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  • 4 篇 电子文献
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主题

  • 4 篇 mesfet
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机构

  • 4 篇 西安电子科技大学
  • 1 篇 空军工程大学

作者

  • 3 篇 杨林安
  • 3 篇 张义门
  • 2 篇 于春利
  • 2 篇 张玉明
  • 1 篇 贾护军
  • 1 篇 杨银堂
  • 1 篇 任学峰
  • 1 篇 吕红亮

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=非线性大信号模型"
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4H-SiC MESFET的非线性大信号模型
4H-SiC MESFET的非线性大信号模型
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引用
中国电子学会第十三届青年学术年会
作者： 任学峰 杨银堂 贾护军 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071
基于大信号建模的方法和理论，分析了各种建模方法，为研究MESFET大信号建模提供了方法上的比较。在4H-SiC MESFET建模过程中，基于器件物理机制和物理结构考虑的物理模型已成为当前大信号特性建模的首选模型，这种模型反映了器件的实... 详细信息
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基于实验与物理分析的4H-SiC射频功率MESFET大信号非线性精确电容模型
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引用
Journal of Semiconductors 2002年 第2期23卷 188-192页
作者： 杨林安 张义门 张玉明 西安电子科技大学微电子研究所 西安710071
采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法 ,并结合 Statz、Angelov等经验模型的描述方法 ,提出了常温下针对 4 H- Si C射频功率 MESFET的大信号非线性电容模型 .此模型在低漏源偏压区对栅源电容 Cgs强非线性的描述优于 Stat... 详细信息
来源： 评论
4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型
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引用
Journal of Semiconductors 2001年 第9期22卷 1160-1164页
作者： 杨林安 张义门 吕红亮 张玉明 于春利 西安电子科技大学微电子研究所 西安710071
根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H ... 详细信息
来源： 评论
应用于空基相控阵雷达的新型功率器件——SIC射频功率MESFET
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引用
空军工程大学学报（自然科学版） 2001年 第3期2卷 69-72页
作者： 杨林安 于春利 张义门 空军工程大学电讯工程学院 陕西西安710077 空军工程大学工程学院 陕西西安710038 西安电子科技大学 陕西西安710071
根据空基相控阵雷达的工作环境 ,对 4H -SiC材料及SiC功率器件 (SiCMESFET)的特点进行了分析。与GaAs器件相比 ,这种新型器件在空基相控阵雷达领域有广泛的应用前景。同时建立了用于器件CAD技术的SiCMESFET改进型非线性大信号模型 ,这... 详细信息
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