检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2023年第3期53卷 525-530页

作者：万凯高洁牛睿南京大学产业技术研究苏州总院江苏苏州215000 南京大学金陵学院南京210094 上海航天电子技术研究所上海201109 上海航天控制技术研究所上海201109

光敏晶体管是空间飞行器光电编码器中的重要组成部分,对空间高能质子引起的位移损伤效应较为敏感。文章通过试验获得了光敏管的核心参数输出电流与质子能量、位移损伤剂量、工作状态、屏蔽材料的关系。在50、60、70、92 MeV四种能量的... 详细信息

光敏晶体管是空间飞行器光电编码器中的重要组成部分,对空间高能质子引起的位移损伤效应较为敏感。文章通过试验获得了光敏管的核心参数输出电流与质子能量、位移损伤剂量、工作状态、屏蔽材料的关系。在50、60、70、92 MeV四种能量的质子辐照下,器件输出电流及光电转换效率最大下降80%。晶体管内部光敏二极管初始光电流的下降和晶体管电流增益的下降共同作用造成了输出电流随位移损伤剂量的增加不断衰减。不锈钢和三明治屏蔽结构对60 MeV能量质子几乎没有遮挡效果。通过提高输入光照强度,增大初始光电流,可以降低位移损伤效应的影响。另外,采用PIN型光电二极管,增大耗尽区面积,也是可行的加固方法之一。

关键词：光敏晶体管高能质子位移损伤效应非电离能损

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C离子对AlGaAs/InGaAs异质结的辐照影响

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郑州航空工业管理学院学报 2024年第4期42卷 66-71页

作者：王海丽杨梦婕马晓龙许坤段向阳王献立郑州航空工业管理学院河南郑州450046

基于SRIM软件计算了不同能量的C离子在AlGaAs/InGaAs异质结中的平均投影射程和辐照损伤区,仿真了能量为500keV、800keV、1100keV的C离子入射到AlGaAs/InGaAs异质结中的能量损失情况,发现随着入射离子能量的增加,电离能比例增加,非电离... 详细信息

基于SRIM软件计算了不同能量的C离子在AlGaAs/InGaAs异质结中的平均投影射程和辐照损伤区,仿真了能量为500keV、800keV、1100keV的C离子入射到AlGaAs/InGaAs异质结中的能量损失情况,发现随着入射离子能量的增加,电离能比例增加,非电离能比例降低,入射离子产生的电离能损远大于反冲原子产生的电离能损,反冲原子产生的声子能损远多于入射离子产生的声子能损;通过仿真还发现,当C离子的能量为800keV时,辐照损伤区在异质结处且在异质结处产生的空位缺陷最多。

关键词： C离子辐照 AlGaAs/InGaAs异质结电离能损非电离能损空位

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高能质子辐照导致电荷耦合器件性能退化研究

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现代应用物理 2021年第3期12卷 145-150页

作者：李钰文林周东李豫东郭旗北京理工大学光电学院北京100081 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011

针对空间环境中高能质子辐射导致电荷耦合器件(CCD)性能退化评估问题,开展能量高于60 MeV的质子辐照试验,考察了CCD的重要性能参数暗电流和电荷转移效率受质子辐照的退化情况及质子辐照后CCD的热像素产生情况。研究表明:高能质子辐照导... 详细信息

针对空间环境中高能质子辐射导致电荷耦合器件(CCD)性能退化评估问题,开展能量高于60 MeV的质子辐照试验,考察了CCD的重要性能参数暗电流和电荷转移效率受质子辐照的退化情况及质子辐照后CCD的热像素产生情况。研究表明:高能质子辐照导致CCD性能退化的敏感参数包括暗电流、电荷转移效率和热像素;对于60 MeV和100 MeV的质子能量,当辐照注量达到5×10^(10) cm^(-2)时,暗电流和电荷转移效率出现了一定的退化,更加显著的退化表现在热像素的产生。分析发现,60 MeV和100 MeV质子辐照导致暗电流和电荷转移效率的退化可通过NIEL进行等效,而热像素产生则不能等效。因此,在进行高能质子辐照导致CCD性能退化评估时,需重点考察热像素产生情况,且应针对实际应用的辐射环境,使用合适的质子能量进行更具针对性的辐照试验。

关键词：高能质子位移损伤效应电荷耦合器件非电离能损热像素

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质子在碳化硅中不同深度的非电离能量损失

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物理学报 2018年第18期67卷 36-43页

作者：申帅帅贺朝会李永宏西安交通大学核科学与技术学院西安710049

利用蒙特卡罗方法,应用Geant4程序,模拟计算了1—500 MeV质子在碳化硅材料中的非电离能量损失,并研究了不同种类的初级反冲原子对非电离能量损失的贡献.模拟结果表明:在相同质子辐照下,碳化硅材料中的非电离能量损失要比硅、镓等半导体... 详细信息

利用蒙特卡罗方法,应用Geant4程序,模拟计算了1—500 MeV质子在碳化硅材料中的非电离能量损失,并研究了不同种类的初级反冲原子对非电离能量损失的贡献.模拟结果表明:在相同质子辐照下,碳化硅材料中的非电离能量损失要比硅、镓等半导体材料更小,说明碳化硅器件的稳定性更好,抗位移损伤能力更强;当靶材料足够厚时,在不同能量质子辐照下,材料损伤最严重的区域会随着质子入射能量的增加从质子射程末端逐渐前移到材料表面;不同种类的初级反冲原子对非电离能量损失的贡献表明,在低能质子辐照下,28Si和^(12)C是位移损伤的主要原因,而随着质子能量的增加,通过核反应等过程产生的次级离子迅速增多,并对材料浅层造成严重的位移损伤.

关键词：碳化硅 Geant4 非电离能损位移损伤

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半导体材料电子非电离能损的分析法计算

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核电子学与探测技术 2012年第7期32卷 820-825页

作者：于新何承发郭旗张兴尧吴雪张乐情卢建胥佳灵胡天乐中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院北京100049

非电离能损(NIEL)可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化,计算模型选用经典NIEL模型,计算了能量范围为100 keV～200 MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料的NIEL,及微分散射截面、林哈德因子和位移原子数量等信息... 详细信息

非电离能损(NIEL)可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化,计算模型选用经典NIEL模型,计算了能量范围为100 keV～200 MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料的NIEL,及微分散射截面、林哈德因子和位移原子数量等信息。考虑到经典NIEL模型在入射电子能量较低的情况下得出的位移原子数量不够精确,所以用分子动力学(MD)方法加以改良,得出在低能区域更真实的位移原子数量,用于修正经典NIEL,并分析了MD模型下新的位移阈值能对计算结果的影响。

关键词：非电离能损 mott散射截面林哈德因子分子动力学模型

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GaAs器件空间位移损伤等效试验用质子能量选择研究

GaAs器件空间位移损伤等效试验用质子能量选择研究

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中国核学会2017年学术年会

作者：于庆奎李铮罗磊孙毅梅博李鹏伟李晓良吕贺唐民中国空间技术研究院

针对位移损伤等效试验质子能量选择问题,对比分析了GaAs器件性能退化随入射质子能量的变化规律,结合利用Geant4计算的质子在材料中的非电离能损(NIEL)分析,得出质子能量在50 MeV以上范围,位移损伤等效试验原理对GaAs器件不适用,分析讨论... 详细信息

针对位移损伤等效试验质子能量选择问题,对比分析了GaAs器件性能退化随入射质子能量的变化规律,结合利用Geant4计算的质子在材料中的非电离能损(NIEL)分析,得出质子能量在50 MeV以上范围,位移损伤等效试验原理对GaAs器件不适用,分析讨论了GaAs器件位移损伤等效试验质子能量如何选择。

关键词： GaAs 辐射效应位移损伤质子非电离能损

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300 eV—1GeV质子在硅中非电离能损的计算

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物理学报 2014年第6期63卷 182-187页

作者：朱金辉韦源谢红刚牛胜利黄流兴西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.引起质子在硅中NIEL的作用机理有库仑相互作用和核相互作用,质子能量范围从位移损伤阈能到1 GeV.当质子能量位于低能区时,库仑相互作用占主导地位,采用... 详细信息

非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.引起质子在硅中NIEL的作用机理有库仑相互作用和核相互作用,质子能量范围从位移损伤阈能到1 GeV.当质子能量位于低能区时,库仑相互作用占主导地位,采用解析方法和TRIM程序计算NIEL;当质子能量位于高能区时,NIEL主要来自质子与靶原子核的弹性和非弹性相互作用,使用MCNPX/HTAPE3X进行模拟仿真计算由核反应引起的NIEL.实现了能量范围为300 eV—1 GeV的质子入射硅时NIEL的计算.计算结果表明,MCNPX/HTAPE3X可用于计算高能质子在材料中产生的反冲核所引起的NIEL,结合解析方法和TRIM程序可计算得到由于库仑相互作用引起的NIEL.

关键词：质子非电离能损库仑相互作用核反应

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存在表面溅射的YBCO的辐照损伤

存在表面溅射的YBCO的辐照损伤

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第16届全国荷电粒子源粒子束学术会议

作者：李方王三胜乐小云姜利祥欧学东北京航空航天大学物理科学与核能工程学院微纳测控与低维物理教育部重点实验室北京100191 北京卫星环境工程研究所北京100094

在使用中低能离子束轰击注入材料样品时，样品表面会有一定的概率发生溅射。考虑了不同入射能量的质子、N、He和Ar离子轰击高温超导YBCO薄膜，利用SRIM程序系统，研究了存在溅射情况下YBCO靶体的原子位移率，并得到原子位移率随入射带... 详细信息

在使用中低能离子束轰击注入材料样品时，样品表面会有一定的概率发生溅射。考虑了不同入射能量的质子、N、He和Ar离子轰击高温超导YBCO薄膜，利用SRIM程序系统，研究了存在溅射情况下YBCO靶体的原子位移率，并得到原子位移率随入射带电粒子射程及能量的变化趋势。通过模拟计算分析得到存在溅射效应的YBCO辐照损伤计算方法的质子、N、He和Ar离子能量适用范围。同时，对2-40keV能量的质子、N、He和Ar离子在高温超导YBCO薄膜引起的辐照损伤进行计算和分析，得到合理的结果。

关键词：离子束原子位移率高温超导非电离能损溅射

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低能质子在半导体材料Si和GaAs中的非电离能损研究

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物理学报 2008年第2期57卷 1266-1270页

作者：唐欣欣罗文芸王朝壮贺新福查元梓樊胜黄小龙王传珊上海大学射线应用研究所上海大学理学院上海200444 上海大学理学院中国原子能科学研究院北京102413 中国原子能科学研究院

非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.由于低能时库仑相互作用占主导地位,一般采用Mott-Rutherford微分散射截面,但它没考虑核外电子库仑屏蔽的影响.为此,本文采用解析法和基于Monte-Carlo... 详细信息

非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.由于低能时库仑相互作用占主导地位,一般采用Mott-Rutherford微分散射截面,但它没考虑核外电子库仑屏蔽的影响.为此,本文采用解析法和基于Monte-Carlo方法的SRIM程序计算了考虑库仑屏蔽效应后低能质子在半导体材料Si,GaAs中的NIEL,SRIM程序在计算过程中采用薄靶近似法,并与其他作者的计算数据和实验数据进行了比较.结果表明:用SRIM程序计算NIEL时采用薄靶近似法处理是比较合理的,同时考虑库仑屏蔽效应后的NIEL较没考虑前要小,当能量为1keV时,Si材料中NIEL的值为Summers结果的30%,GaAs材料中为20%,这在航天设计中有着重要的意义.

关键词：低能质子非电离能损硅砷化镓

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氮化镓的质子辐照效应

氮化镓的质子辐照效应

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作者：狄炤厅河北工业大学

学位级别：硕士

氮化镓在禁带宽度大、临界击穿电场高、抗辐照等性能方面上的优势,使氮化镓非常适合在极端条件下工作,尤其在航空领域的高粒子辐照下工作。而氮化镓的质子辐照效应作为一个新的课题在航天领域具有深远的意义。本论文主要对不同剂量入射... 详细信息

氮化镓在禁带宽度大、临界击穿电场高、抗辐照等性能方面上的优势,使氮化镓非常适合在极端条件下工作,尤其在航空领域的高粒子辐照下工作。而氮化镓的质子辐照效应作为一个新的课题在航天领域具有深远的意义。本论文主要对不同剂量入射质子在氮化镓中的缺陷进行了研究。实验过程采用了1015cm-2、1016cm-2的剂量辐照,同时取了没有辐照的样品作为参照。对辐照前后的样品分别进行了正电子寿命谱和拉曼测试,同时本文也计算了非电离能损。本论文的主要工作如下:\n 1,计算了低能质子辐照氮化镓的非电离能损。前人的研究主要考虑了低能时的库伦相互作用而忽略了核外电子库伦屏蔽。所以,本文对考虑库伦屏蔽后低能质子在氮化镓中的非电离能损进行了公式计算。\n 2,分析了实验测得的正电子寿命谱,主要从实验结果中的缺陷的强度和寿命以及平均寿命入手,并给出了缺陷信息。并用单寿命谱分析了τ1比体寿命小的原因。\n 3,取了5MeV不同入射质子能量的三组实验样品,结果发现E1(T0)模式的存在,同时粗略的计算了载流子浓度,通过理论计算和拟合,得到了GaN中的等离子体激元的频率和阻尼常数,并得到了载流子的迁移率。另外,取了2MeV不同入射质子能量的实验样品,进行了分析对照。

关键词：氮化镓质子辐照效应非电离能损库伦屏蔽缺陷信息

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