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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

107 篇 专利

馆藏范围

107 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

61 篇 三星电子株式会社
29 篇 爱思开海力士有限...
13 篇 长江存储科技有限...
3 篇 旺宏电子股份有限...
1 篇 美光科技公司

作者

16 篇 吴星来
12 篇 金东赫
12 篇 丁寿男
9 篇 南尚完
8 篇 姜熙雄
8 篇 徐准浩
8 篇 李熙元
8 篇 郭东勋
7 篇 曹溶成
6 篇 王砚
6 篇 朴泰成
6 篇 栗山正男
6 篇 陈腾
5 篇 朴一汉
5 篇 边大锡
5 篇 任琫淳
5 篇 崔亨进
4 篇 朴商秀
4 篇 邓佳梁
4 篇 蒋尚焕

语言

107 篇 中文

检索条件"主题词=页缓冲器电路"

共 107 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

页缓冲器电路以及包括该页缓冲器电路的存储器件

页缓冲器电路以及包括该页缓冲器电路的存储器件

引用

作者：千镇泳徐民宰金武星韩国京畿道

提供了页缓冲器电路以及包括该页缓冲器电路的存储器件。一种非易失性存储器件包括：存储单元；位线，所述位线连接到所述存储单元；第一交叉耦合反相器，所述第一交叉耦合反相器用于存储通过连接到所述位线的读出节点从所述存储单元读... 详细信息

标准号: CN116137175A

提供了页缓冲器电路以及包括该页缓冲器电路的存储器件。一种非易失性存储器件包括：存储单元；位线，所述位线连接到所述存储单元；第一交叉耦合反相器，所述第一交叉耦合反相器用于存储通过连接到所述位线的读出节点从所述存储单元读出的数据；第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管分别连接到所述第一交叉耦合反相器的相应端并且分别将接地电压传输到所述第一交叉耦合反相器的所述相应端；以及控制电路，所述控制电路用于在初始化时段和预充电时段中的至少一者内操作所述第一晶体管和所述第二晶体管至少一次，在所述初始化时段中所述读出节点被放电，在所述预充电时段中所述位线被预充电。

关键词：晶体管交叉耦合反相器位线存储单元预充电页缓冲器电路读出节点控制电路初始化非易失性存储器件存储器件接地电压放电读出存储传输

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页缓冲器电路、操作半导体存储器装置的方法和半导体存储器系统

页缓冲器电路、操作半导体存储器装置的方法和半导体存储器系统

引用

作者：崔亨进韩国京畿道

本申请涉及页缓冲器电路、操作半导体存储器装置的方法和半导体存储器系统。一种页缓冲器电路包括数据锁存电路和感测锁存电路。数据锁存电路被配置为存储与正常操作对应的数据。感测锁存电路被配置为在根据暂停操作的进入操作中接收和... 详细信息

标准号: CN117116328A

本申请涉及页缓冲器电路、操作半导体存储器装置的方法和半导体存储器系统。一种页缓冲器电路包括数据锁存电路和感测锁存电路。数据锁存电路被配置为存储与正常操作对应的数据。感测锁存电路被配置为在根据暂停操作的进入操作中接收和存储数据锁存电路中的数据。感测锁存电路被配置为在根据暂停操作的感测操作中将存储在感测锁存电路中的数据传输至数据锁存电路。感测锁存电路被配置为感测存储器单元中的暂停数据，并且输出来自存储器单元的暂停数据。

关键词：锁存电路感测数据锁存电路页缓冲器电路存储器单元暂停操作配置存储半导体存储器系统半导体存储器装置存储数据感测操作数据传输输出申请

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页缓冲器电路和包括其的存储装置

页缓冲器电路和包括其的存储装置

引用

作者：曹溶成金寅洙边大锡韩国京畿道

提供了页缓冲器电路和包括其的存储装置。所述存储装置包括存储单元阵列和页缓冲器电路，所述页缓冲器电路经由多条位线选择性地连接到存储单元的多个页缓冲器，所述多个页缓冲器中的每一者包括感测节点。在验证所述存储单元的编程状态... 详细信息

标准号: CN117995247A

提供了页缓冲器电路和包括其的存储装置。所述存储装置包括存储单元阵列和页缓冲器电路，所述页缓冲器电路经由多条位线选择性地连接到存储单元的多个页缓冲器，所述多个页缓冲器中的每一者包括感测节点。在验证所述存储单元的编程状态期间，所述感测节点可以被预充电至不同的电平。例如，在验证第一编程状态期间，在第一预充电时段中，所述多个页缓冲器当中的与目标是编程为第一编程状态的第一存储单元连接的第一页缓冲器的第一感测节点被预充电至第一电平。在验证第二编程状态期间，与目标是编程为第二编程状态的第二存储单元连接的第二页缓冲器的第二感测节点被预充电至第二电平，其中，所述第二电平不同于所述第一电平。

关键词：编程状态页缓冲器感测节点预充电页缓冲器电路存储单元存储装置验证编程存储单元阵列第二存储单元选择性地连接位线

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页缓冲器电路、半导体存储器设备及其操作方法

页缓冲器电路、半导体存储器设备及其操作方法

引用

作者：崔亨进韩国京畿道

本申请涉及页缓冲器电路、半导体存储器设备及其操作方法。一种页缓冲器电路包括感测锁存器电路和高速缓存锁存器电路。感测锁存器电路被配置为在正常读取操作期间接收并感测存储器单元中所存储的数据。高速缓存锁存器电路被配置为在挂... 详细信息

标准号: CN116137173A

本申请涉及页缓冲器电路、半导体存储器设备及其操作方法。一种页缓冲器电路包括感测锁存器电路和高速缓存锁存器电路。感测锁存器电路被配置为在正常读取操作期间接收并感测存储器单元中所存储的数据。高速缓存锁存器电路被配置为在挂起读取操作期间接收并感测存储器单元中所存储的数据。

关键词：锁存器电路感测读取操作期间页缓冲器电路存储器单元高速缓存存储半导体存储器挂起配置申请

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页缓冲器电路以及包括页缓冲器电路的存储器件

页缓冲器电路以及包括页缓冲器电路的存储器件

引用

作者：姜仁昊朴一汉千镇泳韩国京畿道

一种页缓冲器电路包括连接到多个位线的多个页缓冲器。多个页缓冲器中的每一个包括：位线选择晶体管，被配置为将多个位线中的相应位线连接到感测节点；预充电电路，被配置为对感测节点进行预充电；以及动态锁存电路，被配置为将数据存... 详细信息

标准号: CN115359827A

一种页缓冲器电路包括连接到多个位线的多个页缓冲器。多个页缓冲器中的每一个包括：位线选择晶体管，被配置为将多个位线中的相应位线连接到感测节点；预充电电路，被配置为对感测节点进行预充电；以及动态锁存电路，被配置为将数据存储在存储节点中。多个页缓冲器中的每一个被配置为通过存储节点和感测节点之间的电荷共享来刷新存储节点中存储的数据。

关键词：存储节点感测节点页缓冲器配置个位位线选择晶体管动态锁存电路页缓冲器电路预充电电路电荷共享数据存储预充电位线存储

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页缓冲器电路及其操作方法

页缓冲器电路及其操作方法

引用

作者：蔡洙悦韩国京畿道

本公开的实施例涉及页缓冲器电路及其操作方法。页缓冲器电路可以包括：数据传送电路，被配置为在数据感测操作期间将通过位线传送到第一感测节点的数据传送到第二感测节点；第一锁存电路，被配置为感测被传送到第一感测节点的数据，并... 详细信息

标准号: CN116798487A

本公开的实施例涉及页缓冲器电路及其操作方法。页缓冲器电路可以包括：数据传送电路，被配置为在数据感测操作期间将通过位线传送到第一感测节点的数据传送到第二感测节点；第一锁存电路，被配置为感测被传送到第一感测节点的数据，并且存储感测到的数据；以及第二锁存电路，被配置为感测被传送到第二感测节点的数据，并且存储感测到的数据。

关键词：感测节点感测页缓冲器电路锁存电路配置存储数据传送电路操作期间数据传送数据感测位线

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页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置

页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置

引用

作者：崔亨进韩国京畿道

本公开涉及页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置。一种页缓冲器电路包括中间电路、数据存储电路和增强电路。所述中间电路联接到与存储器区域联接的位线并被配置为向感测节点施加具有与所述存储器区域的状态对应的电压... 详细信息

标准号: CN115938433A

本公开涉及页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置。一种页缓冲器电路包括中间电路、数据存储电路和增强电路。所述中间电路联接到与存储器区域联接的位线并被配置为向感测节点施加具有与所述存储器区域的状态对应的电压电平的电压。所述数据存储电路被配置为响应于所述电压电平而在其中存储与所述存储器区域的状态对应的值。所述增强电路联接到所述感测节点并被配置为在所选择的操作期间的增强区间中增大所述感测节点的电容。

关键词：页缓冲器电路存储器区域感测节点数据存储电路电压电平增强电路中间电路配置非易失性存储器装置操作期间电容位线联接存储施加响应

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页缓冲器电路及其操作方法

页缓冲器电路及其操作方法

引用

作者：陈重光陈汉松洪俊雄中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

本发明公开了一种页缓冲器电路及其操作方法，该页缓冲器电路包含多个页缓冲器，这些页缓冲器包含第一页缓冲器。第一页缓冲器用以加载第一缓冲器的输入数据及至少一邻近页缓冲器的输入数据。第一页缓冲器也用以对应第一缓冲器的输入数... 详细信息

标准号: CN105869673B

本发明公开了一种页缓冲器电路及其操作方法，该页缓冲器电路包含多个页缓冲器，这些页缓冲器包含第一页缓冲器。第一页缓冲器用以加载第一缓冲器的输入数据及至少一邻近页缓冲器的输入数据。第一页缓冲器也用以对应第一缓冲器的输入数据及至少一邻近页缓冲器的输入数据施加一偏压到一位线。

关键词：页缓冲器缓冲器页缓冲器电路邻近加载位线施加

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页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置

页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置

引用

作者：曺溶成田炳宽韩国京畿道水原市

提供了页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包括包含存储器单元的存储器单元阵列和页缓冲器电路。页缓冲器电路包括多个页缓冲器单元和多个高速缓存锁存器。多个高速缓存锁存器沿第一水平方向与多... 详细信息

标准号: CN114078535A

提供了页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包括包含存储器单元的存储器单元阵列和页缓冲器电路。页缓冲器电路包括多个页缓冲器单元和多个高速缓存锁存器。多个高速缓存锁存器沿第一水平方向与多个页缓冲器单元间隔开，并对应于多个页缓冲器单元中的相应页缓冲器单元。每个页缓冲器单元包括连接到每个感测节点并响应于传输控制信号而被驱动的传输晶体管。页缓冲器电路被配置为基于执行用于将从第一部分页缓冲器单元提供的数据从第一部分高速缓存锁存器输出到数据输入/输出(I/O)线的第一数据输出操作，执行被配置为将来自第二部分页缓冲器单元的感测数据转储到第二部分高速缓存锁存器的数据传送操作。

关键词：页缓冲器页缓冲器电路高速缓存锁存器非易失性存储器装置存储器单元阵列传输控制信号传输晶体管存储器单元单元间隔第一数据感测节点感测数据输出操作数据传送输出配置转储驱动响应

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页缓冲器电路及其操作方法

页缓冲器电路及其操作方法

引用

作者：陈重光陈汉松洪俊雄中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

标准号: CN105869673A

关键词：页缓冲器缓冲器页缓冲器电路邻近加载位线施加

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