检索结果-内蒙古大学图书馆

液晶与显示 2011年第1期26卷 28-33页

作者：刘远姚若河李斌广东工业大学材料与能源学院广东广州510006 华南理工大学电子与信息学院广东广州510640

基于能量方程、热流方程和边界条件,推导出了非晶硅薄膜晶体管的沟道热阻模型。采用该模型可准确预估器件有源层内的平均温度。在沟道热阻模型的基础上,考虑器件间场氧化层和金属互联线的影响,建立了非晶硅薄膜晶体管的二维热阻模型。... 详细信息

基于能量方程、热流方程和边界条件,推导出了非晶硅薄膜晶体管的沟道热阻模型。采用该模型可准确预估器件有源层内的平均温度。在沟道热阻模型的基础上,考虑器件间场氧化层和金属互联线的影响,建立了非晶硅薄膜晶体管的二维热阻模型。采用该模型可描述器件有源层内温度的横向分布,并快速预估沟道内的最高结温。最后,将模型预测结果与器件模拟仿真结果进行了对比,两者拟合良好。

关键词：非晶硅薄膜晶体管热阻自热效应温度分布

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非晶硅薄膜晶体管基于表面势的栅电容模型

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微电子学 2011年第2期41卷 304-309页

作者：刘远姚若河李斌广东工业大学材料与能源学院广州510006 华南理工大学电子与信息学院广州510640

基于Lambert W函数,推导出非晶硅薄膜晶体管表面势的解析解,并将其与泊松方程的数值解进行对比。结果显示:该求解大大提高了计算效率,且精确度极高。基于有效温度近似,并利用所求解到的表面势,建立器件的栅电容模型。该模型可连续、准... 详细信息

基于Lambert W函数,推导出非晶硅薄膜晶体管表面势的解析解,并将其与泊松方程的数值解进行对比。结果显示:该求解大大提高了计算效率,且精确度极高。基于有效温度近似,并利用所求解到的表面势,建立器件的栅电容模型。该模型可连续、准确地描述a-Si∶H TFT在所有工作区的动态特性。最后,将模型结果与实验数据进行了对比,两者拟合良好。

关键词：非晶硅薄膜晶体管栅电容表面势

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非晶硅薄膜晶体管的泄漏电流模型

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微电子学 2011年第1期41卷 150-154页

作者：刘远姚若河李斌广东工业大学材料与能源学院广州510006 华南理工大学电子与信息学院广州510640

当对a-Si∶H TFT施加较大的漏-栅电压时,其泄漏电流主要取决于空穴在漏端耗尽区内的产生过程以及被有源层内中立陷阱捕获的过程。基于价带空穴和被陷阱所捕获空穴的一维连续性方程,推导出空穴在有源层内纵向传导的逃逸率。通过描述漏端... 详细信息

当对a-Si∶H TFT施加较大的漏-栅电压时,其泄漏电流主要取决于空穴在漏端耗尽区内的产生过程以及被有源层内中立陷阱捕获的过程。基于价带空穴和被陷阱所捕获空穴的一维连续性方程,推导出空穴在有源层内纵向传导的逃逸率。通过描述漏端耗尽区内空穴的产生率以及在a-Si∶H层内空穴传导的逃逸率,建立了a-Si∶H TFT的泄漏电流模型,并进行了相应验证。

关键词：非晶硅薄膜晶体管泄漏电流空穴传导逃逸率

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新型SiO_2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器

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红外与激光工程 2006年第6期35卷 764-766,770页

作者：刘兴明韩琳刘理天清华大学微电子学研究所北京100084

对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更... 详细信息

对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更好的温度稳定性;在制作工艺方面具有更高的工艺重复性和栅介质淀积的均匀性。

关键词：非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器 SiO2栅介质

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非晶硅薄膜晶体管可靠性研究

非晶硅薄膜晶体管可靠性研究

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作者：刘法毅北京大学

学位级别：硕士

信息时代的到来与信息显示技术的不断发展密不可分。在显示技术领域,以液晶显示(LCD)为代表的平板显示(FPD)已经取代传统的、体积笨重的CRT显示并占据主流地位,涵盖了从手机到大尺寸电视在内的各种显示应用领域。目前的各家研究、咨询... 详细信息

信息时代的到来与信息显示技术的不断发展密不可分。在显示技术领域,以液晶显示(LCD)为代表的平板显示(FPD)已经取代传统的、体积笨重的CRT显示并占据主流地位,涵盖了从手机到大尺寸电视在内的各种显示应用领域。目前的各家研究、咨询机构及大型企业发表的相关研究报告,已经证实了这一点。\n 在平板显示寻址技术中,a-Si:H已经替代CdS和CdSe并成为应用最广泛的TFT有源层材料,而对认为是“下一代”FFT技术的p-Si技术的研究也如火如茶地进行着。尽管如此,在组成TFT有源层的所有材料中,只有a-si:H是如此的吸引投资。因为对于a-Si:H材料,几乎任何人都能应用相对少且成熟的工艺步骤,快速得到预期的器件性能。总结来讲,a-Si:H材料的优势即在玻璃或塑料衬底上制备优质单晶硅的经济方面。但随着技术的发展,非晶硅TFT不仅仅用来做像素开关,更有其他的广泛应用,包括成像及X射线讯号的有源地址传感探测阵列集成等,都要求其性能的可靠,但其不稳定性成为困扰人们的难题之一。\n 非晶硅薄膜晶体管的性能随电学应力(电压、电流)的长时间施加而下降,尤其是阈值电压随应力的施加而显著增大,致使开态电流降低,器件发生退化。导致此性能不稳定的原因一般认为归结于以下两种机制:栅压偏应力诱发a-Si:H中硅悬挂键态密度的增加和电荷注入并随后被栅绝缘层a-SiNx:H中陷阱捕获。\n 本文针对a-Si:H TFT的阂值电压退化特征和相关机制展开了研究。测试分析了阈值电压的漂移量与时间、栅漏应力大小及温度的关系,总结归纳出其经验公式;研究了交流应力下阈值电压的漂移量与频率、占空比之间的关系,分析考虑了阈值电压退化的恢复。\n 本论文的研究结果将有助于理解非晶硅薄膜晶体管退化的物理机制及退化模型,对其可靠性研究提供有价值的参考和指导作用。为a-Si:H TFT器件在实际工作下的寿命预测等提供了必要的实验数据,为基于非晶硅薄膜晶体管的TFT有源矩阵液晶显示阵列行驱动电路的设计提供了技术参数。

关键词：非晶硅薄膜晶体管缺陷态电荷陷阱栅压应力阈值电压漂移可靠性

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基于非晶硅薄膜晶体管的室温红外探测器

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仪器仪表学报 2002年第Z2期23卷 590-592页

作者：董良岳瑞峰刘理天清华大学微电子学研究所北京100084

基于非晶硅薄膜晶体管(a-Si:HTFT)的沟道电流(Ids)温度特性,提出了一种新型的室温红外探测器(TFT—IRDT),它利用a-Si:HTFT作为红外探测敏感元件,读出电路采用差分放大器结构,a-Si:HTFT对管作差分输入管。Pspice模拟表明,信号输出与温度... 详细信息

基于非晶硅薄膜晶体管(a-Si:HTFT)的沟道电流(Ids)温度特性,提出了一种新型的室温红外探测器(TFT—IRDT),它利用a-Si:HTFT作为红外探测敏感元件,读出电路采用差分放大器结构,a-Si:HTFT对管作差分输入管。Pspice模拟表明,信号输出与温度变化有较好的线性关系,温度响应灵敏度为4.1mV/K。

关键词：非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器

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用于室温红外探测的新型非晶硅薄膜晶体管

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激光与红外 2005年第10期35卷 709-711页

作者：刘兴明韩琳刘理天清华大学微电子学研究所北京100084

研究了用于室温红外探测的非晶硅薄膜晶体管。分别从理论和实验角度对非晶硅薄膜晶体管的沟道电流随着宽长比的线性变化进行了分析验证。理论分析和实验结果表明,增大晶体管的宽长比不会影响沟道电流温度系数,但可以显著改善探测器的探... 详细信息

研究了用于室温红外探测的非晶硅薄膜晶体管。分别从理论和实验角度对非晶硅薄膜晶体管的沟道电流随着宽长比的线性变化进行了分析验证。理论分析和实验结果表明,增大晶体管的宽长比不会影响沟道电流温度系数,但可以显著改善探测器的探测率,从而为a-SiTFT红外探测器的优化设计指明了方向。

关键词：非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器电流温度系数宽长比探测率

来源：评论

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非晶硅薄膜晶体管聚合物发光二极管———用于未来的平板电视

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现代显示 2005年第11期 47-51页

作者：邵明孙润光上海大学新型显示技术及应用集成重点实验室上海201800

近年来,PLED(聚合物发光二极管)和a-SiTFT(非晶硅薄膜晶体管)技术取得了巨大进展,两者的结合有望成为未来平板电视的主流。三星与杜邦公司已经研制成功14.1英寸的非晶硅薄膜晶体管聚合物发光二极管(a-SiT FTAM-PLED)全彩显示面板。本文... 详细信息

近年来,PLED(聚合物发光二极管)和a-SiTFT(非晶硅薄膜晶体管)技术取得了巨大进展,两者的结合有望成为未来平板电视的主流。三星与杜邦公司已经研制成功14.1英寸的非晶硅薄膜晶体管聚合物发光二极管(a-SiT FTAM-PLED)全彩显示面板。本文介绍该a-SiTFT AM PLED的制作过程,讨论它独特的性能和成本优势,并分析未来平板电视的发展趋势。

关键词：有机电致发光非晶硅薄膜晶体管平板电视二极管

来源：评论

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非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器的优化设计

非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器的优化设计

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第十届全国敏感元件与传感器学术会议

作者：刘兴明方华军刘理天清华大学微电子学研究所

介绍了基于非晶硅薄膜晶体管的室温红外探测器的基本特征及性能指标,对晶体管宽长比对探测器性能的影响进行了理论分析,分析表明,提高晶体管的宽长比可以改善探测器的探测率。为了克服传统微桥结构室温红外探测器成品率低的不足,提出了... 详细信息

介绍了基于非晶硅薄膜晶体管的室温红外探测器的基本特征及性能指标,对晶体管宽长比对探测器性能的影响进行了理论分析,分析表明,提高晶体管的宽长比可以改善探测器的探测率。为了克服传统微桥结构室温红外探测器成品率低的不足,提出了一种新的热绝缘材料,并将该材料应用到了非制冷红外探测器中,实际制备了探测器单元,对该材料的热绝缘能力进行了验证。

关键词：非晶硅薄膜晶体管非制冷红外探测器电流温度系数插指结构

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非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器的优化设计

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微纳电子技术 2007年第7期44卷 219-221页

作者：刘兴明方华军刘理天清华大学微电子学研究所北京100084

关键词：非晶硅薄膜晶体管非制冷红外探测器电流温度系数插指结构

来源：评论

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