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  • 1 篇 工学
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    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 c/si比值
  • 1 篇 硅衬底
  • 1 篇 异质外延生长
  • 1 篇 4h-碳化硅薄膜
  • 1 篇 cvd法

机构

  • 1 篇 南京大学

作者

  • 1 篇 梅琴
  • 1 篇 刘斌
  • 1 篇 郑有炓
  • 1 篇 张荣
  • 1 篇 谢自力
  • 1 篇 王荣华
  • 1 篇 修向前
  • 1 篇 韩平
  • 1 篇 吴军

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=4H-碳化硅薄膜"
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AIN/Si(111)衬底上4h-SiC的CVD外延生长研究
AIN/Si(111)衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究
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引用
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 吴军 王荣华 韩平 梅琴 刘斌 谢自力 修向前 张荣 郑有炓 南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室 南京 210093
本工作利用CVD的方法在AIN/Si(111)衬底上成功实现了4h-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(hRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射(Raman Scattering)对所得样品的结构特征、表面形貌等进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的... 详细信息
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