检索结果-内蒙古大学图书馆

《硅酸盐学报》创刊50周年暨中国硅酸盐学会2007年学术年会

作者：吕忆农刘云飞施书哲徐明南京工业大学材料科学与工程学院南京工业大学材料科学与工程学院南京工业大学材料科学与工程学院南京工业大学材料科学与工程学院

利用高分辨透射电子显微术（HRTEM）和选区电子衍射（SAED）对 A 位复合钙钛矿结构的0．94(NaBi)TiO-0．06BaTiO （BNBT6）陶瓷的显微结构进行了深入的研究。沿[001],[011]和[111]3个晶带轴方向的 SAED 花样分析结果表明,A 位 Bi

关键词：高分辨透射电子显微术 TiO3-0

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含Nb-Ti低碳微合金钢中纳米碳化物的相间析出行为

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金属学报 2015年第4期51卷 417-424页

作者：李小琳王昭东东北大学轧制技术及连轧自动化国家重点实验室沈阳110819

采用热膨胀实验研究了等温温度对Nb-Ti微合金钢组织、性能及析出行为的影响规律,利用TEM对不同温度等温后试样的析出行为进行观察和分析.结果表明,不同温度等温后试样中均可观察到相间析出碳化物,且降低等温温度可显著细化相间析出碳化... 详细信息

采用热膨胀实验研究了等温温度对Nb-Ti微合金钢组织、性能及析出行为的影响规律,利用TEM对不同温度等温后试样的析出行为进行观察和分析.结果表明,不同温度等温后试样中均可观察到相间析出碳化物,且降低等温温度可显著细化相间析出碳化物所在面面间距、相间析出碳化物所在面内析出物间距及相间析出碳化物尺寸.具有层状分布特征的相间析出碳化物所在面呈现弯曲和平直2种形态,其中平直型相间析出碳化物所在面平行于铁素体的{011},{012},{013}和{035}面.经HRTEM确定相间析出碳化物具有Na Cl型晶体结构,晶格常数为0.434 nm,且与铁素体基体符合Baker-Nutting(B-N)关系,经EDS分析确定相间析出碳化物为(Nb,Ti)C.利用Orowan机制对析出强化量进行估算,结果表明不同等温温度下析出强化量均大于300 MPa.

关键词： Nb-Ti微合金钢相间析出 Vickers硬度高分辨透射电子显微术取向关系错配度

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碱性花岗岩中稀土矿物微观地质异常及其意义

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地球科学（中国地质大学学报） 2001年第5期26卷 496-500页

作者：孟大维龚俊锋于梅花中国地质大学数理系

四川冕西霓石碱性花岗岩中的稀土矿物主要为钙稀土氟碳酸盐矿物系列 ,通过选区电子衍射 (SAED)和高分辨透射电子显微术 (HRTEM )研究发现该系列矿物晶体结构中广泛发育复杂多样的微观地质异常现象 ,其主要类型有 :( 1)由该系列两个端员... 详细信息

四川冕西霓石碱性花岗岩中的稀土矿物主要为钙稀土氟碳酸盐矿物系列 ,通过选区电子衍射 (SAED)和高分辨透射电子显微术 (HRTEM )研究发现该系列矿物晶体结构中广泛发育复杂多样的微观地质异常现象 ,其主要类型有 :( 1)由该系列两个端员矿物氟碳铈矿结构层(B)与直氟碳钙铈矿结构层 (S)以不同比例沿c轴方向有序堆垛形成的BmSn型规则混层结构 ;( 2 )无序堆垛形成的有序 -无序结构晶畴 ;( 3 )由堆垛层错形成的无序混层结构、氟碳钙铈矿中不同多型体间的共格连生结构和相转变等 ;( 4 )氟碳铈矿结构中的平行于 [0 0 0 1]方向的平移畴及一维无公度调制结构 ,该类调制结构可能是由于矿物中原子占位有序度的变化而形成的无序结构状态 .

关键词：稀土矿物调制结构高分辨透射电子显微术碱性花岗岩电子衍射微观地质异常

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二元不互溶Cu-Ta体系非晶相的形成

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材料研究学报 2004年第3期18卷 290-294页

作者：黄昌清隋曼龄中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室

利用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微术(HRTEM)和X射线能谱(EDS)研究了共溅射Cu-Ta薄膜中非晶相的形成.结果表明,共溅射Cu-Ta薄膜为非晶相,但是其中存在着纳米尺度的Cu晶粒和富Cu的非晶纳米颗粒,即存在纳米尺度的相分离.正的混合热... 详细信息

利用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微术(HRTEM)和X射线能谱(EDS)研究了共溅射Cu-Ta薄膜中非晶相的形成.结果表明,共溅射Cu-Ta薄膜为非晶相,但是其中存在着纳米尺度的Cu晶粒和富Cu的非晶纳米颗粒,即存在纳米尺度的相分离.正的混合热是导致Cu-Ta二元不互溶体系非晶态薄膜相分离的本质原因.

关键词：金属材料 Cu-Ta非晶相共溅射薄膜高分辨透射电子显微术不互溶体系

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Al-Zn-Mg-Cu合金时效沉淀相应变场研究

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稀有金属材料与工程 2012年第S2期41卷 520-523页

作者：刘飞白朴存侯小虎赵春旺邢永明内蒙古工业大学内蒙古呼和浩特010051

利用高分辨透射电子显微镜研究喷射成形Al12Zn2.4Mg1.1Cu合金不同时效时间析出的GPⅡ区和η′亚稳沉淀相,并结合几何相位分析软件计算了GPⅡ区和η′亚稳沉淀相的应变场。研究表明:该合金的时效硬度变化和主要析出相的变化密切相关。GP... 详细信息

利用高分辨透射电子显微镜研究喷射成形Al12Zn2.4Mg1.1Cu合金不同时效时间析出的GPⅡ区和η′亚稳沉淀相,并结合几何相位分析软件计算了GPⅡ区和η′亚稳沉淀相的应变场。研究表明:该合金的时效硬度变化和主要析出相的变化密切相关。GPⅡ区大量弥散析出是造成合金硬度迅速上升的主要原因。η′是峰值时效状态下的主要析出强化相。析出相从GPⅡ区到η′的转变,是应变峰值较小的分散半共格应变场取代了应变峰值较大的集中共格应变场的过程。并对GPⅡ区和η′亚稳沉淀相的演变过程及强化机制进行了讨论。

关键词：应变沉淀相几何相位分析软件高分辨透射电子显微术

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氮空位在纳米GaN颗粒和InGaN AlGaN双异质结中的聚集(英文)

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电子显微学报 2002年第3期21卷 253-258页

作者：张泽王岩国李辉中国科学院物理所电子显微镜开放实验室北京100080

直流放电等离子法制备纳米GaN颗粒中的氮缺乏可导致空位形成。在电子显微观察的电子辐照条件下 ,这些N 空位将进一步凝聚 ,形成一个a =2 2 0 9nm ,b =3 82 6nm ,c=1 0 3 7nm ,α =β =γ =90°的调制结构。随着电子辐照剂量增加 ... 详细信息

直流放电等离子法制备纳米GaN颗粒中的氮缺乏可导致空位形成。在电子显微观察的电子辐照条件下 ,这些N 空位将进一步凝聚 ,形成一个a =2 2 0 9nm ,b =3 82 6nm ,c=1 0 3 7nm ,α =β =γ =90°的调制结构。随着电子辐照剂量增加 ,纳米颗粒中心将出现空洞 ,同时使该区的金属镓离子迁移到颗粒的表面。电子显微分析及分子力学理论计算表明 ,这种新的调制结构系空位的有序排列所致。在此基础上 ,进一步研究了InGaN AlGaN的双异质结薄膜结构中直径约为 5 0nm的空洞存在与发光失效的关系 ,讨论了N

关键词：氮空位 GaN InGaN/AlGaN 双异质结聚集氮化镓氮铟镓铝镓氮纳米颗粒调制结构高分辨透射电子显微术选区电子衍射分子力学

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化学法制备ZnO薄膜的微观结构研究

化学法制备ZnO薄膜的微观结构研究

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作者：杨慧东北大学

学位级别：硕士

氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带(3.37eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有较大的激子束缚能(60meV),理论上可以在室温下实现紫外光的受激发射。因此,对ZnO的研究已成为继GaN之后宽禁带半导体研究的又一热点。由于ZnO在结构、能带、电学... 详细信息

氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带(3.37eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有较大的激子束缚能(60meV),理论上可以在室温下实现紫外光的受激发射。因此,对ZnO的研究已成为继GaN之后宽禁带半导体研究的又一热点。由于ZnO在结构、能带、电学和光学方面的诸多优点,加之ZnO薄膜的制作方法很多,可以适应不同的应用需求,ZnO在器件应用方面具有广阔的应用范围,潜力很大,前景极好。它可以被用来制作透明电极、压敏电阻、太阳能电池窗口、表面声波器件、气体传感器、发光二极管等。在短波区域,ZnO可用于制造紫外发光器件和紫外激光器,对于提高光记录密度及光信息的存取速度起着非常重要的作用。高质量薄膜和纳米结构的制备已经成为ZnO实现应用的重要环节。液相化学方法具有价格低廉、易于实现大面积生产等优点,近年来在纳米材料合成方面逐渐引起了研究者的重视。然而,薄膜的质量提高、特殊纳米结构的可控生长和掺杂工艺一直是液相制备研究中亟待解决的问题,生长机制尚不明确,需要采用多种手段进行系统的实验研究。本文以两种化学方法即溶胶凝胶法(Sol-Gel)和化学浴沉积法(CBD)制备的ZnO薄膜作为研究对象,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HREM)对ZnO薄膜的微观结构进行了研究,重点结合薄膜制备原理分析了两种方法制备的ZnO薄膜的生长机制。溶胶凝胶法在玻璃衬底上制备的掺铝ZnO薄膜具有六方纤锌矿结构。XRD测试结果显示,在Al掺杂量较小时,随着Al掺杂量的升高,峰位向右移动,在掺杂量为3 at%时达到最大值。但随着Al掺入量进一步增加,峰位向左移动。当掺Al量超过6 at%时,薄膜的掺杂水平逐渐恶化,致使晶格不再发生变化。AFM的观察结果表明一些ZnO薄膜的表面呈现褶皱现象,这是由于凝胶在热处理过程产生的应力变化造成的结果。不同铝掺杂量的ZnO薄膜都呈现c轴择优取向,掺杂量在3 at%时择优取向最强,随掺杂量进一步增加,择优取向度明显下降。TEM结果揭示ZnO薄膜由球状或椭球颗粒组成且呈现明显的层状生长特点。ZnO薄膜均经过5次旋涂(Spin-coating)而成,在层界面的晶粒较为粗大,形成明显的粗晶层。粗晶层之间的颗粒较小形成细晶层。相比铝掺杂量较多(4-9at%)ZnO薄膜,掺杂量较少(1—3 at%)的ZnO薄膜中粗晶层的颗粒度明显增大,具有沿着层面生长的趋势。分析结果表明,晶粒的成核、长大、粗化机制比较复杂。薄膜最终形成c轴择优取向可能是由自组装机制,自织构机制和奥斯瓦尔多熟化机制综合作用的结果。实验结果表明,随Al杂质含量的增加,ZnO晶粒得到明显的细化。分析认为,未形成掺杂的A1原子以非晶A1203的形式在ZnO晶界上形成了对晶界运动的钉扎,导致晶粒尺寸的减小。对化学浴沉积法制备ZnO薄膜的微观结构分析结果表明,薄膜是由柱状晶粒组成的多晶结构,每个柱状大晶粒均由种子层表面籽晶颗粒上外延生长而成,即籽晶的晶面取向决定了柱晶的生长取向。电镜分析结果表明,薄膜以定向粘附模式(Oriented attachment mechanism)生长。薄膜稳定性较差,经长时间电子束辐照,连续薄膜分解为颗粒结构。

关键词： ZnO薄膜溶胶凝胶法择优取向化学浴沉积定向粘附机制高分辨透射电子显微术

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若干准一维氧化物纳米材料的显微结构研究

若干准一维氧化物纳米材料的显微结构研究

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作者：陈耀锋北京大学

学位级别：硕士

该文主要利用透射电子显微镜的多种技术手段研究氧化铁孪晶纳米线和氧化锌准一维纳米材料的显微结构,并结合显微结构的分析对生长机制进行了讨论.该文的研究主要分两个部分.第一部分研究直接高温氧化法制备的α-Fe<,2>O&a... 详细信息

该文主要利用透射电子显微镜的多种技术手段研究氧化铁孪晶纳米线和氧化锌准一维纳米材料的显微结构,并结合显微结构的分析对生长机制进行了讨论.该文的研究主要分两个部分.第一部分研究直接高温氧化法制备的α-Fe<,2>O<,3>纳米线的显微结构.实验发现制备得到的纳米材料中既有单晶纳米线还有结构特殊的孪晶纳米线.通过高分辨电子显微术基本确认了得到的多种形貌的孪晶纳米线都是主要只含有一个贯穿整根纳米线的轴向缺陷,孪晶的两部分关于界面成镜向对称孪晶.并结合显微结构和早期研究结果,对生长机制进行了较详细的讨论,分析表明试验采用的方法为直接高温氧化法,应是固相生长而不是汽相生长的机制.第二部分的工作主要是对汽相蒸发法制备的三种特殊形貌的ZnO准一维纳米结构进行了系统的显微结构的分析,针对每种形貌的特点给出了关键部位的结构示意图,发现试验制备的准一维材料虽然形貌各有不同但都反映了ZnO的晶体结构的特点.并在此基础上对生长机制进行了讨论,试验现象支持了文献中关于此类纳米线生长的汽-固(V-S)生长机制的观点.制备得到的ZnO纳米结构所具有的反映晶体的原子晶格结构的生长特点,在进一步探讨生长机制时值得关注.该文的ZnO准一维纳米结构,结构简单规则无缺陷,可能用作自下而上的纳米技术中的构建模块(Building Blocks).

关键词： FeO ZnO直接高温氧化汽相生长纳米带纳米线显微结构高分辨透射电子显微术

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抗衡离子对羧化PMMA及温度对磺化PS离聚物离子聚集形态的影响

抗衡离子对羧化PMMA及温度对磺化PS离聚物离子聚集形态的影响

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作者：喻子欣湖北工业大学

学位级别：硕士

在含少量离子侧基（≤10?15 mol%）的（无规）离子交联型聚合物（以下简称离聚物）中的离子聚集形态的研究中并未解释离子簇内部是否有序、差式扫描量热法（DSC）低温吸热峰起源及离子跃迁理论与离聚物结构与性能的关系。在本工作中,利... 详细信息

在含少量离子侧基（≤10?15 mol%）的（无规）离子交联型聚合物（以下简称离聚物）中的离子聚集形态的研究中并未解释离子簇内部是否有序、差式扫描量热法（DSC）低温吸热峰起源及离子跃迁理论与离聚物结构与性能的关系。在本工作中,利用具有11.7 mol%酸基的甲基丙烯酸甲酯?甲基丙烯酸共聚物（MMA?MAA）与二价金属（Cd、Ca和Zn）乙酸盐的中和反应合成MMA?MAA Cd、Ca及Zn盐离聚物本体,并且将三种离聚物在溶剂中冷冻干燥得到了离聚物溶液;比较了三种不同二价抗衡离子(Cd2+、Ca2+和Zn2+)对以MMA?MAA为基体的离聚物本体的热转变及三种离子簇尺寸的影响,探究了离子簇内部是否存在有序性;同时,对比了本体与溶液中离子簇形态的差别。室温“退火”14天后,MMA?MAA离聚物在DSC温谱图中在60 ~oC时产生吸热峰,该峰可能源自离子簇内部的有序-无序转变;熔融焓随离子相互作用强度的增加而增加,顺序为Cd2+2+2+;并且,基体玻璃化转变温度（Tg）和更高温的簇相Tg以相同的顺序增加,这是由于在三种离聚物簇相的交联密度和体积分数的增加。在三种MMA?MAA Cd、Ca及Zn盐离聚物本体的广角X射线散射谱（WAXS）中均解析出离子簇的多个Bragg峰,这证实了离子簇内部的存在原子的有序排列;通过WAXS估算,Cd,Ca和Zn盐离聚物的离子簇的平均直径分别为2.4、1.5和1.2 nm,与离子相互作用强度顺序相反;在溶液中,WAXS中仅有Zn盐离聚物中解析出离子簇Bragg峰,Cd和Ca盐离聚物具有许多单独的离子三聚体而没有形成离子簇,而Zn盐离聚物通过Zn2+和?COO-?离子之间的强的相互作用在分子内形成离子簇（1.6 nm）。在MMA?MAA Cd、Ca及Zn盐离聚物本体的高分辨透射电子显微（HR-TEM）照片中均探测到明暗相间的晶格条纹,这是离子簇内部有序的直接证据,并且观察到离子簇为球形,Cd和Zn盐离聚物离子簇尺寸为3.2与2.2 nm;在三种离聚物溶液中离子簇形态为不规则形状,但在Cd和Zn盐离聚物溶液中仍存在明暗相间的衍射条纹,表明即使是强溶剂也不能破坏离子簇内部的有序性。经冷冻干燥处理的聚苯乙烯磺酸钠盐离聚物（SPS?Na）在不同温度真空热处理得到了不同温度下的热力学平衡态的SPS?Na,不同温度热处理对SPS?Na基体的Tg影响很小,推测可能是随着热处理温度升高,离子簇尺寸变大,数密度减小,两者对Tg的效应相反,因此可能两种相互抵消,导致Tg变化不大;另外一种可能是在所有的热处理温度下离子簇的形态分布均达到了稳态分布对Tg的变化无影响。不同温度热处理的SPS?Na的WAXS谱图中均解析出多个Bragg峰且峰位置基本不变,亦证实了离子簇内部存在有序性,但温度对离子簇内部配位结构可能没有影响。

关键词：离聚物离子簇广角X射线散射有序性尺寸高分辨透射电子显微术晶格条纹玻璃化转变温度

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ZnO:Al和Sr0.5Ba0.5TiO3氧化物薄膜的微观结构研究

ZnO:Al和Sr0.5Ba0.5TiO3氧化物薄膜的微观结构研究

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作者：宁策东北大学

学位级别：硕士

氧化锌(ZnO)是近年来研究最为广泛的半导体材料之一。作为新一代的透明导电氧化物薄膜具有高的载流子浓度和较宽的光学能隙,与In2O3相比,ZnO具有原料来源丰富、便宜、无毒,在氢等离子体气氛中较为稳定等优点。并且通过适当Al掺杂,得到的... 详细信息

氧化锌(ZnO)是近年来研究最为广泛的半导体材料之一。作为新一代的透明导电氧化物薄膜具有高的载流子浓度和较宽的光学能隙,与In2O3相比,ZnO具有原料来源丰富、便宜、无毒,在氢等离子体气氛中较为稳定等优点。并且通过适当Al掺杂,得到的ZAO薄膜具有更加优异的光学性能,应用于许多光学器件,可作为透明导电电极在液晶显示、太阳能电池、热镜和表面声波器件等领域获得广泛的应用。高容量集成薄膜电容器作为RC网络的电容基本单元,被广泛应用于复杂电路中,还可以作为动态随机存储器或DRAMs的储存单元用来制作计算机芯片。四元化合物Sr0.5Ba0.5TiO3(SBTO)是新型介电材料之一,由于它具有很高的介电常数,低介电损失以及顶层与底层间的低漏电流密度等优点,使得该材料在集成薄膜电容器方面作为高容量储存媒介拥有巨大的应用背景。本文利用XRD、TEM、HRTEM分别对用溶胶凝胶法在玻璃衬底上生成不同掺杂量的ZAO透明半导体薄膜和用脉冲激光沉积法在LaAlO3衬底上制备的Sr0.5Ba0.5TiO3/La0.5Sr0.5CoO3薄膜的微观组织进行研究,并解释两种氧化物薄膜各自的生长机制。利用溶胶凝胶法在玻璃衬底上制备的ZnO薄膜,在500℃下退火,并不能形成c轴取向的柱状晶,而是由不规则的球状晶粒堆垛而成。晶粒尺度在100nm左右,倾向于纵向生长并含有大量的层错。其中按c轴取向生长的晶粒在整个样品中与其他取向的晶粒相比占多数。掺Al的ZnO薄膜与未掺杂ZnO薄膜相比,形成明显的分层结构,与薄膜名义制备层数一致。每层界面处晶粒尺度较大,且衬度很深。而界面之间的晶粒尺寸很小,只有几纳米,并随着Al掺杂量的增大,晶粒尺寸越来越均匀,尺寸无明显变化。Al能够进入ZnO晶格之中,以Al3+替代Zn2+,使得ZnO晶格发生畸变,a轴增大,c轴减小。随着Al含量的增大,在ZnO晶界上形成非晶Al2O3,它的存在阻止了ZnO晶粒的长大。在Al高掺杂量下每层界面均由大尺寸晶粒组成,是由于在300℃干燥下,ZnO在每层表面非均匀形核,并随着表面起伏,晶粒发生聚集。相比于层内部,它们纯度高,界面几乎没有非晶Al2O3的束缚,使得在500℃下得以长大。Al掺杂ZnO样品中均匀形核的小颗粒具有明显的c轴择优取向,而表面非均匀形核形成的大颗粒则倾向于沿a轴生长。采用PLD法制备的SBTO/LSCO/LAO薄膜体系中,LSCO层具有不同于块体材料的新结构,这种结构是由于阳离子在A位有序占位形成的,其结构由原来的面心立方转变为四方对称性。在LSCO薄膜中存在大量的取向畴,这些畴的c轴分别沿着衬底LAO三个伪立方轴方向,因此整个薄膜是由这三种取向畴构成的。有两种典型的畴界面,分别为(110)和(100)。在LSCO/LAO界面处只有[001]型取向畴生长,并形成AlO-LaO-CoO2-SrO-CoO2-LaO界面态。LSCO薄膜与衬底界面几乎没有位错,薄膜应力完全被晶格形变所容纳。在衬底与靶材成一定角度下可以得到界面和表面均很完整的LSCO薄膜。LSCO膜层的结晶度对上面生长的SBTO结构有着很大的影响,针对平整表面和粗糙表面的底电极,SBTO薄膜可形成两种生长模式,可表示为完全外延和局部外延的生长特点。

关键词：掺铝氧化锌溶胶凝胶法高分辨透射电子显微术 Sr0.5Ba0.5TiO3薄膜微观结构

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