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检索条件"主题词=A Reliability Model for CMOS Circuit Based on Device Degradation"
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a reliability model for cmos circuit based on device degradation
A Reliability Model for CMOS Circuit Based on Device Degrada...
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2012 IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated circuit Technology(ICSICT-2012)
作者： J.Peng D.M.Huang G.F.Jiao M.F.Li State Key Laboratory of ASIC and System Department of MicroelectronicsFudan University
cmos device degradations such as negative bias temperature instability (NBTI) and hot carrier injection (HCI) have been extensively investigated. However, the relationship between the device degradation and the circui... 详细信息
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