检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

107 篇 专利

馆藏范围

107 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

61 篇 三星电子株式会社
29 篇 爱思开海力士有限...
13 篇 长江存储科技有限...
3 篇 旺宏电子股份有限...
1 篇 美光科技公司

作者

16 篇 吴星来
12 篇 金东赫
12 篇 丁寿男
9 篇 南尚完
8 篇 姜熙雄
8 篇 徐准浩
8 篇 李熙元
8 篇 郭东勋
7 篇 曹溶成
6 篇 王砚
6 篇 朴泰成
6 篇 栗山正男
6 篇 陈腾
5 篇 朴一汉
5 篇 边大锡
5 篇 任琫淳
5 篇 崔亨进
4 篇 朴商秀
4 篇 邓佳梁
4 篇 蒋尚焕

语言

107 篇 中文

检索条件"主题词=页缓冲器电路"

共 107 条记录，以下是51-60 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

非易失性存储器设备

非易失性存储器设备

引用

作者：金昶泛金成勋韩国京畿道

一种非易失性存储器设备包括第一半导体层和沿垂直方向布置的第二半导体层。第一半导体层包括多个存储器单元和沿第一方向延伸的多个金属线，所述多个金属线包括第一位线、第二位线、以及在第一位线和第二位线之间的共源线分接导线。第... 详细信息

标准号: CN115643763A

一种非易失性存储器设备包括第一半导体层和沿垂直方向布置的第二半导体层。第一半导体层包括多个存储器单元和沿第一方向延伸的多个金属线，所述多个金属线包括第一位线、第二位线、以及在第一位线和第二位线之间的共源线分接导线。第二半导体层包括连接到第一位线和第二位线的页缓冲器电路，并且页缓冲器电路包括：布置在第一位线的下方并电性连接到第一位线的第一晶体管、布置在第二位线的下方并电性连接到第二位线的第二晶体管、以及布置为在共源线分接导线的下方并与共源线分接导线重叠并且沿第一方向延伸的第一保护环。

关键词：位线半导体层分接页缓冲器电路电性连接方向延伸金属线晶体管共源非易失性存储器垂直方向布置存储器单元源线

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

存储器器件及其编程操作

存储器器件及其编程操作

引用

作者：万维俊 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

在某些方面中，一种存储器器件包括在列和行中的存储器单元阵列、分别耦合到行的字线、分别耦合到列的位线、以及通过位线和字线耦合到存储器单元阵列并且被配置为基于当前数据页对选择行进行编程的外围电路。每个存储器单元被配置为以2... 详细信息

标准号: CN113490984A

在某些方面中，一种存储器器件包括在列和行中的存储器单元阵列、分别耦合到行的字线、分别耦合到列的位线、以及通过位线和字线耦合到存储器单元阵列并且被配置为基于当前数据页对选择行进行编程的外围电路。每个存储器单元被配置为以2^N个电平中的一个电平存储N位数据的片段，其中，N是大于1的整数。外围电路包括分别耦合到位线的页缓冲器电路。每个页缓冲器电路包括一个高速缓存存储单元、一个多用途存储单元和N‑1个数据存储单元。高速缓存存储单元被配置为依次接收当前数据页的N个位以及下一数据页的N个位，并且依次存储当前数据页的N个位中的一位以及下一数据页的N个位中的每一位。多用途存储单元被配置为依次存储非数据页信息和下一数据页的N个位中的一位。数据存储单元均被配置为存储当前数据页的N个位中的相应的一位。

关键词：数据页个位耦合到配置高速缓存存储单元存储器单元阵列数据存储单元页缓冲器电路存储单元外围电路依次存储位线字线存储器单元存储器器件电平存储依次接收耦合位数据选择行编程存储

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

具有晶圆到晶圆结合结构的半导体存储器装置

具有晶圆到晶圆结合结构的半导体存储器装置

引用

作者：吴星来韩国京畿道

具有晶圆到晶圆结合结构的半导体存储器装置。一种半导体存储器装置包括：第一列线焊盘，其具有较长宽度和较短宽度，限定在单元晶圆的一个表面上，并且联接到单元晶圆的存储器单元阵列；第二列线焊盘，其具有较长宽度和较短宽度，限定... 详细信息

标准号: CN113497049B

具有晶圆到晶圆结合结构的半导体存储器装置。一种半导体存储器装置包括：第一列线焊盘，其具有较长宽度和较短宽度，限定在单元晶圆的一个表面上，并且联接到单元晶圆的存储器单元阵列；第二列线焊盘，其具有较长宽度和较短宽度，限定在结合到单元晶圆的所述一个表面的外围晶圆的一个表面上，联接到外围晶圆的页缓冲器电路，并分别结合到第一列线焊盘；第一行线焊盘，其限定在单元晶圆的所述一个表面上，并且联接到存储器单元阵列；以及第二行线焊盘，其限定在外围晶圆的所述一个表面上，联接到外围晶圆的行解码器，并分别结合到第一行线焊盘。第一列线焊盘和第二列线焊盘的较长宽度以及第一行线焊盘和第二行线焊盘的较长宽度在相同方向上延伸。

关键词：晶圆焊盘列线行线外围半导体存储器装置存储器单元阵列页缓冲器电路结合结构行解码器线焊延伸

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

非易失性存储器设备和包括其的存储设备

非易失性存储器设备和包括其的存储设备

引用

作者：南尚完朴商仁韩国京畿道

一种非易失性存储器设备，包括存储器单元阵列、行解码器电路、页缓冲器电路和控制逻辑电路。所述控制逻辑电路控制所述行解码器电路和所述页缓冲器电路执行：(1)预编程，即，顺序地选择多个存储器块并且增大所选存储器块的串选择晶体... 详细信息

标准号: CN107731252B

一种非易失性存储器设备，包括存储器单元阵列、行解码器电路、页缓冲器电路和控制逻辑电路。所述控制逻辑电路控制所述行解码器电路和所述页缓冲器电路执行：(1)预编程，即，顺序地选择多个存储器块并且增大所选存储器块的串选择晶体管或接地选择晶体管的阈值电压，以及(2)在完成所述预编程之后，主编程，即，顺序地选择所述多个存储器块、对所选存储器块的串选择晶体管或接地选择晶体管编程并且通过使用验证电压执行验证。

关键词：存储器块接地选择晶体管串选择晶体管控制逻辑电路行解码器电路页缓冲器电路预编程存储器单元阵列非易失性存储器验证电压阈值电压主编程编程验证

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

非易失性存储器件

非易失性存储器件

引用

作者：南汉旻朴曾焕郭判硕韩国京畿道

一种非易失性存储器件，包括存储单元区域和外围电路区域，存储单元区域包括：多条位线，多条位线中的每条位线沿第一方向延伸；以及多个上接合焊盘，外围电路区域包括：页缓冲器电路；多个下接合焊盘，设置在页缓冲器电路上方并且多个... 详细信息

标准号: CN118265301A

一种非易失性存储器件，包括存储单元区域和外围电路区域，存储单元区域包括：多条位线，多条位线中的每条位线沿第一方向延伸；以及多个上接合焊盘，外围电路区域包括：页缓冲器电路；多个下接合焊盘，设置在页缓冲器电路上方并且多个下接合焊盘中的每个下接合焊盘连接到多个上接合焊盘中的相应的上接合焊盘；以及多条贯通布线，多条贯通布线中的每条贯通布线沿第一方向延伸。多个下接合焊盘包括：第一下接合焊盘，设置在沿第一方向延伸的第一线中；以及第二下接合焊盘，设置在沿第一方向延伸的第二线中。多条贯通布线包括至少一条第一贯通布线，该至少一条第一贯通布线在第一线和第二线之间延伸，并且延伸跨过页缓冲器电路。

关键词：接合焊盘贯通布线方向延伸页缓冲器电路位线存储单元区域外围电路区域非易失性存储器件第一线延伸跨过

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体存储器装置

半导体存储器装置

引用

作者：金东赫吴星来丁寿男韩国京畿道

一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：多条位线，其电联接到存储器单元阵列，并且在第一方向上延伸；多个位线触点焊盘，其形成在基板上方的第一平面上，并且分别通过位线触点联接到多条位线；以及多个第一触点焊盘，其形成... 详细信息

标准号: CN110970062B

一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：多条位线，其电联接到存储器单元阵列，并且在第一方向上延伸；多个位线触点焊盘，其形成在基板上方的第一平面上，并且分别通过位线触点联接到多条位线；以及多个第一触点焊盘，其形成在第一平面上，分别通过再分配线联接到多个位线触点焊盘，并且通过第一触点电联接到设置在基板上的页缓冲器电路，其中，在与第一方向交叉的第二方向上设置成一行的至少两个位线触点焊盘所对应的至少两个第一触点焊盘在第一方向上设置成一行。

关键词：触点焊盘个位半导体存储器装置基板位线存储器单元阵列页缓冲器电路方向交叉位线触点再分配触点延伸

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

非易失性存储器装置和操作非易失性存储器装置的方法

非易失性存储器装置和操作非易失性存储器装置的方法

引用

作者：金承范朴一汉李知英全秀昶韩国京畿道水原市

提供了一种非易失性存储器装置和操作非易失性存储器装置的方法，非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括页，每个页包括存储数据比特的存储器单元，每个数据比特通过不同的阈值电压是可选择的；页缓冲器电路，通过位线结合到存... 详细信息

标准号: CN110942796A

提供了一种非易失性存储器装置和操作非易失性存储器装置的方法，非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括页，每个页包括存储数据比特的存储器单元，每个数据比特通过不同的阈值电压是可选择的；页缓冲器电路，通过位线结合到存储器单元阵列，页缓冲器电路包括页缓冲器以从选择的存储器单元感测数据并且执行均包括两个顺序的感测操作的第一读取操作和第二读取操作以确定一个数据状态，每个页缓冲器包括锁存器，锁存器被配置为顺序地存储两个顺序感测操作的结果；以及控制电路，控制页缓冲器以存储第一读取操作的结果，在完成第一读取操作之后重置锁存器并且基于谷来执行第二读取操作，谷基于第一读取操作的结果来确定。

关键词：读取操作非易失性存储器装置页缓冲器锁存器存储器单元阵列页缓冲器电路存储器单元感测操作存储存储数据感测数据控制电路数据状态阈值电压位线重置配置

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

存储器器件和在其编程操作暂停期间的读取操作

存储器器件和在其编程操作暂停期间的读取操作

引用

作者：石蕾段竺琴邓佳梁 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

在某些方面中，一种存储器器件包括存储器单元阵列和外围电路。存储器单元阵列包括第一存储器单元和第二存储器单元。外围电路包括页缓冲器电路和控制逻辑。页缓冲器电路分别耦合到第一存储器单元和第二存储器单元，并且包括感测出(SO)... 详细信息

标准号: CN117594094A

在某些方面中，一种存储器器件包括存储器单元阵列和外围电路。存储器单元阵列包括第一存储器单元和第二存储器单元。外围电路包括页缓冲器电路和控制逻辑。页缓冲器电路分别耦合到第一存储器单元和第二存储器单元，并且包括感测出(SO)节点和高速缓存存储单元。控制逻辑耦合到页缓冲器并且被配置为：响应于接收到指示对第二存储器单元执行读取操作的暂停命令，而暂停在对第一存储器单元的编程操作。控制逻辑还被配置为：控制页缓冲器电路以存储与编程操作的暂停相关联的暂停的编程信息；并且通过SO节点和高速缓存存储单元发起对第二存储器单元的读取操作。

关键词：第二存储器页缓冲器电路存储器单元控制逻辑高速缓存存储单元存储器单元阵列编程操作读取操作外围电路耦合到存储器器件编程信息页缓冲器暂停命令配置存储关联响应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

存储器器件和在其编程操作暂停期间的读取操作

存储器器件和在其编程操作暂停期间的读取操作

引用

作者：邓佳梁李博段竺琴石蕾 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

在某些方面中，一种存储器器件包括：存储器单元阵列，其包括第一存储器单元和第二存储器单元；以及外围电路。该外围电路包括页缓冲器电路和控制逻辑。控制逻辑被配置为：响应于接收到指示对第二存储器单元执行读取操作的暂停命令，而... 详细信息

标准号: CN117636960A

在某些方面中，一种存储器器件包括：存储器单元阵列，其包括第一存储器单元和第二存储器单元；以及外围电路。该外围电路包括页缓冲器电路和控制逻辑。控制逻辑被配置为：响应于接收到指示对第二存储器单元执行读取操作的暂停命令，而暂停对第一存储器单元的编程操作；控制页缓冲器电路以通过在编程操作的暂停期间使用页缓冲器电路的动态存储单元来将页缓冲器电路的感测存储单元和高速缓存存储单元从被编程操作的暂停的占用中释放出来；以及使用感测存储单元和高速缓存存储单元发起对第二存储器单元的读取操作。

关键词：页缓冲器电路第二存储器编程操作高速缓存存储单元感测存储单元存储器单元读取操作控制逻辑外围电路存储器单元阵列动态存储单元存储器器件暂停命令占用释放响应配置

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

存储器装置、存储器系统及其操作方法以及可读介质

存储器装置、存储器系统及其操作方法以及可读介质

引用

作者：朴康愚韩国京畿道

本申请涉及存储器装置、存储器系统及其操作方法以及可读介质。一种存储器系统包括：存储器组，其包括多个存储器单元；控制电路，其被配置为从多个存储器单元当中的第一存储器单元中一起读取第一硬判决数据条目和第一软判决数据条目；... 详细信息

标准号: CN117234413A

本申请涉及存储器装置、存储器系统及其操作方法以及可读介质。一种存储器系统包括：存储器组，其包括多个存储器单元；控制电路，其被配置为从多个存储器单元当中的第一存储器单元中一起读取第一硬判决数据条目和第一软判决数据条目；以及页缓冲器电路，其经由位线联接到第一存储器单元。页缓冲器电路包括被配置为存储第一硬判决数据条目和第一软判决数据条目的多个数据锁存器以及被配置为存储从多个数据锁存器传送的第一硬判决数据条目和第一软判决数据条目中的一者的至少一个高速缓存锁存器。

关键词：存储器单元软判决数据数据条目硬判决条目页缓冲器电路存储器系统数据锁存器配置存储读取存储器装置存储器组高速缓存可读介质控制电路锁存器位线传送申请

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共11页 << < 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：