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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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- 2 篇 电子科学与技术（可...

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2 篇 a simple nano-sc...
2 篇 finfet

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1 篇 key laboratory o...

作者

1 篇 dingyu li
1 篇 chengen yang
1 篇 shengdong zhang
1 篇 xu han chengen y...
1 篇 xu han

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检索条件"主题词=A Simple Nano-Scale Patterning Technology for FinFET Fabrication"

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a simple nano-scale patterning technology for finfet fabrication

A Simple Nano-Scale Patterning Technology for FinFET Fabrica...

引用

2008 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit technology

作者： Xu Han, Chengen Yang,Dingyu Li, Shengdong Zhang* Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits, Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, P. R. China

In this paper, a simple low-cost sub-50 nm silicon fin patterning technology is proposed and experimentally demonstrated. The technology is based on a micro-meter level lithography equipment, that is, it does not need any critical photolithographic step. The masking layer for fin formation is the nitride caped oxide layer which is reduced in width from sub-micrometer scale to nano-meter scale through a lateral etching in BOE. The etching rate is shown to slow down as the etching process goes on. A nano-scale oxide hard mask can be achieved after the nitride is removal. Both the cross-sectional view and top view of the etching process are shown by SEM photographs. Results indicate the simple patterning way is of low cost and under good control, and applicable to finfet technology.

关键词： finfet a simple nano-scale patterning technology for finfet fabrication

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a simple nano-scale patterning technology for finfet fabrication

A Simple Nano-Scale Patterning Technology for FinFET Fabrica...

引用

2008 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit technology

作者： Xu Han Chengen Yang Dingyu Li Shengdong Zhang Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits Institute of MicroelectronicsPeking University

In this paper,a simple low-cost sub-50 nm silicon fin patterning technology is proposed and experimentally *** technology is based on a micro-meter level lithography equipment,that is,it does not need any critical photolithographic *** masking layer for fin formation is the nitride caped oxide layer which is reduced in width from sub-micrometer scale to nano-meter scale through a lateral etching in *** etching rate is shown to slow down as the etching process goes on.A nano-scale oxide hard mask can be achieved after the nitride is *** the cross-sectional view and top view of the etching process are shown by SEM *** indicate the simple patterning way is of low cost and under good control,and applicable to finfet technology.

关键词： finfet a simple nano-scale patterning technology for finfet fabrication

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