

语言

383 篇 中文

检索条件"主题词=非易失性存储器模块"

共 383 条记录，以下是81-90 订阅

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详细简洁

排序：

跨框编码管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路

跨框编码管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路

引用

作者：张光耀张正锐中国台湾苗栗县竹南镇群义路1号

本发明提供一种跨框编码管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：读取对应于第一实体群组的标签置换信息；编码第一数据；将经编码的第一数据的第一部分数据存储至第一实体群组中对应于第一标签信息的至少一第一... 详细信息

标准号: CN113434331B

本发明提供一种跨框编码管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：读取对应于第一实体群组的标签置换信息；编码第一数据；将经编码的第一数据的第一部分数据存储至第一实体群组中对应于第一标签信息的至少一第一实体单元；以及根据所述标签置换信息将经编码的第一数据的第二部分数据存储至第一实体群组中对应于第二标签信息的至少一第二实体单元。所述第一标签信息对应于第一跨框编码群组。所述第二标签信息对应于第二跨框编码群组。所述第一跨框编码群组不同于所述第二跨框编码群组。藉此，可提高可复写式非易失性存储器模块的使用效率。

关键词：跨框编码群组标签信息第一数据群组实体单元数据存储置换信息非易失性存储器模块标签存储器存储装置存储器控制电路读取编码管理可复写式使用效率

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存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

引用

作者：林纬刘安城许祐诚杨宇翔中国台湾苗栗县竹南镇群义路1号

本发明的范例实施例提供一种存储器控制方法，其用于可复写式非易失性存储器模块。所述方法包括：从可复写式非易失性存储器模块中的第一物理单元读取第一数据；经由解码电路解码所述第一数据；根据经解码的第一数据更新可靠度信息；从... 详细信息

标准号: CN111258791B

本发明的范例实施例提供一种存储器控制方法，其用于可复写式非易失性存储器模块。所述方法包括：从可复写式非易失性存储器模块中的第一物理单元读取第一数据；经由解码电路解码所述第一数据；根据经解码的第一数据更新可靠度信息；从可复写式非易失性存储器模块中的第二物理单元读取第二数据；以及经由解码电路根据经更新的可靠度信息解码所述第二数据。藉此，可基于可复写式非易失性存储器模块的存储特性提升解码电路的性能。此外，本发明的范例实施例也提供存储器存储装置与存储器控制电路单元。

关键词：非易失性存储器模块可复写式第一数据解码电路读取解码物理单元可靠度存储器存储装置存储器控制电路存储器控制存储特性信息解码更新

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具有DRAM高速缓存的非易失性物理存储器

具有DRAM高速缓存的非易失性物理存储器

引用

作者： F·A·韦尔 J·E·林斯塔特 H·克里斯托弗美国加利福尼亚州

混合易失性/非易失性存储器模块采用相对快速、耐用并且昂贵的动态随机存取存储器(DRAM)高速缓存来存储来自更大量相对较慢并且廉价的非易失性存储器(NVM)的数据的子集。模块控制器对DRAM高速缓存的访问权限进行优先级排序以获得提高的... 详细信息

标准号: CN111433749B

混合易失性/非易失性存储器模块采用相对快速、耐用并且昂贵的动态随机存取存储器(DRAM)高速缓存来存储来自更大量相对较慢并且廉价的非易失性存储器(NVM)的数据的子集。模块控制器对DRAM高速缓存的访问权限进行优先级排序以获得提高的速度性能并且将NVM的编程周期最小化。数据首先被写入DRAM高速缓存，在DRAM高速缓存中，可以在没有NVM 110的帮助下访问(写入和读取)数据。仅当从DRAM高速缓存中逐出数据以为附加数据腾出空间时，数据被写入NVM。通过使用不被用于数据的高速缓存行位，使NVM地址与物理地址相关的映射表被分布在DRAM高速缓存中。

关键词：高速缓存写入动态随机存取存储器非易失性存储器模块非易失性存储器读取高速缓存行模块控制器优先级排序编程周期访问权限附加数据物理地址易失性映射表最小化子集逐出存储访问帮助

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存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置

存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置

引用

作者：柯伯政中国台湾苗栗县竹南镇群义路1号

本发明提供一种用于可复写式非易失性存储器模块的存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。可复写式非易失性存储器模块包括多个超实体单元，多个超实体单元至少包括多个好超实体单元及多个部分好超实体单元。所述方法包... 详细信息

标准号: CN110609795B

本发明提供一种用于可复写式非易失性存储器模块的存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。可复写式非易失性存储器模块包括多个超实体单元，多个超实体单元至少包括多个好超实体单元及多个部分好超实体单元。所述方法包括接收主机写入指令；根据多个好超实体单元与多个部分好超实体单元的个数比率从多个超实体单元选择出第一超实体单元集合，其中第一超实体单元集合包括按个数比率从多个超实体单元选择出的多个第一好超实体单元及至少一个第一部分好超实体单元；以及将数据写入至第一超实体单元集合的好实体抹除单元中，以回应主机写入指令。

关键词：实体单元非易失性存储器模块集合个数比率可复写式存储器存储装置存储器控制电路主机写入指令存储器管理接收主机写入指令抹除写入

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存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

引用

作者：郭哲岳连礼勋中国台湾苗栗县竹南镇群义路1号

本发明提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法用于可复写式非易失性存储器模块，所述方法包括：收集来源单元中的有效数据；复制对应于所述来源单元的第一逻辑至实体映射表以产生第二逻辑至实体映射表... 详细信息

标准号: CN111737165B

本发明提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法用于可复写式非易失性存储器模块，所述方法包括：收集来源单元中的有效数据；复制对应于所述来源单元的第一逻辑至实体映射表以产生第二逻辑至实体映射表；根据预计写入的回收单元的实体地址更新所述第二逻辑至实体映射表，其中所述第二逻辑至实体映射表记录有对应所述回收单元的映射信息；将所述来源单元中的所述有效数据复制至所述回收单元；以及根据所述第二逻辑至实体映射表更新第一管理信息。

关键词：回收单元来源单元映射表有效数据非易失性存储器模块复制存储器存储装置存储器控制电路存储器控制映射表更新映射表记录管理信息可复写式实体地址映射信息写入更新

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存储器管理方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元

存储器管理方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元

引用

作者：陈振业中国台湾苗栗县竹南镇群义路1号

本发明的范例实施例提供一种用于可复写式非易失性存储器模块的存储器管理方法。所述方法包括：从主机系统接收第一类指令并将第一类指令暂存至第一指令伫列；在接收第一类指令后，从主机系统接收第二类指令并将第二类指令暂存至第二指... 详细信息

标准号: CN110908591B

本发明的范例实施例提供一种用于可复写式非易失性存储器模块的存储器管理方法。所述方法包括：从主机系统接收第一类指令并将第一类指令暂存至第一指令伫列；在接收第一类指令后，从主机系统接收第二类指令并将第二类指令暂存至第二指令伫列；若第一指令伫列符合预设条件，根据第一指令伫列中的第一类指令执行程序化操作以程序化可复写式非易失性存储器模块；以及在执行所述程序化操作后，传送对应于第二指令伫列中的第二类指令的回应信息至主机系统。此外，本发明的范例实施例也提供一种存储器储存装置与一种存储器控制电路单元。

关键词：指令主机系统非易失性存储器模块程序化操作可复写式暂存存储器储存装置存储器控制电路存储器管理回应信息预设条件指令执行程序化传送

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存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

引用

作者：林玉祥中国台湾苗栗县竹南镇群义路1号

本发明提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：发送多个读取指令序列，其用以指示可复写式非易失性存储器模块使用多个读取电压电平来读取第一实体单元；在发送所述读取指令序列后，从可复写式非... 详细信息

标准号: CN117493233A

本发明提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：发送多个读取指令序列，其用以指示可复写式非易失性存储器模块使用多个读取电压电平来读取第一实体单元；在发送所述读取指令序列后，从可复写式非易失性存储器模块接收第一数据，其包括对应于多个第一比特的替代数据，第一比特反映使用所述多个读取电压电平对第一存储单元的读取结果，且第一数据的数据量小于第一比特的总数据量；在接收第一数据后，对第一数据执行数据还原，以获得多个第二比特；以及根据第二比特执行解码操作。由此，可提高软解码模式的解码效能。

关键词：第一数据非易失性存储器模块读取电压读取指令可复写式存储器存储装置存储器控制电路读取发送存储器控制解码存储单元读取结果解码操作实体单元数据还原替代数据总数据量软解码数据量

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电压控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

电压控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

引用

作者：曾士家曹峻玮王志维林纬中国台湾苗栗县竹南镇群义路1号

本发明提供一种电压控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，所述读取电压控制方法用于可复写式非易失性存储器模块。所述方法包括：发送第一读取指令序列，其指示使用第一电压电平读取多个第一存储单元以获得第一数据；根据所... 详细信息

标准号: CN112201285A

本发明提供一种电压控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，所述读取电压控制方法用于可复写式非易失性存储器模块。所述方法包括：发送第一读取指令序列，其指示使用第一电压电平读取多个第一存储单元以获得第一数据；根据所述第一数据与所述多个第一存储单元的通道参数获得读取电压的第一调整信息，其中所述通道参数反映所述多个第一存储单元的通道状态；以及根据所述第一调整信息将所述读取电压的电压电平从所述第一电压电平调整为第二电压电平。借此，可提高读取电压的校正效率。

关键词：读取电压存储单元电压电平第一数据调整信息通道参数非易失性存储器模块存储器存储装置存储器控制电路读取电压电平调整电压控制读取指令可复写式通道状态校正发送

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数据读取方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

数据读取方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

引用

作者：王伟政吕绍宏中国台湾苗栗县竹南镇群义路1号

本发明提供一种数据读取方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，所述方法用于可复写式非易失性存储器模块。所述方法包括：从主机系统接收第一读取指令，并发送第一读取指令序列，其中第一读取指令序列指示读取可复写式非易失性存... 详细信息

标准号: CN111880749B

本发明提供一种数据读取方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，所述方法用于可复写式非易失性存储器模块。所述方法包括：从主机系统接收第一读取指令，并发送第一读取指令序列，其中第一读取指令序列指示读取可复写式非易失性存储器模块中的多个实体单元，以获得第一数据；根据第一数据识别存储于所述实体单元中的至少一第一实体单元中的数据为无法更正数据；从主机系统接收第二读取指令，并发送第二读取指令序列，其中第二读取指令序列指示读取所述实体单元，以获得第二数据；根据第二数据与填充数据产生对应于第二读取指令的回应数据，其中填充数据用以取代从至少一第一实体单元读取的数据；以及将回应数据传送给主机系统。

关键词：读取指令实体单元读取主机系统非易失性存储器模块第一数据回应数据可复写式填充数据序列指示存储器存储装置存储器控制电路发送数据读取更正传送存储

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存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

引用

作者：曾士家唐晨扬郭轩铭徐士杰林纬中国台湾苗栗县竹南镇群义路1号

本发明提供一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：检测可复写式非易失性存储器模块的状态；根据第一条件与第二条件决定是否对所述可复写式非易失性存储器模块执行数据刷新操作。第一条件与可复写式... 详细信息

标准号: CN117174132A

本发明提供一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：检测可复写式非易失性存储器模块的状态；根据第一条件与第二条件决定是否对所述可复写式非易失性存储器模块执行数据刷新操作。第一条件与可复写式非易失性存储器模块中的第一实体单元有关。第二条件与可复写式非易失性存储器模块中的多个第二实体单元有关。数据刷新操作用以在可复写式非易失性存储器模块中更新数据，以降低数据的比特错误率。由此，可提升存储器存储装置的操作稳定性。

关键词：非易失性存储器模块可复写式存储器存储装置第一条件实体单元数据刷新存储器控制电路比特错误率操作稳定性存储器管理更新数据条件决定检测

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