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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

107 篇 专利

馆藏范围

107 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

61 篇 三星电子株式会社
29 篇 爱思开海力士有限...
13 篇 长江存储科技有限...
3 篇 旺宏电子股份有限...
1 篇 美光科技公司

作者

16 篇 吴星来
12 篇 金东赫
12 篇 丁寿男
9 篇 南尚完
8 篇 姜熙雄
8 篇 徐准浩
8 篇 李熙元
8 篇 郭东勋
7 篇 曹溶成
6 篇 王砚
6 篇 朴泰成
6 篇 栗山正男
6 篇 陈腾
5 篇 朴一汉
5 篇 边大锡
5 篇 任琫淳
5 篇 崔亨进
4 篇 朴商秀
4 篇 邓佳梁
4 篇 蒋尚焕

语言

107 篇 中文

检索条件"主题词=页缓冲器电路"

共 107 条记录，以下是61-70 订阅

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详细简洁

排序：

非易失性存储器装置、操作方法及存储器控制器操作方法

非易失性存储器装置、操作方法及存储器控制器操作方法

引用

作者：金成骏尹恩振蒋尚焕韩国京畿道水原市

提供了一种非易失性存储器装置、其操作方法及存储器控制器的操作方法，所述非易失性存储器装置包括：控制逻辑电路，从非易失性存储器装置外部接收读取命令；存储器单元阵列，包括连接到多条字线的多个存储器单元；地址生成器，基于来... 详细信息

标准号: CN110782938B

提供了一种非易失性存储器装置、其操作方法及存储器控制器的操作方法，所述非易失性存储器装置包括：控制逻辑电路，从非易失性存储器装置外部接收读取命令；存储器单元阵列，包括连接到多条字线的多个存储器单元；地址生成器，基于来自非易失性存储器装置的外部的读取信息生成多个地址；地址解码器，顺序地选择与多个地址对应的至少一条字线中的多个页；页缓冲器电路，通过多条位线连接到存储器单元阵列，从连接到由地址解码器选择的页的存储器单元准备多个顺序数据；以及输入/输出电路，通过数据线将多个顺序数据从页缓冲器电路连续输出到非易失性存储器装置的外部。

关键词：非易失性存储器装置存储器单元阵列页缓冲器电路存储器单元地址解码器顺序数据字线外部输入/输出电路存储器控制器控制逻辑电路地址生成器地址对应读取命令读取信息数据线位线输出

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用于执行部分读操作的非易失性存储器件及其读取方法

用于执行部分读操作的非易失性存储器件及其读取方法

引用

作者：曹溶成韩国京畿道

一种非易失性存储器件包括：第一单元串，包括第一伪单元并且连接到选择的串选择线；第二单元串，包括第二伪单元并且连接到所述选择的串选择线；页缓冲器电路，被配置为选择所述第一单元串和所述第二单元串中的一个单元串以在读操作中... 详细信息

标准号: CN108122566B

一种非易失性存储器件包括：第一单元串，包括第一伪单元并且连接到选择的串选择线；第二单元串，包括第二伪单元并且连接到所述选择的串选择线；页缓冲器电路，被配置为选择所述第一单元串和所述第二单元串中的一个单元串以在读操作中读取数据；以及控制逻辑电路，被配置为在所述读操作中向连接到所述第一单元串和所述第二单元串中的所选择的一个单元串的位线施加第一位线电压，以及向连接到所述第一单元串和所述第二单元串中的未选择的一个单元串的位线施加第二位线电压。当选择所述第一单元串时，所述控制逻辑电路断开所述第二伪单元，并且当选择所述第二单元串时，所述控制逻辑电路断开所述第一伪单元。

关键词：伪单元控制逻辑电路串选择线位线电压位线断开非易失性存储器件施加页缓冲器电路读操作配置

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存储器装置

存储器装置

引用

作者：吴星来金原奭朴商佑韩国京畿道

一种存储器装置包括：第一平面，其限定在层叠在第一晶片上的第二晶片中；第二平面，其限定在层叠在第二晶片上的第三晶片中并且在垂直方向上与第一平面交叠；第一页缓冲器电路，其包括第一列运算器和联接到第一平面的位线的第一列驱动... 详细信息

标准号: CN113724760B

一种存储器装置包括：第一平面，其限定在层叠在第一晶片上的第二晶片中；第二平面，其限定在层叠在第二晶片上的第三晶片中并且在垂直方向上与第一平面交叠；第一页缓冲器电路，其包括第一列运算器和联接到第一平面的位线的第一列驱动器；以及第二页缓冲器电路，其包括第二列运算器和联接到第二平面的位线的第二列驱动器。第一列驱动器设置在第二晶片中，第二列驱动器设置在第三晶片中并且在垂直方向上与第一列驱动器交叠，并且第一列运算器和第二列运算器设置在第一晶片的单元区域中并且在垂直方向上与第一平面和第二平面交叠。

关键词：列驱动器运算器交叠晶片页缓冲器电路平面的位线存储器装置单元区域

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半导体存储器设备及其操作方法

半导体存储器设备及其操作方法

引用

作者：崔亨进韩国京畿道

本公开涉及一种半导体存储器设备及其操作方法。一种半导体存储器设备包括：页缓冲器电路、通过/失败确定电路和操作控制电路。页缓冲器电路可以包括感测锁存电路和数据锁存电路。通过/失败确定电路确定存储器单元的通过/失败。操作控... 详细信息

标准号: CN116779009A

本公开涉及一种半导体存储器设备及其操作方法。一种半导体存储器设备包括：页缓冲器电路、通过/失败确定电路和操作控制电路。页缓冲器电路可以包括感测锁存电路和数据锁存电路。通过/失败确定电路确定存储器单元的通过/失败。操作控制电路控制要对存储器单元执行的编程操作和编程验证操作。

关键词：半导体存储器操作控制电路页缓冲器电路存储器单元失败电路编程验证操作数据锁存电路编程操作锁存电路感测

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存储器器件及其编程操作

存储器器件及其编程操作

引用

作者：万维俊 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

一种存储器器件包括在列和行中的存储器单元阵列、分别耦合到行的字线、分别耦合到列的位线、以及通过位线和字线耦合到存储器单元阵列并且被配置为基于当前数据页对选择行进行编程的外围电路。外围电路包括分别耦合到位线的页缓冲器电... 详细信息

标准号: CN115331720A

一种存储器器件包括在列和行中的存储器单元阵列、分别耦合到行的字线、分别耦合到列的位线、以及通过位线和字线耦合到存储器单元阵列并且被配置为基于当前数据页对选择行进行编程的外围电路。外围电路包括分别耦合到位线的页缓冲器电路。每个页缓冲器电路包括高速缓存存储单元、多用途存储单元和N‑1个数据存储单元。高速缓存存储单元被配置为依次接收当前数据页的N个位以及下一数据页的N个位，并且依次存储当前数据页的N个位中的一位以及下一数据页的N个位中的每一位。多用途存储单元被配置为依次存储非数据页信息和下一数据页的N个位中的一位。数据存储单元均被配置为存储当前数据页的N个位中的相应的一位。

关键词：数据页个位耦合到高速缓存存储单元存储器单元阵列数据存储单元页缓冲器电路存储单元外围电路依次存储配置位线字线存储器器件依次接收耦合选择行编程存储

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存储器件及存储器件的编程操作

存储器件及存储器件的编程操作

引用

作者：邓佳梁 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

在某些方面，一种存储器件包括：存储单元的列和行的阵列；字线，该字线分别耦合到存储单元的行；位线，该位线分别耦合到存储单元的列；以及外围电路，该外围电路通过位线和字线耦合到存储单元的阵列，并且被配置为基于当前数据页对存... 详细信息

标准号: CN118266028A

在某些方面，一种存储器件包括：存储单元的列和行的阵列；字线，该字线分别耦合到存储单元的行；位线，该位线分别耦合到存储单元的列；以及外围电路，该外围电路通过位线和字线耦合到存储单元的阵列，并且被配置为基于当前数据页对存储单元的行中的选择行进行编程。每个存储单元被设置为2^N个级别中的一个级别，该级别与一段N位数据相对应，其中，N是大于2的整数。外围电路包括分别耦合到位线的页缓冲器电路。每个页缓冲器电路包括：一个高速缓存存储单元、N‑1个数据存储单元和多用途存储单元。高速缓存存储单元被配置为：顺序地接收当前数据页的N位和下一数据页的N位，并且顺序地存储当前数据页的N位中的一位和下一数据页的N位中的每一位。每个数据存储单元被配置为：顺序地存储当前数据页的N位中的相应一位和下一数据页的N位中的相应一位。多用途存储单元被配置为：存储当前数据页的N位中的至少一位。

关键词：存储单元数据页外围电路耦合到位线字线高速缓存存储单元数据存储单元页缓冲器电路存储配置存储器件耦合位数据选择行编程

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非易失性存储器装置

非易失性存储器装置

引用

作者：李明雨金采勳金志桓宋仲镐韩国京畿道水原市

提供一种非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，在第一半导体层中并且包括连接到第一字线和第一位线的第一存储器单元和连接到第一字线和第二位线的第二存储器单元；页缓冲器电路，在第二半导体层中并且包... 详细信息

标准号: CN114822647A

提供一种非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，在第一半导体层中并且包括连接到第一字线和第一位线的第一存储器单元和连接到第一字线和第二位线的第二存储器单元；页缓冲器电路，在第二半导体层中并且包括连接到第一位线的第一页缓冲器和连接到第二位线的第二页缓冲器；以及页缓冲器控制器，在第二半导体层中。页缓冲器控制器控制第一页缓冲器和第二页缓冲器，使得第一页缓冲器的第一感测节点的发展时序与第二页缓冲器的第二感测节点的发展时序不同。第一页缓冲器比第二页缓冲器靠近贯穿电极区域。

关键词：页缓冲器位线半导体层非易失性存储器装置时序感测节点字线存储器单元阵列页缓冲器电路存储器单元第二存储器控制器控制电极区域控制器贯穿

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用于稳定内部电压的存储器设备及稳定其内部电压的方法

用于稳定内部电压的存储器设备及稳定其内部电压的方法

引用

作者：朴庸河金埰勋南尚完韩国京畿道

提供了一种控制存储器设备方法，该存储器设备包括页缓冲器电路，所述页缓冲器电路包括多个页缓冲器，每个页缓冲器包括至少一个锁存器。该方法包括：由内部电压电路生成内部电压当中的用于所述页缓冲器电路的操作的至少一个内部电压，... 详细信息

标准号: CN111798886B

提供了一种控制存储器设备方法，该存储器设备包括页缓冲器电路，所述页缓冲器电路包括多个页缓冲器，每个页缓冲器包括至少一个锁存器。该方法包括：由内部电压电路生成内部电压当中的用于所述页缓冲器电路的操作的至少一个内部电压，其中所述内部电压电路向所述页缓冲器电路提供所述至少一个内部电压；向所述页缓冲器电路提供用于形成在所述内部电压电路和不用于在所述页缓冲器电路中进行缓冲的所述多个页缓冲器中的第一页缓冲器的第一电节点之间、在对所述多个页缓冲器中的第二页缓冲器的第一锁存器的设定操作期间的电连接的控制信号。

关键词：页缓冲器电路内部电压页缓冲器锁存器电路存储器设备控制存储器操作期间电路生成控制信号电节点电连接缓冲

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存储器装置、存储器系统和操作存储器系统的方法

存储器装置、存储器系统和操作存储器系统的方法

引用

作者：吴银珠昔浚荣宋英杰张炳哲韩国京畿道水原市

公开一种存储器装置、存储器系统和操作存储器系统的方法。所述操作存储器系统的方法包括：在存储器装置中，将存储在页缓冲器电路中的K个逻辑页编程到存储器单元阵列中；在经过第一延迟时间之后，从存储器装置将编程到存储器单元阵列中... 详细信息

标准号: CN116110473A

公开一种存储器装置、存储器系统和操作存储器系统的方法。所述操作存储器系统的方法包括：在存储器装置中，将存储在页缓冲器电路中的K个逻辑页编程到存储器单元阵列中；在经过第一延迟时间之后，从存储器装置将编程到存储器单元阵列中的K个逻辑页读取到页缓冲器电路中；在存储器控制器中，将N‑K个逻辑页发送到存储器装置；以及在存储器装置中，基于读取的K个逻辑页和N‑K个逻辑页，将N个逻辑页编程到存储器单元阵列中，其中，K是正整数，并且N是大于K的正整数。

关键词：逻辑页存储器装置存储器单元阵列编程页缓冲器电路读取操作存储器正整数存储器控制器存储器系统延迟存储

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非易失性存储器装置

非易失性存储器装置

引用

作者：崔容赫南尚完柳载悳朴相元任琫淳韩国京畿道水原市

提供了一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括第一半导体层、第二半导体层和控制电路。存储器单元阵列包括在第一上基底上的第一垂直结构和在第二上基底上的第二垂直结构，第一垂直结构包括第一子块，第二垂直结构包括第... 详细信息

标准号: CN112582006A

提供了一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括第一半导体层、第二半导体层和控制电路。存储器单元阵列包括在第一上基底上的第一垂直结构和在第二上基底上的第二垂直结构，第一垂直结构包括第一子块，第二垂直结构包括第二子块。第二半导体层包括包含地址解码器和页缓冲器电路的下基底。第一垂直结构包括设置有一个或多个通孔的第一过孔区域，通孔穿过第一垂直结构。第一子块被布置在第一过孔区域之间，第二子块被布置在第二过孔区域之间。控制电路基于存储器块是否靠近第一过孔区域将存储器块分组为多个组，并且执行地址重映射。

关键词：垂直结构孔区域子块半导体层基底非易失性存储器装置存储器块控制电路通孔存储器单元阵列页缓冲器电路地址解码器重映射穿过分组

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