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  • 107 篇 电子文献
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  • 61 篇 三星电子株式会社
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  • 1 篇 美光科技公司

作者

  • 16 篇 吴星来
  • 12 篇 金东赫
  • 12 篇 丁寿男
  • 9 篇 南尚完
  • 8 篇 姜熙雄
  • 8 篇 徐准浩
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  • 8 篇 郭东勋
  • 7 篇 曹溶成
  • 6 篇 王砚
  • 6 篇 朴泰成
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  • 5 篇 朴一汉
  • 5 篇 边大锡
  • 5 篇 任琫淳
  • 5 篇 崔亨进
  • 4 篇 朴商秀
  • 4 篇 邓佳梁
  • 4 篇 蒋尚焕

语言

  • 107 篇 中文
检索条件"主题词=页缓冲器电路"
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包括页缓冲器的存储器装置
包括页缓冲器的存储器装置
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作者： 吴星来 金东赫 丁寿男 韩国京畿道
包括页缓冲器的存储器装置。一种存储器装置，其包括：多条位线；页缓冲器电路，其包括电联接至所述多条位线的多个页缓冲器；以及缓存电路，其包括电联接至所述多个页缓冲器的多个缓存，其中，页缓冲器电路的级数小于缓存电路的级数。
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具有垂直结构的非易失性存储装置及包括其的存储系统
具有垂直结构的非易失性存储装置及包括其的存储系统
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作者： 任琫淳 金真怜 沈相元 朴一汉 韩国京畿道
一种非易失性存储装置，包括：第一半导体层，其包括字线、位线、彼此相邻的第一上基板和第二上基板、以及存储单元阵列，其中存储单元阵列包括在第一上基板上的第一垂直结构和在第二上基板上的第二垂直结构；以及在第一半导体层下方的... 详细信息
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存储器装置
存储器装置
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作者： 吴星来 金东赫 丁寿男 韩国京畿道
存储器装置。一种存储器装置包括：多条位线，所述多条位线沿着第一方向延伸并且沿着与所述第一方向垂直的第二方向排列；页缓冲器电路，所述页缓冲器电路包括电联接至所述多条位线的多个页缓冲器；以及高速缓存电路，所述高速缓存电路... 详细信息
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被配置为减少验证时间的存储器装置及其操作方法
被配置为减少验证时间的存储器装置及其操作方法
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作者： 尹铉竣 韩国京畿道水原市
提供了被配置为减少验证时间的存储器装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列中具有被编程为多个编程状态的存储器单元；页缓冲器电路，页缓冲器电路中具有多个页缓冲器，所述多个页缓冲器连接到与存储器... 详细信息
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存储器装置及其操作方法
存储器装置及其操作方法
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作者： 俞昌渊 金敏洙 朴贤郁 任琫淳 韩国京畿道水原市
公开一种存储器装置及其操作方法。所述存储器装置包括单元阵列和页缓冲器电路。单元阵列包括分别连接到第一位线和第二位线的第一单元串和第二单元串。页缓冲器电路被配置为：当对第一单元串和第二单元串的存储器单元执行擦除操作时，... 详细信息
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存储器器件及其编程操作
存储器器件及其编程操作
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作者： 万维俊 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
在某些方面中，一种存储器器件包括在列和行中的存储器单元阵列、分别耦合到行的字线、分别耦合到列的位线、以及通过位线和字线耦合到存储器单元阵列并且被配置为基于当前数据页对选择行进行编程的外围电路。每个存储器单元被配置为以2... 详细信息
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非易失性存储器装置和存储装置
非易失性存储器装置和存储装置
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作者： 朴奎河 金正悦 李娜利 金大汉 韩国京畿道水原市
公开了非易失性存储器装置和存储装置。所述非易失性存储器装置包括存储器单元阵列、行解码器电路、页缓冲器电路和通过/失败检查电路，行解码器电路选择一条字线作为编程操作的目标，页缓冲器电路存储将在编程操作中被写入与被选择的... 详细信息
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半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
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作者： 金智源 金志荣 梁宇成 金度亨 成锡江 韩国京畿道
一种半导体器件，包括：第一衬底结构，包括第一解码器电路区域、第二解码器电路区域和页缓冲器电路区域；以及第二衬底结构，连接到第一衬底结构。第二衬底结构包括第一单元结构和第二单元结构，第一单元结构包括第一水平延伸栅电极，... 详细信息
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非易失性存储器件及其操作方法和存储系统
非易失性存储器件及其操作方法和存储系统
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作者： 金泽寿 朴赞益 申岘升 蒋尚焕 韩国京畿道
一种非易失性存储器件及其操作方法和存储系统。所述非易失性存储器件包括：存储单元阵列，其包括多个非易失性存储单元；页缓冲器电路，其通过多个位线连接到存储单元阵列；计算电路，其配置为基于具有第一尺寸的计算窗口来执行对信息... 详细信息
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非易失性存储器件
非易失性存储器件
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作者： 姜仁昊 边大锡 赵柏衡 金珉辉 曹溶成 秋教秀 韩国京畿道
提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括具有多级结构的页缓冲器电路，其中多级结构的一级包括高电压区、第一低电压区和第二低电压区。高电压区包括连接到第一至第六位线中的一条的第一高电压晶体管和连接到第七至第十二位... 详细信息
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